控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解

在電源設(shè)計(jì)中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運(yùn)行的關(guān)鍵。一個(gè)設(shè)計(jì)不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對(duì)負(fù)載變化和輸入電壓波動(dòng)的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。

2025-06-25

破局電動(dòng)車?yán)m(xù)航！羅姆第4代SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)助力豐田bZ5性能躍遷

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應(yīng)用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡(jiǎn)稱“豐田”）面向中國(guó)市場(chǎng)的全新跨界純電動(dòng)汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。

2025-06-24

戰(zhàn)略布局再進(jìn)一步：意法半導(dǎo)體2025股東大會(huì)關(guān)鍵決議全票通過

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，NYSE：STM）2025年股東大會(huì)于荷蘭阿姆斯特丹圓滿落幕，大會(huì)全票通過所有決議案。作為全球多重電子應(yīng)用領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者，此次決議將為公司戰(zhàn)略布局注入新動(dòng)能。

2025-06-20

從單管到并聯(lián)：SiC MOSFET功率擴(kuò)展實(shí)戰(zhàn)指南

在10kW-50kW中高功率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現(xiàn)并存趨勢(shì)。分立方案憑借更高設(shè)計(jì)自由度和靈活并聯(lián)擴(kuò)容能力突圍——當(dāng)單管功率不足時(shí)，只需并聯(lián)一顆MOSFET即可實(shí)現(xiàn)功率躍升，為工業(yè)電源、新能源系統(tǒng)提供模塊之外的革新選擇。

2025-06-19

破解工業(yè)電池充電器難題：升壓or圖騰柱？SiC PFC拓?fù)溥x擇策略

工業(yè)設(shè)備電動(dòng)化浪潮下，電池充電器面臨嚴(yán)苛挑戰(zhàn)：需兼容120-480V寬壓輸入，在震動(dòng)/粉塵/溫變等惡劣條件下實(shí)現(xiàn)高效供電，同時(shí)滿足尺寸重量極限壓縮與無(wú)風(fēng)扇散熱需求。本文聚焦PFC級(jí)核心設(shè)計(jì)，對(duì)比升壓與圖騰柱拓?fù)涞膶?shí)戰(zhàn)優(yōu)劣，解析SiC MOSFET如何重構(gòu)工業(yè)充電器性能邊界。

2025-06-19

高結(jié)溫IC設(shè)計(jì)避坑指南：5大核心挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略

在商業(yè)、工業(yè)及汽車電子領(lǐng)域，高溫環(huán)境對(duì)集成電路的性能、可靠性和安全性構(gòu)成嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。隨著應(yīng)用場(chǎng)景向極端溫度條件延伸，高結(jié)溫引發(fā)的漏電增加、壽命衰減等問題日益凸顯，亟需通過創(chuàng)新設(shè)計(jì)技術(shù)突破技術(shù)瓶頸。本文將解析高溫對(duì)集成電路的深層影響，揭示高結(jié)溫帶來的五大核心挑戰(zhàn)，并探討針對(duì)性的高功率設(shè)計(jì)解決方案。

2025-06-18

高功率鍍膜新突破！瑞典Ionautics HiPSTER 25電源首次運(yùn)行

近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運(yùn)行。Ionautics 成立于 2010 年，長(zhǎng)期深耕于電離物理氣相沉積領(lǐng)域， HiPSTER 25提供高達(dá) 25kW 功率，不僅重新定義了行業(yè)高效運(yùn)行模式，還極大提升了性能與能量效率。

2025-06-13

安森美SiC Cascode技術(shù)：共源共柵結(jié)構(gòu)深度解析

碳化硅結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC JFET）相比其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)具有一些顯著的優(yōu)勢(shì)，特別是在給定芯片面積下的低導(dǎo)通電阻（稱為RDS.A）。為了實(shí)現(xiàn)最低的RDS.A，需要權(quán)衡的一點(diǎn)是其常開特性，這意味著如果沒有柵源電壓，或者JFET的柵極處于懸空狀態(tài)，那么JFET將完全導(dǎo)通。

2025-06-12

低排放革命！貿(mào)澤EIT系列聚焦可持續(xù)技術(shù)突破

全球電子元器件及工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商——貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)，近日發(fā)布了其Empowering Innovation Together (EIT) 技術(shù)系列的新一期內(nèi)容《低排放、再利用、重塑未來的技術(shù)》。本期EIT系列專注于探索那些能夠改善環(huán)境的清潔技術(shù)，并提供面向未來的創(chuàng)新工程解決方案，旨在通過技術(shù)革新推動(dòng)可持續(xù)發(fā)展的進(jìn)程。

2025-06-11

集成化柵極驅(qū)動(dòng)IC對(duì)多電平拓?fù)潆妷壕獾钠平饴窂?/a>

挑戰(zhàn)極限溫度：高溫IC設(shè)計(jì)的環(huán)境溫度與結(jié)溫攻防戰(zhàn)

在汽車引擎艙的200℃熱浪中，或在深地鉆探設(shè)備的極限工況下，集成電路（IC）的‘心臟’——半導(dǎo)體結(jié)溫正面臨前所未有的挑戰(zhàn)。環(huán)境溫度與結(jié)溫的差值每擴(kuò)大10℃，芯片壽命可能縮短一半。安森美（onsemi）的Treo平臺(tái)的創(chuàng)新設(shè)計(jì)證明：通過材料革新（如SiC/GaN）與動(dòng)態(tài)熱管理，高溫IC的可靠性可提升3倍以上。本文將揭示環(huán)境溫度如何‘傳導(dǎo)’為結(jié)溫危機(jī)，并拆解工業(yè)級(jí)解決方案的底層邏輯。

2025-06-09

ST&高通ST67W611M1模塊量產(chǎn)：Siana案例驗(yàn)證交鑰匙方案提速無(wú)線開發(fā)

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）與高通技術(shù)公司（Qualcomm Technologies）強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手開發(fā)的集成式Wi-Fi 6和藍(lán)牙5.4二合一模塊ST67W611M1，現(xiàn)已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。這標(biāo)志著雙方合作的“交鑰匙”無(wú)線連接解決方案邁入商業(yè)化新里程。與此同時(shí)，重要客戶Siana采用該模塊的設(shè)計(jì)項(xiàng)目已宣告成功落地，顯著縮短了其無(wú)線產(chǎn)品的研發(fā)周期。

2025-06-05