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通信廣電

VJ0805/1206/1210/1808/1812：Vishay的高可靠性MLCC

Vishay日前宣布，其 HVArc Guard表面貼裝 X7R 多層陶瓷片式電容器 (MLCC) 現可提供可選聚合體端子。該器件專為耐受較高機械應用而設計，旨在減少機械破碎相關的電容器故障。

2008-09-19

VJ0805 VJ1206 VJ1210 VJ1808 VJ1812 MLCC 多層陶瓷片式電容器

電子元器件：業(yè)績下滑趨勢進一步明確

上半年我國電子信息產業(yè)快速增長：上半年我國電子信息產業(yè)呈現出產業(yè)規(guī)模進一步擴大，產業(yè)結構調整初見成效，市場銷售良好等特點。2008年1-6月，電子信息產業(yè)實現主營業(yè)務收入26579.6億元，同比增長21.9%，實現工業(yè)增加值5388.6億元，同比增長24.1%，增速同比提高6.5個百分點，利稅同比增長33.5%。...

2008-09-18

光學器件電聲器件電子元器件

PolySwitch RKEF系列：泰科電子超小型電路保護器

泰科電子今天宣布推出新系列的PolySwitch電路保護器。新的PolySwitch RKEF電路保護器是針對廣泛的各種通用電子產品而設計的──從工業(yè)控制器到電池組，在功能方面，它與泰科電子公司現有的RXEF過流保護器相當，但是外形尺寸小得多。

2008-09-18

PolySwitch RKEF系列電路保護器

微特電機變生產大國為技術強國

近幾年，我國微特電機行業(yè)有了長足的發(fā)展，尤其在長江三角洲、珠江三角洲、環(huán)渤海三大地區(qū)已經形成我國微特電機的重要生產基地和出口基地。我國已經成為世界微特電機的生產大國。

2008-09-18

微特電機

優(yōu)化變換器的FET開關以改善能量效率

現在越來越多的設計師在關注DC/DC功率系統(tǒng)的效率問題，功率MOSFET是DC/DC功率電路中功率損耗的罪魁禍首，而通過采用先進的器件，可以將這一損耗大幅降低。MOSFET廠商主要通過兩種方式來優(yōu)化工藝的發(fā)展。首先，為了改善產品的開關特性（開關速度），他們實施了先進的柵極結構設計，降低了柵極電荷（Q...

2008-09-18

MOSFET 開關和傳導損耗系統(tǒng)級效率開關特性單元密度

電子變壓器發(fā)展方向微型化發(fā)展

電子變壓器行業(yè)為適應市場經濟和配套的需求，近幾年，經營機制有了較大的轉變。行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計的數據顯示，民營企業(yè)已占電子變壓器行業(yè)的50%左右。目前我國電子變壓器市場基本處于穩(wěn)定狀態(tài)，由于電子變壓器屬于勞動密集型產品，我國勞動力成本比較低廉，行業(yè)沒有受到較大沖擊，出口方面反而有了進一步...

2008-09-17

電子變壓器壓電陶瓷變壓器

SuperMESH3系列： ST照明和開關電源應用功率MOSFET

意法半導體（ST）進一步提高照明鎮(zhèn)流器功率MOSFET晶體管的耐受能力、開關性能和能效，功率MOSFET被用于鎮(zhèn)流器的功率因數校正器和半橋電路以及開關電源內。SuperMESH3的創(chuàng)新技術，配合優(yōu)異的dv/dt性能及更高的擊穿電壓裕度，將大幅度提高可靠性和安全性。

2008-09-17

MOSFET STx6N62K3 STx3N62K3 STx7N52K3 STx6N52K3 SuperMESH3

VPR221Z/SZ ：Vishay 新型超高精度Z箔電阻

Vishay宣布推出新型 VPR221Z超高精度 Z 箔電阻。此新器件可提供 ±0.05ppm/°C及 ±0.2 ppm/°C的工業(yè)級別絕對 TCR、在 +25°C 時最多 8W 的額定功率、±4ppm/W （典型值）的優(yōu)越功率系數（“自身散熱產生的 ?R”）及 ±0.01% 的容差。

2008-09-17

電阻 VPR221Z VPR221SZ

我國遭美"337調查" LED企業(yè)上升至10家

2008年8月30日，我國又有6家LED企業(yè)即半導體照明企業(yè)，被控涉嫌專利侵權而將面臨美國國際貿易委員會(U.S.ITC)的“337調查”。加上此前已有6家中國大陸LED企業(yè)被起訴且其中4家被列入ITC“337調查”名單，今年以來，我國已有12家LED企業(yè)遭遇海外知識產權糾紛(不包括我國臺灣地區(qū)企業(yè))。

2008-09-16

知識產權 LED Rothschild 337調查