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如何為LED選擇限流電阻的值
當然,理想的解決方案是用電流源驅(qū)動LED。各種IC可用于以恒定電流驅(qū)動LED(甚至串聯(lián)成串)。這樣,LED的VI特性就變得至關重要。最簡單的此類IC之一是ON Semi的NSI50010YT1G,這是一種2引線電流源,與LED串聯(lián)放置,并且不管LED和電源電壓(IC兩端的電壓)如何,均將電流調(diào)節(jié)為10 mA。必須介于1.8 V和...
2021-10-26
LED 限流電阻
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三極管和MOS管下拉電阻的作用
簡單講解一下三極管,如果三極管工作在飽和區(qū)(完全導通),Rce≈0,Vce≈0.3V,且這個0.3V,我們就認為它直接接地了。那么就需要讓Ib大于等于1mA,若Ib=1mA, Ic=100mA,它的放大倍數(shù)β=100,三極管完全導通。
2021-10-26
三極管 MOS管 下拉電阻
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“芯”聯(lián)萬物,一“碳”究竟,IOTE 第十六屆國際物聯(lián)網(wǎng)展盛大開幕!
深圳福田會展中心1、2、6號館,共有六大展區(qū):人工智能、智慧城市、傳感器、通信定位、工業(yè)互聯(lián)、RFID應用展區(qū),650家展商誠邀蒞臨!本屆展會由深圳市物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)協(xié)會主辦,深圳市物聯(lián)傳媒有限公司、深圳市易信物聯(lián)網(wǎng)絡有限公司承辦,本屆物聯(lián)網(wǎng)展會以“芯聯(lián)萬物,智賦全球”為主題,響應數(shù)智化,可持...
2021-10-25
芯片 IOTE
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碳化硅功率晶體的設計發(fā)展及驅(qū)動電壓限制
傳統(tǒng)上在高壓功率晶體的設計中,采用硅材料的功率晶體要達到低通態(tài)電阻,必須采用超級結技術(superjunction),利用電荷補償?shù)姆绞绞估诰樱‥pitaxial layer)內(nèi)的垂直電場分布均勻,有效減少磊晶層厚度及其造成的通態(tài)電阻。
2021-10-25
碳化硅功率晶體 驅(qū)動電壓
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如何減少電容器聲音噪聲?
當在音頻范圍內(nèi)的頻率下工作時,某些表面貼裝電容器會表現(xiàn)出噪聲。最近的設計使用10μF,35V X5R 1206陶瓷電容器,該電容器會產(chǎn)生明顯的聲音噪聲。要使這樣的板靜音,可以使用Murata和Kemet等制造商的聲學靜音電容器。
2021-10-25
電容器 噪聲
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帶有快速體二極管的MOSFET器件通過LLC拓撲和FREDFET來提高效率
鑒于全球能源危機,當前電子設備的重點是實現(xiàn)高功率與低能耗的結合。因此,許多電子公司都在提高其眾多產(chǎn)品規(guī)格中的效率標準。然而,常規(guī)的硬開關轉(zhuǎn)換器幾乎無法滿足這些要求。
2021-10-24
快速體二極管 MOSFET器件 LLC拓撲 FREDFET
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聚焦2021CISES,愛芯元智仇肖莘詳解AI技術為ISP發(fā)展帶來新轉(zhuǎn)機
近日,為期兩天的中國國際半導體高層峰會(CISES)在上海成功舉辦,作為全球規(guī)模最大的半導體制造產(chǎn)業(yè)年度盛會之一,峰會聚焦行業(yè)發(fā)展新動態(tài)、新趨勢、新產(chǎn)品,致力于為業(yè)界高端決策者及重要人士提供國際性合作交流平臺,使其快速了解主要市場和政府對半導體制造業(yè)的未來規(guī)劃,拓展更加廣闊的商業(yè)平...
2021-10-21
愛芯元智 AI技術 ISP
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瑞薩推出Renesas Ready合作伙伴網(wǎng)絡 為廣泛的MCU產(chǎn)品線提供商業(yè)級構建模塊
2021 年 10 月 20 日,日本東京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子集團(TSE:6723)今日宣布,推出全球化技術合作伙伴網(wǎng)絡——“Renesas Ready合作伙伴網(wǎng)絡(Renesas Ready Partner Network)”,為廣泛的MCU產(chǎn)品線提供商業(yè)級構建模塊。該網(wǎng)絡所帶來的廣泛解決方案面向下一代物聯(lián)網(wǎng)設計所需的重要...
2021-10-21
瑞薩 Renesas Ready合作伙伴網(wǎng)絡 MCU
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前端放大器中使用ESD二極管作為電壓鉗的設計
在輸入不受系統(tǒng)控制而是連接到外部世界的許多應用中,例如測試設備、儀器儀表和一些傳感設備,輸入電壓可能會超過前端放大器的ZD額定電壓。在這些應用中,必須實施保護方案以保持設計的生存范圍和穩(wěn)健性。
2021-10-20
前端放大器 ESD二極管 電路設計
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