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RF/微波

2013年無源標簽銷售額將達4.866億美元

據(jù)調(diào)研咨詢機構(gòu)Frost&Sullivan公布的一份調(diào)查顯示，北美RFID市場利潤有望穩(wěn)定攀升，未來6年之內(nèi)接近5億美元。 Frost&Sullivan還進一步預測未來6年之內(nèi)，該市場將以21.5%的復合年均增長率(CAGR)發(fā)展，其中，加拿大市場的貢獻將增加。

2010-12-14

無源標簽 RFID 增長率 Frost&Sullivan 2013

592W：Vishay推出新款脈沖電容器專用于無線Modem

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列的固鉭貼片電容器 --- 592W。穩(wěn)定耐用的592W電容器專門針對無線調(diào)制解調(diào)器中的脈沖工作模式而設(shè)計，在6.3V～10V電壓范圍內(nèi)，具有330μF～2200μF的高容值，3種外形尺寸的高度為1.6mm和2.0mm。

2010-12-09

592W 電容器 Vishay 無線Modem 固態(tài)驅(qū)動器移動立體聲音頻

基于超聲波測距的倒車雷達系統(tǒng)設(shè)計

近年來，隨著汽車產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展和人們生活水平的不斷提高，我國的汽車數(shù)量正逐年增加。同時汽車駕駛?cè)藛T中非職業(yè)汽車駕駛?cè)藛T的比例也逐年增加。在公路、街道、停車場、車庫等擁擠、狹窄的地方倒車時，駕駛員既要前瞻，又要后顧，稍微不小心就會發(fā)生追尾事故。據(jù)相關(guān)調(diào)查統(tǒng)計，15％的汽車碰撞事故...

2010-12-07

倒車雷達系統(tǒng) 超聲波測距

RF3932：RFMD開發(fā)出75W氮化鎵功率晶體管可用于ATU傳輸網(wǎng)絡(luò)

日前，高性能射頻組件以及復合半導體技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932，這種無與倫比的75瓦特高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)比砷化鎵和硅工藝技術(shù)的性能更出色。

2010-12-02

RF3932 RFMD 75W 功率晶體管 ATU傳輸網(wǎng)絡(luò)

TRA(B)24/49003(P)：Laird Technologies 發(fā)布新的雙波段天線

Laird Technologies是全球領(lǐng)先的個性化電子器件和系統(tǒng)設(shè)計和供應商，產(chǎn)品性能優(yōu)異，專門用于高級電子和無線產(chǎn)品。公司近期宣布發(fā)布新的 TRA(B)24/49003(P) Phantom（幻影）雙波段天線。

2010-12-01

TRA(B)24/49003(P) Laird 雙波段天線 Phantom

RF射頻電路設(shè)計問題分析

通常情況下，對于微波以下頻段的電路(包括低頻和低頻數(shù)字電路)，在全面掌握各類設(shè)計原則前提下的仔細規(guī)劃是一次性成功設(shè)計的保證。對于微波以上頻段和高頻的PC類數(shù)字電路。則需要2~3個版本的PCB方能保證電路品質(zhì)。而對于微波以上頻段的RF電路．則往往需要更多版本的：PCB設(shè)計并不斷完善，而且是在具...

2010-12-01

RF射頻干擾輻射干擾

飛思卡爾半導體推出RF LDMOS組合適用于航空航天工業(yè)與商業(yè)

飛思卡爾半導體公司以合理的性價比點，面向OEM（原始設(shè)備制造商）推出三款先進的工業(yè)RF功率晶體管。增強的耐用性與領(lǐng)先的RF性能結(jié)合，使OEM廠商能夠大幅縮減在工業(yè)和商用航空航天領(lǐng)域的系統(tǒng)級設(shè)計成本。

2010-11-24

RF LDMOS 飛思卡爾半導體航空航天工業(yè)

雷達發(fā)射機的調(diào)制器電路設(shè)計

調(diào)制器是雷達發(fā)射機中的一個比較重要的組成部分，其主要作用是給雷達發(fā)射機的行波管提供正負偏電壓、燈絲電壓以及調(diào)制脈沖。本文將對雷達發(fā)射機的調(diào)制器電路設(shè)計進行分析，目的是使雷達維修人員能夠更快速準確地找到并排除雷達調(diào)制器的常見故障...

2010-11-23

雷達發(fā)射機調(diào)制器脈沖

MRFE6VP6300H：飛思卡爾推出R FLDMOS功率管用于推拉式或單端配置

飛思卡爾半導體推出一款R FLDMOS功率管，工作頻率為1.8至600MHz，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供300W CW的全額定輸出功率。

2010-11-16

MRFE6VP6300H 飛思卡爾功率管