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測試測量

振興規(guī)劃作用，推動電子信息產(chǎn)業(yè)走出低谷

伴隨著“家電下鄉(xiāng)”，“汽車下鄉(xiāng)”、調(diào)整出口退稅稅率等政策相繼實施，振興規(guī)劃對電子信息產(chǎn)業(yè)的提振效應(yīng)開始顯現(xiàn)。賽迪顧問研究數(shù)據(jù)顯示，從2009年4月起，電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟運行開始出現(xiàn)企穩(wěn)跡象，主營收入降幅趨緩，并逐漸開始走出低谷。

2009-10-27

電子信息通信元器件

揚智科技攜M7108系列在深圳成立中國大陸區(qū)總部

揚智科技于深圳成立中國大陸區(qū)總部，力拓全新多媒體生活，深耕中國大陸市場，豐富消費電子應(yīng)用。

2009-10-26

IC 揚智科技機頂盒 M7108系列

電源變換器中電流/電壓模式相互轉(zhuǎn)化分析

本文先簡單的介紹了電流模式和電壓模式的工作原理和這兩種工作模式它們各自的優(yōu)缺點；然后探討了理想的電壓模式利用輸出電容ESR取樣加入平均電流模式和通過輸入電壓前饋加入電流模式的工作過程。也討論了電流模式在輸出輕載或無負載時，在使用大的電感或在占比大于0.5加入斜坡補償后，系統(tǒng)會從電流...

2009-10-26

變換器電流/電壓模式轉(zhuǎn)化

基于漏極導(dǎo)通區(qū)特性理解MOSFET開關(guān)過程

本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中，功率MOSFET動態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在跨越恒流區(qū)時，功率MOSFET漏極的電流和...

2009-10-26

MOSFET 關(guān)斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū)

理解功率MOSFET的開關(guān)損耗

本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對應(yīng)的Qg，Qds和Qgs在開關(guān)過程中對開關(guān)損耗的影響。基于在理想狀態(tài)下，用工程簡化方式計算出MOSFET在開關(guān)過程中不同階段的開關(guān)損耗，并分析出Crss及相對應(yīng)的Qgd對于MOSFET管的開關(guān)損耗起主導(dǎo)作用。然后，論述了在實際狀態(tài)下，Coss對開通和關(guān)斷過程...

2009-10-26

米勒電容開關(guān)損耗零電壓開關(guān)

基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化的驅(qū)動電路

功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點，因此在開關(guān)電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實際的設(shè)計過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計，導(dǎo)致在實際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定...

2009-10-26

MOSFET 驅(qū)動電路

帶有內(nèi)置ESD保護的MOSFET

CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強模式MOSFET，帶有內(nèi)置的2kV ESD保護。它帶有兩個獨立的50V，280mA的MOSFET，在每個器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)在50mA，1.8V時是3.0歐姆

2009-10-26

CMLDM7003 MOSFET ESD保護

3390:HIOKI最新功率分析儀

從地球環(huán)境保護的角度來看的話，和功率測量相關(guān)的需求及期待越來越大。太陽能發(fā)電和電動車（EV）的推廣、以及智慧型電網(wǎng)的構(gòu)想等措施都將促進功率計的性能和功能的發(fā)展。本文特別將EV用馬達和變頻器的功率測量為例，通過日置電機針對支持高效控制系統(tǒng)的研發(fā)而開發(fā)的“功率分析儀3390”，來介紹近期功...

2009-10-26

HIOKI 功率分析儀 3390