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電源管理

B82466G0/B82467G0/B82469G1*：EPCOS新電感器系列

愛普科斯(EPCOS)開發(fā)出緊湊的小型電感器，其高度僅為1.0毫米，占用面積僅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的電感范圍介于0.5至22μH，飽和電流最高為1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分別為2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其飽和電流最高為3.0A。

2008-06-01

B82466G0* B82467G0* B82469G1* 電感器

SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET

Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。

2008-05-28

SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET

B1642：EPCOS電纜調(diào)制解調(diào)器用聲表面波濾波器

愛普科斯(EPCOS)現(xiàn)可提供B1642聲表面波（SAW）濾波器，用于接收寬帶電視和接入因特網(wǎng)的電纜調(diào)制解調(diào)器。該產(chǎn)品專門針對國際第三代有線電纜數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)接口規(guī)范（DOCSIS 3.0標(biāo)準(zhǔn)）而研發(fā),這一規(guī)范將主要應(yīng)用在美國和韓國。

2008-05-21

B1642 聲表面波濾波器 SAW濾波器

STC03DE220HV：意法半導(dǎo)體用于三相電源的低功耗ESBT開關(guān)

意法半導(dǎo)體宣布推出STC03DE220HV ESBT（發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管）功率開關(guān)，新產(chǎn)品使設(shè)計工程師能夠提高單相和三相應(yīng)用輔助開關(guān)電源的能效，降低產(chǎn)品的成本、組件數(shù)量和尺寸。

2008-05-21

STC03DE220HV ESBT 發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管

MAX4996/MAX4996L：Maxim SDHC和SDIO復(fù)用三路DPDT開關(guān)

Maxim推出三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)MAX4996/MAX4996L，可切換多路高達(dá)670MHz的高頻信號。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為2.0Ω)、導(dǎo)通電容(典型值為6pF)和功耗(典型值為3μA)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻切換。

2008-05-19

MAX4996 MAX4996L 三路雙刀雙擲(DPDT)開關(guān)

BU25/BU20/BU15/BU12/BU10：Vishay新型整流器系列

Vishay宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列，這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A，最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。

2008-05-16

BU25 BU20 BU15 BU12 BU10 整流器

MAX4983E/MAX4984E：Maxim高速USB DPDT開關(guān)

Maxim推出雙刀雙擲(DPDT)模擬開關(guān)MAX4983E/MAX4984E，可切換多路480Mbps高速USB (USB 2.0)信號。器件具有極低的導(dǎo)通電阻(典型值為5Ω)和較高的帶寬(950MHz)，允許采用單個連接器實現(xiàn)高性能的切換。

2008-05-15

MAX4983E MAX4984E 高速USB (USB 2.0) DPDT開關(guān)

SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列

意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。

2008-05-15

SMM4F 二極管 diode 消費電子

STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列

意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關(guān)電源