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為系統(tǒng)安全選擇電壓檢測(cè)器、監(jiān)控器和復(fù)位IC：第2部分
在本系列的第一部分中，我定義了電壓檢測(cè)器和監(jiān)控器/復(fù)位IC，并解釋了不同的輸出類(lèi)型及一些基本設(shè)備。由于設(shè)計(jì)變得更加復(fù)雜，可能需要更高級(jí)的設(shè)備來(lái)成功監(jiān)視電壓。在本期中，我將重點(diǎn)介紹電壓檢測(cè)器和監(jiān)控器/復(fù)位IC中的各種功能，以幫助設(shè)計(jì)人員選擇正確的電路。
2021-02-09
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物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)需要高集成度和小尺寸功率轉(zhuǎn)換器件
在功率譜的中低端存在一些不太大的功率轉(zhuǎn)換要求，這在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備之類(lèi)的應(yīng)用中很常見(jiàn)。這些應(yīng)用需要使用能夠處理適度電流水平的功率轉(zhuǎn)換IC。電流通常在數(shù)百毫安范圍，但如果板載功率放大器為了傳輸數(shù)據(jù)或視頻而存在峰值功率需求，那么電流量可能更高。因此，隨著支持眾多物聯(lián)網(wǎng)器件的無(wú)線傳感器的激增，業(yè)界對(duì)專(zhuān)門(mén)用于空間和散熱受限器件的小型、緊湊、高效功率轉(zhuǎn)換器的需求在不斷增加。
2021-02-08
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如何準(zhǔn)確地測(cè)量芯片的電源噪聲
隨著5G、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的飛速發(fā)展，信號(hào)的傳輸速度越來(lái)越快，集成電路芯片的供電電壓隨之越來(lái)越小。早期芯片的供電通常是5V和3.3V，而現(xiàn)在高速IC的供電電壓已經(jīng)到了2.5V、1.8V或1.5V，有的芯片的核電壓甚至到了1V。芯片的供電電壓越小，電壓波動(dòng)的容忍度也變得越苛刻。對(duì)于這類(lèi)供電電壓較小的高速芯片的電壓測(cè)試用電源噪聲表示，測(cè)求要求從±5%到 ±-1.5%，乃至更低。
2021-02-05
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集成電路是如何被發(fā)明的？
也許上天有意要人類(lèi)發(fā)明出集成電路（IC：Integrated Circuit），幾乎在同時(shí)，兩組人在個(gè)不知曉對(duì)方發(fā)明工作的情況下，獨(dú)立設(shè)計(jì)出幾乎相同的集成電路。
2021-02-05
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開(kāi)關(guān)IC控制器的去耦旁路設(shè)計(jì)
旁路和去耦是指防止有用能量從一個(gè)電路傳到另一個(gè)電路中，并改變?cè)肼暷芰康膫鬏斅窂?，從而提高電源分配網(wǎng)絡(luò)的品質(zhì)。它有三個(gè)基本概念：電源、地平面，元件和內(nèi)層的電源連接。
2021-02-05
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接收器IC混合式混頻器、頻率合成器和IF放大器
無(wú)線基站曾經(jīng)封裝在采用氣候控制技術(shù)的大型空間中，但現(xiàn)在卻可以裝在任意地方。隨著無(wú)線網(wǎng)絡(luò)服務(wù)提供商試圖實(shí)現(xiàn)全域信號(hào)覆蓋，基站組件提供商面臨壓力，需要在更小的封裝中提供更多的功能。
2021-02-03
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采用具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的低電感表貼封裝的SiC MOSFET
人們普遍認(rèn)為，SiCMOSFET可以實(shí)現(xiàn)非常快的開(kāi)關(guān)速度，有助于顯著降低電力電子領(lǐng)域功率轉(zhuǎn)換過(guò)程中的能量損耗。然而，由于傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體封裝的限制，在實(shí)際應(yīng)用中并不總是能發(fā)揮SiC元器件的全部潛力。在本文中，我們首先討論傳統(tǒng)封裝的一些局限性，然后介紹采用更好的封裝形式所帶來(lái)的好處。最后，展示對(duì)使用了圖騰柱（Totem-Pole）拓?fù)涞?.7kW單相PFC進(jìn)行封裝改進(jìn)后獲得的改善效果。
2021-02-03
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交錯(cuò)式反相電荷泵——第二部分：實(shí)現(xiàn)和結(jié)果
本系列文章的第一部分介紹了一種從正電源產(chǎn)生低噪聲負(fù)電源軌的獨(dú)特方法，并說(shuō)明了控制其運(yùn)行的方程式推導(dǎo)過(guò)程。第二部分將借助ADI公司新產(chǎn)品 ADP5600深入探討這種交錯(cuò)式反相電荷泵(IICP)的實(shí)際例子。我們將ADP5600的電壓紋波和電磁輻射干擾與標(biāo)準(zhǔn)反相電荷泵進(jìn)行比較，以揭示交錯(cuò)如何改善低噪聲性能。我們還將其應(yīng)用于低噪聲相控陣波束成型電路，并使用第一部分中的公式來(lái)優(yōu)化該解決方案的性能。
2021-02-02
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如何減少SiC MOSFET的EMI和開(kāi)關(guān)損耗？
碳化硅（SiC）MOSFET的快速開(kāi)關(guān)速度，高額定電壓和低RDSon使其對(duì)于不斷尋求在提高效率和功率密度的同時(shí)保持系統(tǒng)簡(jiǎn)單性的電源設(shè)計(jì)人員具有很高的吸引力。
2021-02-02
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貿(mào)澤電子新品推薦：2021年1月
2021年2月1日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來(lái)自1100多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶(hù)設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤旨在為客戶(hù)提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2021-02-01
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什么是帶隙式溫度傳感器？
光子產(chǎn)業(yè)中存在著一種基礎(chǔ)材料——光子晶體（Photonic Crystals）。光子晶體是由具有不同介電常數(shù)（折射率）的材料按照某種空間有序排列的的其周期可與光波長(zhǎng)相比的人工微結(jié)構(gòu)。
2021-02-01
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美光率先于業(yè)界推出 1α DRAM 制程技術(shù)
2021年 1 月 27 日，中國(guó)上海 — 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc. (美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU) 今日宣布批量出貨基于 1α (1-alpha) 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。這是繼最近首推全球最快顯存和 176 層 NAND 產(chǎn)品后，美光實(shí)現(xiàn)的又一突破性里程碑，進(jìn)一步加強(qiáng)了公司在業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)力。
2021-01-27
- 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器技術(shù)演進(jìn)：從基礎(chǔ)驅(qū)動(dòng)到智能閉環(huán)控制
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