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GTAT和安森美簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議
2020年3月18日 — GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布執(zhí)行一項(xiàng)為期五年的協(xié)議，總價(jià)值可達(dá)5,000萬美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長(zhǎng)市場(chǎng)和應(yīng)用。
2020-03-18
GTAT 安森美 碳化硅 材料 協(xié)議
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MOS管和IGBT管到底區(qū)別在哪？該如何選擇？
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-18
MOS管 IGBT管 半導(dǎo)體器件
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萬用表如何測(cè)量漏電？如何區(qū)分火線和零線
要想測(cè)量漏電，首先要弄清楚什么是漏電，發(fā)電廠那邊輸出的是三相交流電，中性點(diǎn)是直接接地的，零線和地線直接短接到一個(gè)點(diǎn)上，和大地是等電位的。
2020-03-17
萬用表 火線 零線
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-03-13
氮化鎵 硅 高頻電源 設(shè)計(jì)
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高密度混合電力電容器：能源競(jìng)賽的新方向
一家總部位于比利時(shí)的公司表示：“電力電容器”（Power Capacitors）能夠存儲(chǔ)比傳統(tǒng)鋰電池更多的電量，而且具備更高的充電/放電率，更大范圍的安全工作溫度、超長(zhǎng)的使用壽命，而且不存在爆炸的風(fēng)險(xiǎn)。目前公司正在進(jìn)行相關(guān)的測(cè)試。
2020-03-12
高密度 電力電容器 能源競(jìng)賽
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三種PD整流器拓?fù)?，減少以太網(wǎng)供電系統(tǒng)電力損耗
對(duì)于工業(yè)IoT中的許多應(yīng)用，包括聯(lián)接的照明設(shè)備，以太網(wǎng)供電（PoE）是一種首選技術(shù)，可在供電設(shè)備（PSE）和受電設(shè)備（PD）之間提供安全可靠的功率傳輸。
2020-03-04
整流器 拓?fù)?nbsp; 以太網(wǎng) 供電系統(tǒng) 電力損耗
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實(shí)現(xiàn)工業(yè)自動(dòng)化和太陽能逆變器小型化的隔離器件解決方案
工業(yè)自動(dòng)化和太陽能逆變器設(shè)備制造商正面臨著巨大的壓力，既要縮小尺寸以節(jié)約成本，同時(shí)還要滿足新安全標(biāo)準(zhǔn)有關(guān)電子隔離組件提供更大的爬電距離和間隙距離的要求，而工程師們憑借現(xiàn)有的隔離組件無法同時(shí)實(shí)現(xiàn)這兩個(gè)目標(biāo)。本白皮書將分析這些行業(yè)趨勢(shì)背后的一些原因，并介紹全新的瑞薩電子 RV1S92xxA...
2020-03-01
工業(yè)自動(dòng)化 太陽能逆變器 隔離器件 解決方案
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圖文并茂，手把手教繞制高頻變壓器！
特別注意：繞制方法為網(wǎng)上下載，其中變壓器繞制方法是對(duì)的，但其中存在著很多問題（比如，正規(guī)變壓器的繞組的頭和尾是要添加鐵氟龍?zhí)坠艿?，每一層之間也得打擋墻增加絕緣，要使變壓器耦合好，通常的做法是三明治繞法，比如，1-3先繞35圈 然后10-9，然后3-2繞35圈，然后繞5-4Vcc繞組），只當(dāng)做新手教...
2020-02-14
高頻變壓器 DIY
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分享：超詳細(xì)的搖表使用方法圖解
手搖絕緣兆歐表又稱搖表。它的刻度是以兆歐(MΩ)為單位的。兆歐表由中大規(guī)模集成電路組成。以下將通過圖文的方式為大家更直觀地介紹搖表使用方法。
2020-02-11
搖表 手搖絕緣兆歐表
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