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測試測量

電容觸控面板夯玻璃比重高

蘋果推出iPhONe、iPad帶動觸控面板風(fēng)潮，也引領(lǐng)新的投射電容式觸控面板技術(shù)加溫，臺灣工業(yè)技術(shù)研究院產(chǎn)業(yè)分析師賴彥中指出，投射電容式觸控面板采玻璃當(dāng)基板比重高達(dá)9成。

2010-09-27

電容觸控電阻觸控玻璃

德圖參加第九屆潔凈室研討會世博高峰論壇
——共同打造低碳潔凈室

2010年9月14日，由ACT雅時國際商訊《潔凈室》雜志與上海市室內(nèi)環(huán)境凈化協(xié)會、遠(yuǎn)大中央空調(diào)有限公司共同舉辦的第九屆潔凈室研討會暨產(chǎn)品展示(9th CleanRooms China Conference & Products Display 2010)在上海隆重舉行。

2010-09-27

德圖潔凈室研討會低碳潔凈室

LR8400-21：日置HIOKI 推出數(shù)據(jù)記錄儀用于空調(diào)壓縮機(jī)的各種數(shù)據(jù)讀取

日置HIOKI 推出數(shù)據(jù)記錄儀。繼前兩期陸續(xù)推出新品之后，本期將向大家介紹其中一款在不同領(lǐng)域中的應(yīng)用案例，以幫助廣大新老客戶更好的認(rèn)識我們的新產(chǎn)品。

2010-09-27

LR8400-21 數(shù)據(jù)記錄儀電流測量電流記錄數(shù)據(jù)讀取傳感器開發(fā)

中國載人航天采用北京元六鴻遠(yuǎn)的獨石電容

北京元六鴻遠(yuǎn)電子技術(shù)有限公司帶來了曾在中國“神舟X號”載人飛船上經(jīng)過實際驗證的獨石電容，其耐壓高達(dá)2000V，工作溫度范圍可從-55℃到+125℃，容量范圍在10PF到10uF（比一般瓷介電容器大），獨石電容的特點是溫度特性好，頻率特性好。一般電容隨著頻率的上升,電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律，但獨石電容下降比...

2010-09-27

航天元六鴻遠(yuǎn) 獨石電容

MEMS加速汽車電子產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展

在二十世紀(jì)90年代早期，汽車安全氣囊系統(tǒng)就開始大量采用MEMS加速度計。在其后的十年中，MEMS技術(shù)的第二次應(yīng)用浪潮被掀起。期間，MEMS技術(shù)被大量應(yīng)用，產(chǎn)品種類逐漸增多，相關(guān)技術(shù)被應(yīng)用到各行各業(yè)。第二代技術(shù)和產(chǎn)品取代了前者，并很快成為主流。據(jù)統(tǒng)計，汽車傳感器市場在2009年規(guī)模就達(dá)到了25億美...

2010-09-27

MEMS 汽車電子傳感器

2012年Wi－Fi將跨入千兆時代

Wi-Fi聯(lián)盟技術(shù)總監(jiān)Greg　Ennis表示，802.11ac 和802.11ad是Wi-Fi聯(lián)盟的四大未來項目之一，目標(biāo)是在保證覆蓋范圍不降低的前提下，以Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率實現(xiàn)5GHz以下的極高流量。 Wi-Fi設(shè)備廠商Aruba中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)王躍霖告訴《IT時報》記者，802.11ac和820.11ad的標(biāo)準(zhǔn)會大大提升Wi-Fi傳輸速率，新興...

2010-09-27

Wi-Fi 千兆時代博通

WSLP0805：Vishay推出0.5W檢流電阻適用于電子車用系統(tǒng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻 --- WSLP0805。該器件是業(yè)界首款采用緊湊的0805封裝的0.5W檢流電阻，具有10mΩ～50mΩ的超低阻值范圍，高溫性能高達(dá)+170℃。

2010-09-26

WSLP0805 檢流電阻電子車用系統(tǒng) 電流檢測

日立公司研發(fā)出更薄的觸摸液晶顯示屏適用于智能手機(jī)

日立公司24日宣布，該公司已經(jīng)成功研發(fā)出融合了觸摸面板及液晶面板特性于一體的新型觸摸液晶顯示屏。新型觸摸液晶顯示屏在厚度上較市場原有顯示屏變薄了30%，上述新型顯示屏計劃在2011年下半年開始實現(xiàn)量產(chǎn)，預(yù)計將廣泛應(yīng)用于更輕薄的移動手機(jī)以及新型智能手機(jī)當(dāng)中。

2010-09-26

觸摸液晶顯示屏變薄30% 移動手機(jī) 智能手機(jī)

CMOS迎來轉(zhuǎn)折點從15nm向立體晶體管過渡

邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達(dá)到量產(chǎn)水平時迎來重大轉(zhuǎn)折點。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電（TSMC）等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計也會對各公司的微細(xì)化競爭...

2010-09-26

CMOS 晶體管 15nm工藝立體