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通信廣電

隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器——穩(wěn)壓與非穩(wěn)壓

低功率隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器尺寸小巧，適用于通信設(shè)備、儀器儀表和工業(yè)電子領(lǐng)域，可以為對空間要求嚴(yán)苛的應(yīng)用場景提供理想的解決方案。RECOM 提供廣泛的 1W 和 2W 隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器供您選擇。本文將介紹這些器件的一些具體應(yīng)用。

2023-10-22

DC/DC轉(zhuǎn)換器穩(wěn)壓非穩(wěn)壓

給SiC FET設(shè)計(jì)PCB有哪些注意事項(xiàng)？

SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導(dǎo)體開關(guān)推出后，功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關(guān)速度和較低的傳導(dǎo)損耗，能夠在各類應(yīng)用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術(shù)相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的...

2023-10-21

SiC FET PCB 注意事項(xiàng)

高級雙波束形成 DAC 使智能微波天線更進(jìn)一步

引導(dǎo)射頻能量越來越成為一項(xiàng)關(guān)鍵的無線電技術(shù)。其原因是在較高的毫米波頻率下，自由空間射頻衰減增加。如果將這些頻率用于增加系統(tǒng)帶寬和數(shù)據(jù)吞吐量，在沒有主動轉(zhuǎn)向方法的情況下，跨信道干擾和丟失鏈路的可能性會增加。

2023-10-20

雙波束 DAC 智能微波天線

使用單輸出柵極驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)高側(cè)或低側(cè)驅(qū)動

在許多隔離式電源應(yīng)用中，功率 MOSFET 通常采用某種形式的橋配置，用于優(yōu)化電源開關(guān)和電源變壓器，從而提高效率。這些橋配置創(chuàng)建了高側(cè) (HS) 和低側(cè) (LS) 兩種開關(guān)類型。UCC277xx、UCC272xx 和 LM510x 系列等專用 HS 和 LS 柵極驅(qū)動器 IC 可在單個(gè) IC 中為 HS 開關(guān)管以及 LS 開關(guān)管提供輸出。

2023-10-20

柵極驅(qū)動器高側(cè)驅(qū)動低側(cè)驅(qū)動

接收器系統(tǒng)噪聲系數(shù)分析

噪聲系數(shù)的一般概念已被系統(tǒng)和電路設(shè)計(jì)人員很好地理解并廣泛使用。特別是，它用于傳達(dá)產(chǎn)品定義者和電路設(shè)計(jì)者的噪聲性能要求，并預(yù)測接收器系統(tǒng)的整體靈敏度。

2023-10-19

接收器系統(tǒng) 噪聲系數(shù)

為敏感電路提供過壓及電源反接保護(hù)！

LTC4365是一款獨(dú)特的解決方案，可精巧和穩(wěn)健地保護(hù)敏感電路免遭意料之外的高電源電壓或負(fù)電源電壓。LTC4365 能隔離高達(dá) 60V 的正電壓和低至 –40V 的負(fù)電壓。只有處于安全工作電源范圍之內(nèi)的電壓被傳送至負(fù)載。僅需的外部有源組件是一個(gè)連接在不可預(yù)知的電源與敏感負(fù)載之間的雙路N溝道MOSFET。

2023-10-19

敏感電路過壓電源反接保護(hù)

利用MPS電源模塊賦能光模塊驅(qū)動數(shù)據(jù)流量

數(shù)據(jù)流量是現(xiàn)代生活的中心。例如，一個(gè)手機(jī)應(yīng)用的安裝包就需要數(shù)千兆字節(jié)的流量；當(dāng)軟件需要多次更新時(shí)，需要連接Wi-Fi；網(wǎng)上購物時(shí)，僅加載單個(gè)頁面就需要消耗數(shù)兆的流量；如果網(wǎng)速不夠快，視頻通話將很容易卡頓。

2023-10-18

光模塊電源模塊數(shù)據(jù)流量

通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備中的電流感測應(yīng)用

本文從電流檢測 (CS) 的角度重新分析了蜂窩無線基礎(chǔ)設(shè)施 (WI) 中的主要電子終端設(shè)備。另外還探討了此類設(shè)備中的幾種 CS 應(yīng)用。電源塊可以集成到 WI 終端設(shè)備中，也可以是獨(dú)立模塊。不管具體的實(shí)現(xiàn)為何，通常都需要一個(gè)智能電源管理系統(tǒng)來為電池充電并在不同的電源之間提供無縫切換。在此類電源管理...

2023-10-17

通信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備電流感測應(yīng)用

Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管的根本優(yōu)勢

氮化鎵功率半導(dǎo)體器件毫無疑問是目前電力電子領(lǐng)域中非常火熱的一個(gè)話題。當(dāng)今占主導(dǎo)有兩種晶體管類型：Normally-off D-mode和Normally-off E-mode 氮化鎵晶體管。當(dāng)人們面臨選擇時(shí)，有時(shí)會難以言明地傾向于使用增強(qiáng)型晶體管。而事實(shí)上，Normally-off D-mode在性能、可靠性、多樣性、可制造性以及實(shí)...

2023-10-17

Normally-off D-Mode 氮化鎵晶體管