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能源電力

多樣化的電容器不斷涌現(xiàn)，區(qū)別關(guān)鍵在于介質(zhì)

區(qū)別在于介質(zhì)的不同、性能不同、容量不同、結(jié)構(gòu)不同致使用環(huán)境和用途也不同。反過來講，人們根據(jù)生產(chǎn)實(shí)踐需要，實(shí)驗(yàn)制造了各種功能的電容器來滿足各種電器的正常運(yùn)行和新設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展和新材料的發(fā)掘，更優(yōu)質(zhì)、多樣化的電容器會不斷涌現(xiàn)。

2018-03-19

電容器介質(zhì)

采用MAX606設(shè)計12V的小功率開關(guān)電源

在便攜式儀器中，只能使用電池為系統(tǒng)供電。通常電池電壓比較低，系統(tǒng)中經(jīng)常需要使用小功率開關(guān)電源電路對低電壓進(jìn)行電壓變換，滿足系統(tǒng)中不同功能模塊的需求。然而，使用開關(guān)電源必將引入紋波噪聲，如何降低該紋波噪聲成為系統(tǒng)設(shè)計的一個重要問題。開關(guān)電源的紋波抑制器通常使用C 型、LC型、CLC 型...

2018-03-19

MAX606 12V 小功率開關(guān)電源

關(guān)于RS-485接口電路，你需要的都在這里

本設(shè)計指南討論如何設(shè)計RS-485接口電路。文中討論了平衡傳輸線標(biāo)準(zhǔn)的必要性，并給出了一個過程控制設(shè)計例子。文中還分標(biāo)題討論了線路負(fù)載、信號衰減、失效保護(hù)和電流隔離。

2018-03-16

RS-485 接口電路

繼電器的振動，可讓MOSFET在開關(guān)關(guān)閉時被破壞

請注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機(jī)械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動感性負(fù)載時，不要將機(jī)械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時，由于繼電器的啟動時間短，產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt)，這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。

2018-03-16

繼電器 MOSFET 開關(guān)

一文讀懂，晶振為什么會發(fā)生停振？

在遇到事情是要以一分為二，對于晶振也不例外，應(yīng)從內(nèi)外因不同的角度來分析晶振停振。下面我們以內(nèi)外因來分析晶振停振。

2018-03-15

晶振停振

解析高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型

本文介紹了高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型。此模型涉及的濕度加速因子是從溫濕偏置試驗(yàn)中提取的；高壓IGBT的溫濕偏置試驗(yàn)在不同的濕度和不同的電壓下進(jìn)行測試，目的是為了找出濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響。最終，我們把濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響以及溫度因數(shù)都集成到壽命預(yù)估模...

2018-03-14

電容電解電容

三極管：如何區(qū)分其飽和和深度飽和狀態(tài)呢？

三極管飽和問題總結(jié)：1.在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。2.集電極電阻越大越容易飽和；3.飽和區(qū)的現(xiàn)象就是：二個PN結(jié)均正偏，IC不受IB之...

2018-03-05

三極管飽和狀態(tài) 深度飽和

如何利用廢舊變壓器？換繞組!

笨重的變壓器，大個電容。這種老舊電源也可用作兩個DC-DC PSU模塊的前端。讓我們看一個老變壓器背后的新故事。還記得很久以前的線性供電電源嗎？笨重的變壓器，大個電容。作為構(gòu)建EDN CDEL的一部分，我決定使用這種老舊的電源作為兩個DC-DC PSU模塊的前端。我來跟你分享一下這個老變壓器背后的新故事。

2018-03-03

變壓器換繞組