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汽車(chē)電子

電動(dòng)車(chē)48V電源系統(tǒng)的選擇，寬壓輸入DC/DC轉(zhuǎn)換器

DC/DC轉(zhuǎn)換器是一種將直流輸入電壓進(jìn)行處理后，輸出可變電壓的轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器主要分為升壓型、降壓型和升降壓型三大類，可通過(guò)PWM、PFM對(duì)其進(jìn)行控制，在消費(fèi)類電子、醫(yī)療、工業(yè)自動(dòng)化、汽車(chē)電子等領(lǐng)域均有不同程度的滲透。

2022-02-24

電動(dòng)車(chē) 48V電源系統(tǒng) DC/DC轉(zhuǎn)換器

汽車(chē)電子中的電磁干擾生成、傳播與抑制（下）

本文為探討EMI 問(wèn)題建模與分析策略的兩篇系列文章之下篇，上篇探討了降低差模 (DM) 噪聲和共模 (CM) 噪聲這兩種傳導(dǎo)EMI的方法，本文則涵蓋了基于戴維南定理的輻射 EMI 建模策略以及接地阻抗降低技術(shù)。

2022-02-24

汽車(chē)電子電磁干擾傳播與抑制

Arm全新汽車(chē)圖像信號(hào)處理器加速駕駛輔助與自動(dòng)化技術(shù)的導(dǎo)入

Arm宣布推出Arm? Mali?-C78AE ISP，為其專為汽車(chē)應(yīng)用的性能和安全而設(shè)計(jì)的IP產(chǎn)品組合再添新成員。搭配Cortex?-A78AE與Mali-G78AE的Mali-C78AE，可提供完整的ADAS圖像數(shù)據(jù)處理流水線，能夠優(yōu)化性能、最大限度地降低功耗，并提供一致的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)功能安全，從而驅(qū)動(dòng)ADAS在下一階段的量產(chǎn)導(dǎo)入。

2022-02-22

Arm 汽車(chē)圖像信號(hào)處理器駕駛輔助

汽車(chē)電子中的電磁干擾生成、傳播與抑制（上）

基于安全性的考慮，汽車(chē)行業(yè)對(duì)電磁干擾 (EMI)有嚴(yán)格的要求，這給工程師帶來(lái)了很大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)（見(jiàn)圖 1）。降低 EMI需要對(duì)各種 EMI 問(wèn)題進(jìn)行建模與分析。本文提供的建模和抑制方法用來(lái)降低非隔離式變換器（例如降壓、升壓和升降壓換器）中的 EMI。

2022-02-22

汽車(chē)電子電磁干擾傳播與抑制

構(gòu)建快速、靈活的電動(dòng)汽車(chē)充電網(wǎng)絡(luò)

在我們未來(lái)的電動(dòng)汽車(chē)行業(yè)中，半導(dǎo)體技術(shù)將為電網(wǎng)運(yùn)營(yíng)商提供更大的靈活性，從而更好地管理能源基礎(chǔ)設(shè)施。隨著世界各國(guó)政府致力于實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)，汽車(chē)行業(yè)計(jì)劃到 2025 年投資逾 3300 億美元來(lái)推進(jìn)汽車(chē)電氣化，向電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展的趨勢(shì)已定。

2022-02-21

電動(dòng)汽車(chē) 充電網(wǎng)絡(luò)

如何解決電動(dòng)汽車(chē)48V電源總線電池故障？

電動(dòng)汽車(chē)（e-mobility）的增長(zhǎng)越來(lái)越快，這要?dú)w功于汽車(chē)，公共汽車(chē)，貨運(yùn)卡車(chē)和帶有電動(dòng)汽車(chē)的踏板車(chē)的雪崩。這也導(dǎo)致了采用創(chuàng)新解決方案的電動(dòng)汽車(chē)電池和動(dòng)力總成制造技術(shù)的飛速發(fā)展。這些都提高了效率并降低了運(yùn)營(yíng)成本。逐步過(guò)渡到車(chē)輛的48V電源總線和引入高壓電池需要采用適當(dāng)?shù)臒峁芾砑夹g(shù)。

2022-02-21

電動(dòng)汽車(chē) 48V電源總線電池故障

MPS智能駕駛解決方案

現(xiàn)代汽車(chē)工業(yè)的四大趨勢(shì)分別為電氣化、智能化、網(wǎng)絡(luò)化和共享化。其中的智能化趨勢(shì)將需要先進(jìn)的車(chē)載傳感器、控制器和執(zhí)行器。

2022-02-21

MPS 智能駕駛解決方案

ADALM2000實(shí)驗(yàn)：CMOS模擬開(kāi)關(guān)

理想的模擬開(kāi)關(guān)不存在導(dǎo)通電阻，具有無(wú)窮大的關(guān)斷阻抗和零延時(shí)，可以處理大信號(hào)和共模電壓。實(shí)際使用MOS晶體管構(gòu)建的模擬開(kāi)關(guān)并不符合這些要求，但是如果我們了解模擬開(kāi)關(guān)的局限性，多數(shù)也是可以克服的。導(dǎo)通電阻是其中一項(xiàng)局限因素，本實(shí)驗(yàn)活動(dòng)將嘗試表征此開(kāi)關(guān)規(guī)格。

2022-02-17

ADALM2000 CMOS 模擬開(kāi)關(guān)

集成驅(qū)動(dòng)器！原來(lái)，GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘在這里~

如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)……因此可實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅(qū)動(dòng)能力、更快的開(kāi)關(guān)頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、...

2022-02-17

集成驅(qū)動(dòng)器 GaN電源系統(tǒng)性能