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電路保護(hù)

揭秘?zé)嵩O(shè)計(jì)集成電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵密碼

本文將帶您深入探討設(shè)計(jì)工程師在熱設(shè)計(jì)過程中需要關(guān)注的一些關(guān)鍵問題。具體來說，我們將聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題。

2024-06-13

熱設(shè)計(jì) 集成電路設(shè)計(jì)

貿(mào)澤新一期EIT系列帶你了解軟件定義車輛的Zonal架構(gòu)

隨著汽車技術(shù)采用的電子元器件數(shù)量不斷增加，設(shè)計(jì)人員開始采用Zonal架構(gòu)來充分提升各個(gè)子系統(tǒng)的效率，同時(shí)能夠更輕松地管理整車的硬件和軟件棧。專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布推出新一期Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)...

2024-06-13

貿(mào)澤 EIT系列車輛 Zonal架構(gòu)

凱澤斯勞滕理工大學(xué)通過全新DDS固件選項(xiàng)加速量子計(jì)算機(jī)開發(fā)進(jìn)程

中國(guó)北京，2024年6月12日訊 —— 創(chuàng)建量子計(jì)算機(jī)（QC）的方法有很多，凱澤斯勞滕理工大學(xué)在Rymax One合作中采用的方法就是創(chuàng)建一個(gè)由單個(gè)原子組成的陣列，并將這些原子作為量子位使用。然而，其挑戰(zhàn)在于每個(gè)原子的定位必須十分精準(zhǔn)。因此，凱澤斯勞滕理工大學(xué)使用了激光，并將每個(gè)原子都有效地鎖定在...

2024-06-12

全新DDS固件

MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解

MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說明書中提供。

2024-06-08

MOSFET 器件高壓CV IGBT BJT

紅頭文件！關(guān)于邀請(qǐng)參加第十二屆中國(guó)（西部）電子信息博覽會(huì)的通知

第十二屆中國(guó)（西部）電子信息博覽會(huì)將于2024年7月17日至19日在成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心7、8、9號(hào)館盛大舉辦。本屆博覽會(huì)以展示西部地區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果和新場(chǎng)景為核心，形成了一條從成果展示到應(yīng)用技術(shù)，再到基礎(chǔ)元器件與集成電路的完整展覽主線。

2024-06-07

電子信息博覽會(huì) 基礎(chǔ)元器件集成電路以太網(wǎng)供電

跨電感電壓調(diào)節(jié)器的多相設(shè)計(jì)、決策和權(quán)衡

最近推出的跨電感電壓調(diào)節(jié)器(TLVR)在多相DC-DC應(yīng)用中頗受歡迎，這些應(yīng)用為CPU、GPU和ASIC等低壓大電流負(fù)載供電。這一趨勢(shì)主要基于該技術(shù)出色的瞬態(tài)性能。TLVR還支持靈活的設(shè)計(jì)和布局，但有幾個(gè)缺點(diǎn)。本文闡述了TLVR設(shè)計(jì)選擇如何影響性能參數(shù)，并討論了相關(guān)權(quán)衡。

2024-06-06

跨電感電壓調(diào)節(jié)器

電子保險(xiǎn)絲如何助力軟件定義車輛的區(qū)域架構(gòu)革新

在過去十年中，汽車行業(yè)經(jīng)歷的最大變革在于軟件定義車輛的興起。傳統(tǒng)的車輛設(shè)計(jì)中，針對(duì)如動(dòng)力總成系統(tǒng)或信息娛樂系統(tǒng)等特定功能，均配備有專用的硬件子系統(tǒng)。為了滿足車型快速升級(jí)的需求，通過構(gòu)建模塊化、靈活的子系統(tǒng)（也稱為“區(qū)域”）來統(tǒng)一整合多種功能，變得更為經(jīng)濟(jì)高效。現(xiàn)代汽車設(shè)計(jì)不再局...

2024-06-05

電子保險(xiǎn)絲車輛區(qū)域架構(gòu)

超結(jié)MOS在全橋電路上的應(yīng)用

全橋電路廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，如開關(guān)電源、變頻器、逆變器、電動(dòng)汽車、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域。在電路中，全橋電路可以使直流電轉(zhuǎn)換成交流電；在電機(jī)控制中，全橋電路可用于變頻調(diào)速和正弦波控制。

2024-06-03

超結(jié)MOS 全橋電路

ADI氮化鎵功率元件和工具為設(shè)計(jì)帶來了機(jī)會(huì)

氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體在 20 世紀(jì) 90 年代初首次作為高亮度藍(lán)色發(fā)光二極管 (LED) 投入商業(yè)應(yīng)用，隨后成為藍(lán)光光盤播放器的核心技術(shù)。自此以后雖已取得長(zhǎng)足進(jìn)步，但在將近二十年后，該技術(shù)才因其高能效特性而在場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 上實(shí)現(xiàn)商業(yè)可行性。

2024-05-26

ADI 氮化鎵功率元件