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移動通信卡：3G時代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經(jīng)濟的進一步轉型，移動通信技術得到迅猛發(fā)展，手機普及率得到迅速提高。2004~2008年，移動電話用戶數(shù)量每年都保持著17%以上的快速增長，截止到2008年底，移動電話用戶數(shù)量已經(jīng)達到6.41億戶，與2004年相比增長了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國移動
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移動通信卡：3G時代的角色變化
伴隨改革開放的深入和經(jīng)濟的進一步轉型，移動通信技術得到迅猛發(fā)展，手機普及率得到迅速提高。2004~2008年，移動電話用戶數(shù)量每年都保持著17%以上的快速增長，截止到2008年底，移動電話用戶數(shù)量已經(jīng)達到6.41億戶，與2004年相比增長了近一倍。
2009-08-21
SIM 3G 中國移動
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FDZ371PZ：飛兆半導體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench?工藝 技術，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費電子 Fairchild 飛兆半導體
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FDZ371PZ：飛兆半導體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench?工藝 技術，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費電子 Fairchild 飛兆半導體
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FDZ371PZ：飛兆半導體1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench?工藝 技術，為手機、醫(yī)療、便攜和消費應用設計人員帶來業(yè)界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。
2009-08-21
FDZ371PZ MOSFET 消費電子 Fairchild 飛兆半導體
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CM6100：CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護設備
California Micro Devices（簡稱"CMD"）今天宣布推出為 USB 2.0 高速接口和低壓差分信號與新興串行接口（如用在手機和其它移動設備中的移動產(chǎn)業(yè)處理器接口）提供雙通道15 kV 保護的低電容靜電放電 (ESD) 設備 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保護
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CM6100：CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護設備
California Micro Devices（簡稱"CMD"）今天宣布推出為 USB 2.0 高速接口和低壓差分信號與新興串行接口（如用在手機和其它移動設備中的移動產(chǎn)業(yè)處理器接口）提供雙通道15 kV 保護的低電容靜電放電 (ESD) 設備 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保護
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CM6100：CMD 面向高速串行接口的低電容靜電放電保護設備
California Micro Devices（簡稱"CMD"）今天宣布推出為 USB 2.0 高速接口和低壓差分信號與新興串行接口（如用在手機和其它移動設備中的移動產(chǎn)業(yè)處理器接口）提供雙通道15 kV 保護的低電容靜電放電 (ESD) 設備 PicoGuard CM6100。
2009-08-21
PicoGuard CM6100 ESD保護
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STB市場增長強勁，高端產(chǎn)品受青睞
據(jù)iSuppli公司，盡管經(jīng)濟危機對電子行業(yè)的整體不利影響仍然存在，但預計2009年全球機頂盒(STB)出貨量將增長到1.367億個，比2008年時的1.312億個增加4.2%。
2009-08-20
iSuppli STB
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