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安防監(jiān)控

日本對鋁電容器的需求仍然走高

盡管沒有3月11日地震之后的四月份的需求量高，但是記錄顯示，日本對鋁電容器的需求仍然走高。根據(jù)該行業(yè)報(bào)道，一些臺灣制造商將繼續(xù)跨過對其客戶的生產(chǎn)成本增加，對鋁箔等上游產(chǎn)品的需求量仍然得不到滿足，影響到一些高端產(chǎn)品部件的生產(chǎn)力...

2011-06-10

鋁電容鋁電容器電子元器件

6項(xiàng)傳感器國家標(biāo)準(zhǔn)或于下半年向國標(biāo)委報(bào)批

傳感器網(wǎng)絡(luò)國家標(biāo)準(zhǔn)工作組秘書長張暉在近日舉行的2011年中國國際物聯(lián)網(wǎng)博覽會--物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)化論壇上表示，預(yù)計(jì)下半年正式向國標(biāo)委報(bào)批6項(xiàng)傳感器國家標(biāo)準(zhǔn)。

2011-06-10

傳感器傳感器網(wǎng)絡(luò)標(biāo)準(zhǔn) 傳感器網(wǎng)絡(luò)

提高柔性基板的可靠性，Seiren和富士膠片分別展示基板技術(shù)

Seiren和富士膠片開發(fā)出了提高柔性基板彎曲強(qiáng)度的技術(shù)，并在“JPCA Show 2010（第41屆國際電子電路產(chǎn)業(yè)展）”上分別進(jìn)行了展示。Seiren開發(fā)的是通過強(qiáng)化與柔性基板的粘合性來提高布線圖形可靠性的技術(shù)，富士膠片開發(fā)的是高可靠性柔性基板材料技術(shù)。

2011-06-10

seiren 富士膠片基板

高速PCB中電源完整性的設(shè)計(jì)

隨著PCB設(shè)計(jì)復(fù)雜度的逐步提高,對于信號完整性的分析除了反射,串?dāng)_以及EMI之外,穩(wěn)定可靠的電源供應(yīng)也成為設(shè)計(jì)者們重點(diǎn)研究的方向之一。本文提出了PCB板中電源完整性問題的產(chǎn)生,分析了影響電源完整性的因素并提出了解決PCB板中電源完整性問題的優(yōu)化方法與經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì),具有較強(qiáng)的理論分析與實(shí)際工程應(yīng)用價(jià)...

2011-06-09

PCB PCB電路電源電源完整性

臺灣電子業(yè)遭重創(chuàng)，第一季度成績慘淡

5月中旬，以電子科技業(yè)著稱的臺灣電子企業(yè)，紛紛交出了今年第一季度的成績單?？v觀各家成績單，只能用一個字形容：慘！慘的原因有三點(diǎn)。

2011-06-09

臺灣電子電子

物聯(lián)網(wǎng)傳感器進(jìn)口占比80% ，國產(chǎn)化需求凸顯

傳感器是構(gòu)成物聯(lián)網(wǎng)的基礎(chǔ)單元，是物聯(lián)網(wǎng)的耳目，是物聯(lián)網(wǎng)獲取相關(guān)信息的來源。

2011-06-09

物聯(lián)網(wǎng) 傳感器國產(chǎn)化

理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性

本文將詳細(xì)地探討功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，論述功率MOSFET在開關(guān)轉(zhuǎn)化的瞬態(tài)工程中并聯(lián)工作會產(chǎn)生的問題，以糾正傳統(tǒng)認(rèn)識的局限性和片面性。

2011-06-08

功率MOSFET MOSFET RDS(ON)溫度系數(shù)

MIPS科技推出MAD計(jì)劃，助力MIPS-Based產(chǎn)品應(yīng)用程序開發(fā)

美普思科技公司（MIPS Technologies, Inc）日前宣布推出全新 MIPS 應(yīng)用程序開發(fā)（MAD：MIPS Application Development ）計(jì)劃，旨在促進(jìn) MIPS架構(gòu)應(yīng)用程序的快速發(fā)展。該計(jì)劃將提供性能和兼容性測試的技術(shù)支持與服務(wù)，以確保應(yīng)用程序能夠在 MIPS-Based? 設(shè)備上運(yùn)行。通過這項(xiàng)由 MIPS 開發(fā)人員社區(qū)所...

2011-06-08

MIPS MAD MIPS-Based

三菱電機(jī)發(fā)布具有電流測量功能的SiC制MOSFET用于功率模塊

三菱電機(jī)面向過電流保護(hù)電路試制出了具有“電流感測功能”的SiC制MOSFET，并在功率半導(dǎo)體相關(guān)國際學(xué)會 “ISPSD 2011”上進(jìn)行了發(fā)布。這是用于同時(shí)內(nèi)置有驅(qū)動電路和過電流保護(hù)電路的SiC功率模塊的 MOSFET。該模塊此前已經(jīng)公開，但此次是首次公開MOSFET的具體性能。

2011-06-08

三菱電機(jī) 電流測量 SiC MOSFET 功率模塊