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“三網(wǎng)融合”塵埃落定 真正贏家將是老百姓
“三網(wǎng)融合”名為利益格局的重整,實(shí)為以前各自封閉的廣電和電信領(lǐng)域引入了新的競(jìng)爭者。不管廣電、電信和互聯(lián)網(wǎng)的利益格局如何,真正的贏家將是老百姓。
2010-06-22
三網(wǎng)融合 電信 互聯(lián)網(wǎng)
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第一季度筆記本電腦出貨金額增1.7%
根據(jù)DisplaySearch最新調(diào)查結(jié)果表示,2010年第一季度筆記本電腦出貨金額達(dá)311億美金,這是自2008年第三季以來最高單季出貨紀(jì)錄,當(dāng)時(shí)筆記本電腦均價(jià)較目前高出20%。除了取代臺(tái)式電腦的筆記本電腦(Desktop Replacement)均價(jià)下降外,其它應(yīng)用領(lǐng)域如上網(wǎng)本/平板電腦(netbook PC/ slate),與超可攜...
2010-06-22
筆記本 電腦 上網(wǎng)本 平板電腦 超可攜式電腦
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3G終端初具規(guī)模 智能手機(jī)權(quán)重加大
中國3G市場(chǎng)運(yùn)營一年有余,在三大運(yùn)營商的引導(dǎo)和產(chǎn)業(yè)鏈的共同努力下,不僅解決了3G終端質(zhì)量的硬傷,而且基于3G的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)蓬勃發(fā)展,3G終端的市場(chǎng)占有率穩(wěn)步提升。在剛剛結(jié)束的第八屆國際手機(jī)產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇(中國.天津)上,三大運(yùn)營商及主要終端廠商齊聚天津,通過分析一年來3G終端市場(chǎng)的運(yùn)...
2010-06-22
3G 終端 智能手機(jī)
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2010年歐洲無線基礎(chǔ)設(shè)施支出預(yù)計(jì)小幅增長
據(jù)iSuppli公司,2010年歐洲移動(dòng)運(yùn)營商在無線基礎(chǔ)設(shè)施方面的投資將略有增長,符合當(dāng)前的謹(jǐn)慎心態(tài)。同時(shí),運(yùn)營商尋找可行的創(chuàng)收模式,讓其網(wǎng)絡(luò)中急劇增長的數(shù)據(jù)流量發(fā)揮效益。
2010-06-22
歐洲 無線基礎(chǔ)設(shè)施 增長 iSuppli
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BGA封裝的焊球評(píng)測(cè)
BGA和CSP等陣列封裝在過去十年里CAGR已增長了近25%,預(yù)計(jì)還將繼續(xù)維持此增長率。同時(shí),器件封裝更加功能化,具有更高的I/O數(shù)量,更細(xì)的節(jié)距。但是好的焊球是什么樣一個(gè)標(biāo)準(zhǔn),如何才能做好是很多初學(xué)者的疑問,請(qǐng)看本文為你的分析
2010-06-21
BGA封裝 焊球 評(píng)測(cè) HJTECH
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可制造性設(shè)計(jì)
PCB可制造性設(shè)計(jì)分析(DFM系統(tǒng))是一個(gè)促進(jìn)生產(chǎn)力的強(qiáng)大工具。它能促使你在毫無損失的情況下使設(shè)計(jì)更加小型化,降低產(chǎn)品上市時(shí)間并信心十足地在全球制造趨勢(shì)中獲利受益。如果不使用DFM,則你可能面臨高成本、高風(fēng)險(xiǎn)的巨大挑戰(zhàn)。不信,那么請(qǐng)仔細(xì)的閱讀本文
2010-06-21
可制造性 DFM PCB設(shè)計(jì) 新產(chǎn)品導(dǎo)入(NPI)
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無塵室電纜集塵問題研究
對(duì)于潔凈室環(huán)境來說,電纜拖鏈中的電纜集塵是一個(gè)復(fù)雜的問題。為了盡量減少集塵,需要盡可能地避免電纜以及套管之間的摩擦。盡管通過減少運(yùn)動(dòng)器件可以減少集塵,但是自動(dòng)生產(chǎn)線上電纜的運(yùn)動(dòng)不可避免。本文對(duì)無塵室電纜拖鏈中的電纜集塵問題進(jìn)行研究,幫組大家解決這個(gè)問題
2010-06-21
無塵室 電纜 集塵問題 潔凈室
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半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
電容-電壓(C-V)測(cè)試廣泛用于測(cè)量半導(dǎo)體參數(shù),尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外,利用C-V測(cè)量還可以對(duì)其他類型的半導(dǎo)體器件和工藝進(jìn)行特征分析,包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機(jī)TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導(dǎo)體器件。本文為...
2010-06-21
半導(dǎo)體 C-V測(cè)量 MOSFET JFET
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示:技術(shù)升級(jí),將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加,帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資,NAND 記憶體制造商支出增加,以及升級(jí)至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體,皆為主要的投資成長動(dòng)能。
2010-06-21
半導(dǎo)體 設(shè)備產(chǎn)業(yè) Gartner
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