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ICKey(云漢芯城)元器件采購平臺將參加2014慕尼黑上海電子展
日前,據(jù)ICKey電子元器件一站式搜索采購平臺相關(guān)負(fù)責(zé)人透露,ICKey將參加今年的慕尼黑上海電子展(展位:W1館1274展臺)。
2014-02-25
慕尼黑上海電子展
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Xilinx推出全新汽車級器件
賽靈思今天宣布針對汽車應(yīng)用進(jìn)一步擴展其Artix?-7 現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)系列。全新符合 AEC-Q100 質(zhì)量認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的Artix FPGA系列,可為高級駕駛員輔助系統(tǒng)、車載 信息 娛樂 系統(tǒng)和 駕駛員 信息系 統(tǒng)提供業(yè) 界一流的單位功耗性能。同時也進(jìn)一步擴展了其All Programmable Artix-7 FPGA 產(chǎn)品系列。
2014-02-25
Xilinx 汽車級器件
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SOTI MobiControl幫助廠商克服安卓企業(yè)應(yīng)用障礙
SOTI MobiControl 安卓加技術(shù)幫助逾35家 OEM 廠商克服安卓企業(yè)應(yīng)用障礙。-- SOTI 的安卓 OEM 合作伙伴同比增長300%,擴大到超過35家安卓設(shè)備制造商,為企業(yè)安全使用安卓系統(tǒng)鋪平道路。
2014-02-25
SOTI MobiControl 安卓企業(yè)應(yīng)用
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創(chuàng)杰最省電藍(lán)牙4.1雙模芯片進(jìn)入量產(chǎn)
創(chuàng)杰科技最新藍(lán)牙4.1雙模KleanWire TM IS2000系列產(chǎn)品,主打高階應(yīng)用且性價比高,可協(xié)助開發(fā)商進(jìn)行各種創(chuàng)新開發(fā),未來公司將持續(xù)推出低耗能、高整合度的世界級藍(lán)牙解決方案,目標(biāo)成為全球藍(lán)牙芯片領(lǐng)導(dǎo)大廠。
2014-02-25
創(chuàng)杰 電藍(lán)牙 雙模芯片
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R&S TS8980終端一致性測試系統(tǒng)榮獲GTI創(chuàng)新獎
今年,羅德與施瓦茨公司的R&S?TS8980終端一致性測試系統(tǒng)剛剛榮獲業(yè)界廣泛推崇的GTI(Global TD-LTE Initiative)2014創(chuàng)新大獎。R&S?TS8980可用于手機智能終端、手持電腦、移動上網(wǎng)卡和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的測試、驗證和認(rèn)證測試。
2014-02-25
R&S 終端一致性測試系統(tǒng) GTI創(chuàng)新獎
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富士通半導(dǎo)體推出擁有1Mb內(nèi)存的全新FRAM器件
富士通半導(dǎo)體成功開發(fā)出擁有1Mb內(nèi)存 (128K字符X 8位)的全新FRAM產(chǎn)品---MB85RC1MT,是所有富士通半導(dǎo)體I2C串行接口產(chǎn)品中最高內(nèi)存容量的產(chǎn)品,且即日起即可為客戶提供樣品。這個產(chǎn)品擁有I2C接口,適用于工廠自動化控制、測驗儀器及工業(yè)設(shè)備。
2014-02-25
富士通 FRAM器件
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體積更小存儲容量更大新型的全息存儲器亮相
最近來自美國加州大學(xué)河濱伯恩斯工程學(xué)院和俄羅斯科學(xué)院研究人員演示了一種新型的全息存儲器,結(jié)合了磁性數(shù)據(jù)存儲和波基礎(chǔ)的信息傳輸兩者的優(yōu)點,能為電子設(shè)備帶來前所未有的數(shù)據(jù)存儲和處理能力。全息技術(shù)是一種涉及面非常廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,是利用干涉和衍射原理記錄并再現(xiàn)物體真實的三維圖像的記錄...
2014-02-25
存儲器 體積小 容量大
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【視頻】四分鐘視頻輕松搞定高速SerDes端口設(shè)計
菜鳥如何搞定高速SerDes端口設(shè)計?4分鐘教程視頻幫你解決難題。如果你是一個菜鳥,要在你的設(shè)計中使用并優(yōu)化SerDes端口,那這個關(guān)于高速互連挑戰(zhàn)的4分鐘教程正對你的胃口。
2014-02-25
SerDes端口設(shè)計 賽靈思 FPGA
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e絡(luò)盟誠邀各界參加首屆無線電源的中國工程師在線研討會
e絡(luò)盟誠邀各界參加2014年3月19日舉辦首屆中國在線研討會,研討會主題為無線電源與非接觸式充電技術(shù)的應(yīng)用,屆時,將由來自德州儀器以及伍爾特電子的專家發(fā)表演講。
2014-02-24
e絡(luò)盟 在線研討會
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- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
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