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RS推出1200種三洋半導體產品
RS Components宣布,通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋(SANYO)半導體公司的1200類半導體產品。
2010-03-16
RS 三洋半導體 MOSFET IGBT 晶體管
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中國創(chuàng)新進一步開拓新光源 迎接全LED時代
全界各地在LED技術的應用漸趨多元化,反映產品的普及與認可程度日增,業(yè)內人士預料,LED產業(yè)有望急速發(fā)展。按照目前的增長速度估計,料年內全國LED產業(yè)產值將超過1500億元人民幣,「全LED時代」有望在2015年到來。
2010-03-16
LED 新光源 路燈 照明
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日本應用物理學會:東工大硅量子點太陽能電池取得新進展
東京工業(yè)大學教授小長井誠研究小組,大幅提高了利用硅量子點的太陽能電池的開放電壓(Voc)及I-V特性形狀因子(FF)數(shù)值。2010年3月10日,該消息是在應用物理學會舉行的2010年春季應用物理學會學術演講會的會前新聞發(fā)布會上宣布的。
2010-03-16
日本 應用物理 硅量子點 太陽能 電池
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ABB為中國太陽能發(fā)電提供技術支持
近日,全球領先的電力和自動化技術集團ABB積極參與中國太陽能開發(fā)利用,為提升國家可再生能源占電力消費比例、改善能源結構做出積極貢獻。
2010-03-15
ABB 太陽能 發(fā)電 新能源 可再生能源
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怎樣辨別視頻線的好壞
本文主要介紹視頻線的目測外觀鑒別,傳輸性能測試
2010-03-15
視頻線 電纜 SYV電纜
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術革命
GaN技術平臺開創(chuàng)行業(yè)先河,是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質外延技術,經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關的器件制造工藝,完全符合IR具備成本效益的硅制造設施,可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發(fā)并量產SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下,敝社以往的產品在裝載時,基板與脈沖變壓器是先通過手動方式進行配線處理。然后,為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產品,可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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中國制定太陽能光伏政策要考慮國情
對半導體產業(yè)來說,在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢,即半導體產業(yè)的發(fā)展主要是由消費者來推動的,消費者是真正的推動力。現(xiàn)在半導體市場的發(fā)展很大程度上依賴于手持設備,比如智能手機、運行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產品等。只有消費者和企業(yè)喜歡購買有吸引力的IT設備和有特色的產品,才能促...
2010-03-15
應用材料 太陽能 光伏 政策
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術,是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領先的RDS(on),在4.5V Vgs下,最高僅為1.2m?,顯著降低了手工工具等直流電機驅動應用的傳導損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術 導通電阻
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