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測試測量

“高帥富”鼠標(biāo)內(nèi)部是什么模樣？NOPPOO專業(yè)游戲鼠標(biāo)拆解

作為一款高端定位的專業(yè)游戲鼠標(biāo)，Noppoo Alien Frog鼠標(biāo)吸引了很多人的眼球：采用了全右手人體工學(xué)設(shè)計，光電感應(yīng)口，采用游戲引擎，配合專門驅(qū)動程序5個自定義按鈕，支持XY軸靈敏度單獨(dú)調(diào)節(jié)……這樣一款鼠標(biāo)，它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)怎樣？用了哪些零件？拆解一下就都明白了。

2013-08-22

鼠標(biāo) 鼠標(biāo)拆解拆解游戲鼠標(biāo)拆解

高性價比的秘密！5寸四核千元機(jī)索尼S39h拆解

索尼的品牌和品質(zhì)都是有口皆碑的，而作為索尼首款千元機(jī)，索尼S39h自然是有很強(qiáng)的吸引力的，雖然上市時間不長，但銷量卻非常出色。那么這款主打中低端市場的產(chǎn)品，是否能傳承索尼以往的水準(zhǔn)呢？一起來看看吧！

2013-08-22

拆解索尼手機(jī)

DIY：手把手教你自制LED球泡燈

近來，某寶客發(fā)布了許多3元包郵的LED燈，價格倒是便宜，可惜的是設(shè)置了許多條件，限時、限號、限數(shù)、限送…既然買不到，不如自己動手來做。所有材料準(zhǔn)備齊全，隨電子元件技術(shù)網(wǎng)一起DIY閃亮的LED球泡燈吧！

2013-08-22

LED 球泡燈 DIY

安森美半導(dǎo)體全球銷售及營銷執(zhí)行新副總裁Paul Rolls

近日，Paul Rolls被擢升為安森美半導(dǎo)體全球銷售及營銷執(zhí)行副總裁。Paul是一位公認(rèn)的領(lǐng)導(dǎo)人才，擁有豐富的半導(dǎo)體行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。Rolls先生履新后，將領(lǐng)導(dǎo)公司銷售、渠道銷售、公司營銷、定價及客戶服務(wù)等部門。

2013-08-21

安森美半導(dǎo)體新副總裁 Paul Rolls

新降壓-升壓型充電泵LTC3245提供高可靠性和MP級溫度范圍

低噪聲、250mA、寬 VIN 范圍的降壓-升壓型充電泵，現(xiàn)可提供高可靠性和MP級溫度范圍。低工作電流和很少的外部器件數(shù)目，使LTC3245非常適用于低功率和空間受限的汽車應(yīng)用、工業(yè)內(nèi)務(wù)處理電源及高效的低功耗12V至5V轉(zhuǎn)換。

2013-08-21

Linear 降壓-升壓型充電泵充電泵 LTC3245

纖巧4A降壓型μModule穩(wěn)壓器LTM4624占板面積不足1cm<sup>2</sup>

纖巧4A降壓型μModule穩(wěn)壓器LTM4624占板面積不足1cm²

凌力爾特推出纖巧4A降壓型μModule穩(wěn)壓器LTM4624，完整解決方案的占板面積不足1cm2。LTM4624 可在4V至14V的輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)作，提供一個0.6V至5.5V的可調(diào)輸出，非常適合通信、存儲、工業(yè)和醫(yī)療系統(tǒng)等應(yīng)用。

2013-08-21

Linear μModule 穩(wěn)壓器 LTM4624

美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT

近日，美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT，快速高效的40A、70A和95A晶體管提供業(yè)界最佳的開關(guān)損耗性能。專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。

2013-08-21

美高森美 NPT IGBT IGBT

安捷倫教你：輕松應(yīng)對多標(biāo)準(zhǔn)無線電基站發(fā)射機(jī)測試挑戰(zhàn)

在下一代基站發(fā)射機(jī)和接收機(jī)中，GSM、W-CDMA 和 LTE 多載波可以同時從一個多標(biāo)準(zhǔn)無線電基站單元進(jìn)行傳輸，但采用多標(biāo)準(zhǔn)無線電多載波配置使得對多標(biāo)準(zhǔn)無線電基站發(fā)射機(jī)進(jìn)行測試面臨巨大的挑戰(zhàn)。為確保多標(biāo)準(zhǔn)無線電基站的順利部署，有必要通過一種快速、高效的途徑來應(yīng)對測量挑戰(zhàn)。

2013-08-21

基站發(fā)射機(jī)測試基站發(fā)射機(jī) 多標(biāo)準(zhǔn)無線電基站安捷倫 LTE

原創(chuàng)深挖：各種開關(guān)電源功率MOSFET損壞的原因和形態(tài)

工程師們將損壞的功率MOSFET送到半導(dǎo)體原廠做失效分析后，得到的結(jié)論通常是過電性應(yīng)力EOS，卻無法判斷是什么原因?qū)е翸OSFET的損壞。功率MOSFET損壞有哪些原因和形態(tài)？一牛人拍下了功率MOSFET不同損壞形態(tài)的失效分析圖片，結(jié)合功率MOSFET管的工作特性，系統(tǒng)的分析開關(guān)電源功率MOSFET各種損壞模式，還...

2013-08-21

開關(guān)電源功率MOSFET MOSFET MOSFET損壞