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待機(jī)能耗問(wèn)題及其電源解決方案

國(guó)際能源署(IEA)于2000年向全球電器產(chǎn)品生產(chǎn)銷售廠商發(fā)起節(jié)能倡議“1瓦計(jì)劃”，現(xiàn)已經(jīng)得到歐盟、美國(guó)的積極響應(yīng)，到2010年所有出口到這些地區(qū)的電器產(chǎn)品其待機(jī)功耗必須降低到1瓦，這將成為所有已經(jīng)進(jìn)入和試圖進(jìn)入歐美市場(chǎng)的電子產(chǎn)品廠商們新的非關(guān)稅壁壘。本文介紹待機(jī)能耗問(wèn)題及其電源解決方案

2010-07-20

待機(jī)能耗電源 IEA

28nm節(jié)點(diǎn)將引發(fā)全球代工攻堅(jiān)戰(zhàn)

Freeman看到頂級(jí)代工廠正義無(wú)反顧的向40及28nm進(jìn)軍，同時(shí)為爭(zhēng)奪更大的市場(chǎng)份額，而使硅片代工的價(jià)格迅速下降。

2010-07-20

28nm節(jié)點(diǎn) 全球代工 Gartner Dean Freeman

28nm節(jié)點(diǎn)將引發(fā)全球代工攻堅(jiān)戰(zhàn)

Freeman看到頂級(jí)代工廠正義無(wú)反顧的向40及28nm進(jìn)軍，同時(shí)為爭(zhēng)奪更大的市場(chǎng)份額，而使硅片代工的價(jià)格迅速下降。

2010-07-20

28nm節(jié)點(diǎn) 全球代工 Gartner Dean Freeman

安森美半導(dǎo)體向三洋電機(jī)收購(gòu)三洋半導(dǎo)體作為策略交易

安森美半導(dǎo)體公司及三洋電機(jī)株式會(huì)社，近日宣布簽署正式購(gòu)買協(xié)議，涉及安森美半導(dǎo)體以現(xiàn)金及股票交易方式收購(gòu)三洋電機(jī)的附屬公司三洋半導(dǎo)體株式會(huì)社，以及與三洋電機(jī)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)有關(guān)的其它資產(chǎn)，購(gòu)買價(jià)約為3.66億美元（330億日?qǐng)A），可根據(jù)交易條款作出調(diào)整。

2010-07-20

安森美半導(dǎo)體三洋電機(jī) 三洋半導(dǎo)體收購(gòu)

安森美半導(dǎo)體向三洋電機(jī)收購(gòu)三洋半導(dǎo)體作為策略交易

2010-07-20

安森美半導(dǎo)體三洋電機(jī) 三洋半導(dǎo)體收購(gòu)

安森美半導(dǎo)體向三洋電機(jī)收購(gòu)三洋半導(dǎo)體作為策略交易

2010-07-20

安森美半導(dǎo)體三洋電機(jī) 三洋半導(dǎo)體收購(gòu)

Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。

2010-07-20

Vishay Siliconix 500V N MOSFET

低碳經(jīng)濟(jì)和節(jié)能減排成為儀表研發(fā)新方向

低碳經(jīng)濟(jì)”越來(lái)越受到眾人的認(rèn)同，若要實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排的目標(biāo)，就必須對(duì)能源進(jìn)行精確采集、計(jì)量與實(shí)時(shí)監(jiān)控、分析，并對(duì)負(fù)荷進(jìn)行控制，這就要求儀器儀表、尤其是電能計(jì)量?jī)x表和用電自動(dòng)化管理系統(tǒng)產(chǎn)品具備高智能、網(wǎng)絡(luò)化、可靠性強(qiáng)的特點(diǎn)。

2010-07-19

低碳經(jīng)濟(jì) 節(jié)能減排儀表