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雷諾旗下安培與意法半導(dǎo)體簽署碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議，合作開發(fā)電動汽車電源控制系統(tǒng)
雷諾集團(tuán)旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 今天宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體簽署了一份從 2026 年開始為安培長期供應(yīng)碳化硅 (SiC) 功率模塊的供貨協(xié)議，該協(xié)議是雷諾集團(tuán)與意法半導(dǎo)體為安培超高效電動汽車逆變器開發(fā)電源控制系統(tǒng) (powerbox) 的合作計劃的一部分。功率模塊是電源控制系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，安培和意法半導(dǎo)體合作優(yōu)化功率模塊，確保電驅(qū)系統(tǒng)具有很強的性能和競爭力，同時充分發(fā)揮安培在電動汽車技術(shù)方面的特長和意法半導(dǎo)體在先進(jìn)功率元器件研制領(lǐng)域的獨到之處。
2024-12-05
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面對電動汽車和數(shù)據(jù)中心兩大主力應(yīng)用市場，SiC和GaN該如何發(fā)力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，由于其獨特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-12-04
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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。
2024-12-03
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時必須考慮到這一點。
2024-12-02
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開拓創(chuàng)新，引領(lǐng)醫(yī)療植入物與醫(yī)療保健解決方案的發(fā)展潮流
憑借超過40年的專業(yè)經(jīng)驗和卓越的可靠性，瑞士微晶（Micro Crystal）生產(chǎn)的組件能夠滿足苛刻的醫(yī)療應(yīng)用需求。特別是，其推出的首款全陶瓷封裝的實時時鐘模塊（RTC），不僅具有超低時間保持功耗，還具備防氦特性。
2024-11-28
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貿(mào)澤電子深入探討以人為本的工業(yè)5.0新變革
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布新一期Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列，重點介紹新興的工業(yè)5.0格局。在這個工業(yè)化的新階段，人類、環(huán)境和社會等因素都將作為重要的方面，體現(xiàn)在未來工廠車間的先進(jìn)技術(shù)、機(jī)器人和智能機(jī)器中。
2024-11-28
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創(chuàng)實技術(shù)electronica 2024首秀：加速國內(nèi)分銷商海外拓展之路
作為全球規(guī)模最大、最具影響力的電子元器件展會，備受矚目的2024德國慕尼黑國際電子元器件博覽會（electronica 2024）于2024年11月12-15日，在德國·慕尼黑展覽中心盛大舉行。科技日新月異，電子元器件作為信息技術(shù)的基石，正再一次引領(lǐng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新一輪變革。時隔2年之久，疊加全球科技和經(jīng)濟(jì)大變局，展示面積近17,000平方米的electronica 2024，吸引了來自超50個國家和地區(qū)的3,000多家參展廠商齊聚，成為史上規(guī)模之最。
2024-11-26
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-25
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意法半導(dǎo)體披露 2027-2028 年財務(wù)模型及2030年目標(biāo)實現(xiàn)路徑
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 于前天在法國巴黎舉辦了資本市場日活動。在公司戰(zhàn)略保持不變的框架內(nèi)，意法半導(dǎo)體重申了200億+美元的營收目標(biāo)和相關(guān)財務(wù)模型，預(yù)計將在 2030 年實現(xiàn)這一目標(biāo)。意法半導(dǎo)體還制定了一個中期財務(wù)模型，預(yù)計2027-2028年營收約為180 億美元，營業(yè)利潤率在 22% 至 24% 之間。
2024-11-25
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【“源”察秋毫系列】多次循環(huán)雙脈沖測試應(yīng)用助力功率器件研究及性能評估
隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。這些應(yīng)用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動汽車領(lǐng)域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰(zhàn)。同時，隨著SiC等寬禁帶半導(dǎo)體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時也帶來了新的測試需求。如何在保證測試效率的同時，準(zhǔn)確評估這些先進(jìn)功率器件的性能和壽命，成為了行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。
2024-11-23
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功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-11-23
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。
2024-11-19
- 800V牽引逆變器：解鎖電動汽車?yán)m(xù)航與性能躍升的工程密鑰
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