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開啟TekHSI高速接口功能，加速波形數(shù)據(jù)遠(yuǎn)程傳輸
自v2.10版本開始TekScope軟件及泰克示波器（如4B系列MSO）引入了TekHSI高速接口技術(shù)，利用該項(xiàng)技術(shù)您可以以最高比SCPI快10倍的速度傳輸波形。這是因?yàn)镾CPI標(biāo)準(zhǔn)的Curve和Curvestream的性能取決于儀器的具體實(shí)現(xiàn)，而TekHSI已經(jīng)過優(yōu)化，專為高性能和可擴(kuò)展性而設(shè)計(jì)。TekHSI采用了優(yōu)化的二進(jìn)制協(xié)議，專...
2024-10-28
TekHSI 高速接口 波形數(shù)據(jù) 遠(yuǎn)程傳輸
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示波器并非千篇一律：ADC 和低本底噪聲為何至關(guān)重要
在工程領(lǐng)域，精度是核心要素。無論是對(duì)先進(jìn)電子設(shè)備執(zhí)行質(zhì)量和性能檢測(cè)，還是對(duì)復(fù)雜系統(tǒng)進(jìn)行調(diào)試，測(cè)量精度的高低都直接關(guān)系到項(xiàng)目的成功與否。這時(shí)，示波器中的垂直精度概念就顯得尤為重要，它衡量的是電壓與實(shí)際被測(cè)信號(hào)電壓之間的一致性。而要實(shí)現(xiàn)高垂直精度，關(guān)鍵在于兩個(gè)因素：一是模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ...
2024-10-27
示波器 ADC 噪聲
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三極管電路輸入電壓阻抗
利用三極管，?搭建單管共射反向放大器，?放大器的增益與多個(gè)因素有關(guān)系，也和輸入阻抗成反比。如何來測(cè)量單管運(yùn)放的輸入阻抗呢？ 下面在 LTspice中通過仿真進(jìn)行測(cè)量。
2024-10-27
三極管電路 輸入電壓 阻抗
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如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件？答案內(nèi)詳~~
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求，被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-27
GaN器件
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羅德與施瓦茨中標(biāo)中國(guó)移動(dòng)RedCap以及Cat1bis一致性測(cè)試系統(tǒng)項(xiàng)目
對(duì)于物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品而言，Cat1bis（單天線Cat1）以其極端簡(jiǎn)化的特性定義面向廣大低復(fù)雜度以及時(shí)延不敏感的應(yīng)用。而RedCap對(duì)標(biāo)準(zhǔn)5G技術(shù)進(jìn)行一定程度的裁剪從而面向較低復(fù)雜度和功耗要求的中高端物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。
2024-10-27
羅德與施瓦茨 中標(biāo) 中國(guó)移動(dòng) 標(biāo)準(zhǔn) 5G 測(cè)試系統(tǒng)
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【“源”察秋毫系列】柔性可穿戴電子設(shè)備材料的導(dǎo)電測(cè)試
柔性可穿戴電子設(shè)備主要由柔性壓阻傳感器材料、柔性傳感器框架、電極連接、信號(hào)采集和處理電路組成。 其中最重要的部分就是對(duì)柔性壓阻傳感器材料的測(cè)試，對(duì)于用于制造壓阻式傳感器的材料 , 需要全面評(píng)估其電學(xué)、機(jī)械、動(dòng)態(tài)響應(yīng)和環(huán)境穩(wěn)定性等多方面性能指標(biāo) , 以確保材料能夠滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。
2024-10-27
泰克科技 柔性 可穿戴 電子設(shè)備 導(dǎo)電測(cè)試
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電源中的分壓器
在電源設(shè)計(jì)中，可以手動(dòng)設(shè)置所需的輸出電壓。大多數(shù)集成電源電路以及開關(guān)和線性穩(wěn)壓器 IC 都是通過分壓器來實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)的。兩個(gè)電阻值的比率必須合適才能設(shè)置所需的輸出電壓。圖 1 顯示了一個(gè)分壓器。
2024-10-27
電源 分壓器
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了解交流電壓的產(chǎn)生
交流電 (AC) 不斷反轉(zhuǎn)方向，交替流向一個(gè)方向，然后流向另一個(gè)方向。交流電壓也可以類似地描述。通常，交流電壓和電流是正弦曲線，峰值、平均值和有效值之間存在確定的關(guān)系。
2024-10-26
交流電壓
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克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
隨著行業(yè)不斷探索解決方案，寬禁帶（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），被視為解決之道。禁帶寬度描述了價(jià)帶頂部和導(dǎo)帶底部之間的能量差。硅的禁帶寬度相對(duì)較窄，為1.1電子伏特（eV），而SiC和GaN的禁帶寬度分別為3.3eV和3.4eV。
2024-10-26
碳化硅 電力電子應(yīng)用
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