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UPS在EMC傳導(dǎo)干擾測(cè)試中的幾個(gè)問(wèn)題
本文介紹了UPS用濾波器扣制電源線在傳導(dǎo)干擾測(cè)試中遇到的濾波器選擇、安裝等問(wèn)題,給出了在不同條件下的測(cè)試結(jié)果,并對(duì)其產(chǎn)生原因和防護(hù)措施作了討論。
2008-09-30
UPS不間斷電源 EMC電磁兼容 濾波器
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基于感應(yīng)耦合比率臂的高精度位移測(cè)量系統(tǒng)
本文討論了比率測(cè)量方法的優(yōu)點(diǎn),介紹了運(yùn)用感應(yīng)耦合比率臂和差動(dòng)式電容位移傳感器設(shè)計(jì)的高精度微小位移測(cè)量系統(tǒng)。給出了一種實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)例子和主要的測(cè)試結(jié)果,說(shuō)明了該設(shè)計(jì)在小位移測(cè)量中的有效性。
2008-09-29
位移測(cè)量 感應(yīng)耦合比率臂 電容傳感器 納米測(cè)量
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基于多傳感器數(shù)據(jù)融合的漏磁信號(hào)采集與處理
漏磁檢測(cè)以其高信噪比、高靈敏度和高檢測(cè)效率,在無(wú)損檢測(cè)中得到了廣泛應(yīng)用。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,傳統(tǒng)的信號(hào)處理方法越來(lái)越不適應(yīng)現(xiàn)代工業(yè)的需要,提出一種基于多傳感器數(shù)據(jù)融合技術(shù)的漏磁信號(hào)處理方法。采用小波去噪的方法,并利用徑向基函數(shù)(RBF)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)融合技術(shù)對(duì)缺陷信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)處理...
2008-09-29
漏磁檢測(cè) 多傳感器技術(shù) 數(shù)據(jù)融合 小波去噪 RBF神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)
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基于InSb-In薄膜磁阻元件電流傳感器的應(yīng)用
傳感器技術(shù)已成為現(xiàn)代信息技術(shù)的三大支柱之一,本文描述了采用InSb-In共晶體薄膜磁阻元件制成電流傳感器的實(shí)現(xiàn),并介紹了銻化銦電流傳感器的結(jié)構(gòu)和工作原理,以及在工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)的應(yīng)用并得出相關(guān)結(jié)論。
2008-09-29
銻化銦電流傳感器 信號(hào)處理電路 馬達(dá)監(jiān)控
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CMOS成像技術(shù)讓照相功能大顯身手
CMOS傳感器因具有低功耗、體積小、運(yùn)行速度快等優(yōu)點(diǎn)而迅速成為新成像技術(shù)的發(fā)展方向。CMOS能同時(shí)實(shí)現(xiàn)攝像頭的拍照和視頻功能,使得移動(dòng)電話已成為CMOS的最忠實(shí)擁護(hù)者。CMOS成像技術(shù)能實(shí)現(xiàn)更安全、更智能的駕駛,CMOS也將朝著安保與監(jiān)控領(lǐng)域發(fā)展。
2008-09-28
CMOS 傳感器 攝像頭 成像技術(shù)
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如何快速解決高速系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題
隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的不斷提高,系統(tǒng)的信號(hào)完整性問(wèn)題倍受關(guān)注。解決信號(hào)完整性問(wèn)題要從系統(tǒng)設(shè)計(jì)入手,減少抖動(dòng)的影響。解決信號(hào)完整性問(wèn)題主要是解決系統(tǒng)的功率失配問(wèn)題,主要方法是使用均衡補(bǔ)償功率電平失配和使用去加重技術(shù)補(bǔ)償功率電平失配。
2008-09-28
完整性 均衡 去加重
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軟性傳感器發(fā)展應(yīng)用環(huán)境和市場(chǎng)趨勢(shì)
由于易于攜帶或手持式電子產(chǎn)品的需求趨勢(shì)大幅增加,進(jìn)而以塑料基板生產(chǎn)制造的電子產(chǎn)品近年來(lái)備受矚目。因?yàn)樗芰喜牧系娜埸c(diǎn)大約在120℃,無(wú)法進(jìn)行較高溫之組件制程,因此,若要在此基材上制作出可達(dá)高效能的傳感器是相對(duì)困難的,探討現(xiàn)有克服此材料限制的相關(guān)制程也是本文其中的一個(gè)重點(diǎn)。
2008-09-27
軟性傳感器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展;現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器,體積只有5~10年前的1/4~1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí),需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-26
繼電器
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帶微處理器的繼電器將會(huì)迅速發(fā)展
隨著微型和片式化技術(shù)的提高。繼電器將向二維、三維尺寸只有幾毫米的微型和表面貼裝化方向發(fā)展;現(xiàn)在國(guó)際上有些廠家生產(chǎn)的繼電器,體積只有5~10年前的1/4~1/8。因?yàn)殡娮诱麢C(jī)在減小體積時(shí),需要高度不超過(guò)其它電子元件的更小的繼電器。
2008-09-24
繼電器
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