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NXP GreenChip電源IC確立低負(fù)載下效率和空載待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)
恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布推出GreenChip? SPR TEA1716開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 控制器IC——這是業(yè)界首款PFC和LLC諧振組合控制器，可在低負(fù)載下實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)功耗，并且符合將于2013年生效的歐盟生態(tài)設(shè)計(jì)指令的要求。公司同時(shí)宣布推出多款采用超小封裝的高性價(jià)比SPF (反激式智能電源) IC，包括GreenChip SPF TEA1731以及TEA172x系列新品，這些器件均具有出色的空載性能。此外，恩智浦還推出了一款新型GreenChip同步整流 (SR) 控制IC——TEA1792。
2012-02-27
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HFP：TE的推出用于GSM850/900電源切換RF開(kāi)關(guān)
TE Connectivity公司推出了用于GSM850/900的HFP開(kāi)關(guān)。第三代信息和信號(hào)技術(shù)需要新的接收RF（射頻）信號(hào)的電路開(kāi)關(guān)。GSM（全球移動(dòng)通信系統(tǒng)）是蜂窩網(wǎng)絡(luò)使用最廣泛的頻率范圍。有了HFP，TE可直接滿足GSM850/900應(yīng)用中從824到960MHz頻段的電源切換RF開(kāi)關(guān)的需求。
2012-02-24
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2012全球LTE手機(jī)競(jìng)爭(zhēng)激烈
今年世界各地將有100多個(gè)移動(dòng)電信運(yùn)營(yíng)商開(kāi)始LTE商業(yè)運(yùn)作，諾基亞，索尼移動(dòng)通信和中國(guó)的中興，華為等廠商都將推出LTE手機(jī)，這將加速2012年全球LTE手機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。
2012-02-23
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背光和照明市場(chǎng)需求增加緩減2012年LED供應(yīng)過(guò)剩
據(jù)DisplaySearch —過(guò)去一段時(shí)間由于LED背光液晶電視銷售減弱且LED照明成長(zhǎng)緩慢，2011年LED出現(xiàn)了供大于求的局面，供需落差達(dá)30%。2012年，隨著背光和照明的市場(chǎng)需求回暖，過(guò)度供應(yīng)問(wèn)題將得到有效緩解。根據(jù)NPD DisplaySearch季度LED供需市場(chǎng)預(yù)測(cè)報(bào)告Quarterly LED Supply/Demand Market Forecast Report指出，第一季度供需過(guò)剩比為19%，第二季度將進(jìn)一步下降至16%。
2012-02-23
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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒(méi)有像移動(dòng)手機(jī)連接器之類的終端設(shè)備，零瓦充電器就會(huì)停止從電網(wǎng)中取電， TE的IMF是專為這樣的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，其設(shè)計(jì)是對(duì)現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補(bǔ)充。
2012-02-22
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Vishay 擴(kuò)充用于功率電子的重載電容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，擴(kuò)充其用于功率電子的重載Vishay ESTA HDMKP電容器，增添新容值和新封裝形式。
2012-02-22
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4G競(jìng)逐大戲已經(jīng)開(kāi)場(chǎng) 推廣標(biāo)準(zhǔn)是關(guān)鍵
從3G到4G，從追隨者變?yōu)橛螒蛞?guī)則制定者，中國(guó)正一步步建立自己的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)體系。由中國(guó)主導(dǎo)的TD-LTE在1月18日正式成為4G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，這意味著下一代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的全球征戰(zhàn)正式開(kāi)場(chǎng)。但制定標(biāo)準(zhǔn)只是開(kāi)始，推廣標(biāo)準(zhǔn)才是關(guān)鍵。只有以標(biāo)準(zhǔn)為支點(diǎn)，占據(jù)全球競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)，從而撬動(dòng)整個(gè)國(guó)家產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)型升級(jí)，才是中國(guó)發(fā)展TD-LTE的意義所在。
2012-02-22
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來(lái)在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降、開(kāi)關(guān)時(shí)間、快開(kāi)關(guān)損耗、承受短路電流能力及du/dt等參數(shù)，并決定了IGBT靜態(tài)與動(dòng)態(tài)特性。因此設(shè)計(jì)高性能的驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路是安全使用IGBT的關(guān)鍵技術(shù)。
2012-02-21
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Digi-Key與Ramtron 簽署全球經(jīng)銷協(xié)議
Digi-Key 公司是一家知名的電子元件經(jīng)銷商，被設(shè)計(jì)師們譽(yù)為業(yè)內(nèi)最廣泛的電子元件庫(kù)，提供立即發(fā)貨服務(wù)，日前宣布已經(jīng)與 Ramtron International Corporation簽署全球經(jīng)銷協(xié)議。
2012-02-20
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2011全球LTE終端出貨800萬(wàn)部 營(yíng)收25億美元
根據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，2012年全球?qū)?huì)有超過(guò)100張LTE商用網(wǎng)絡(luò)投入運(yùn)營(yíng)。美國(guó)將成為重要的增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。同時(shí)，頻譜問(wèn)題將繼續(xù)影響LTE發(fā)展。
2012-02-20
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IR3551：IR擴(kuò)充PowIRstage系列以提升擴(kuò)展性與性能
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出IR3551以擴(kuò)充PowIRstage 集成式器件系列，新器件特別適合下一代服務(wù)器、臺(tái)式電腦、顯卡及通信系統(tǒng)應(yīng)用。
2012-02-17
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飛兆、英飛凌擴(kuò)展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-16
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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