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一文理解BUCK電路的降壓原理
BUCK電路和BOOST電路用到的器件幾乎一樣，如果理解了BOOST電路的升壓原理，其實(shí)BUCK的降壓原理也是很容易理解的。
2022-11-17
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意法半導(dǎo)體嵌入式 AI 解決方案增加簡(jiǎn)化機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)的高級(jí)功能
為了擴(kuò)大開發(fā)工具的功能，加快嵌入式人工智能 (AI) 和機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 開發(fā)項(xiàng)目，意法半導(dǎo)體發(fā)布了NanoEdge AI Studio 和 STM32Cube.AI.的升級(jí)版本。
2022-11-16
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TI最新buck-boost 轉(zhuǎn)換器助力車載攝像頭POC方案
為了使駕駛安全避免事故，高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS)正成為現(xiàn)代汽車的標(biāo)準(zhǔn)配置。攝像頭是高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng) (ADAS)的重要組成部分，可提供駕駛員以前無法查看的盲點(diǎn)視圖、交通標(biāo)志識(shí)別、行人檢測(cè)以及車輛停車輔助（圖 1）。
2022-11-11
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科普：MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管)這個(gè)兩個(gè)縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。
2022-11-04
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貿(mào)澤與ST合作推出新電子書，探討響應(yīng)式邊緣人工智能的未來
2022年11月3日 – 專注于推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與STMicroelectronics (ST) 合作推出新電子書《Intelligence at the Edge》（邊緣智能），探討部署在邊緣的人工智能 (AI) 與機(jī)器學(xué)習(xí) (ML) 的新發(fā)展。書中來自貿(mào)澤和ST的主題專家深入分析了邊緣AI和ML開發(fā)的挑戰(zhàn)和應(yīng)用，其精選文章涵蓋智能傳感器、嵌入式神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和響應(yīng)式AI等主題。
2022-11-03
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納芯微低功耗數(shù)字溫度傳感器NST112x用于可穿戴類設(shè)備測(cè)溫
可穿戴設(shè)備例如智能手表主打智能助理、健康、安全和運(yùn)動(dòng)等多功能定位深受消費(fèi)者喜愛。后疫情時(shí)代，消費(fèi)者更加關(guān)注自身健康，體溫測(cè)量成為了健康監(jiān)測(cè)管理和多維預(yù)防的重要手段。人們可以通過具有體溫測(cè)量功能的可穿戴設(shè)備隨時(shí)隨地了解自身健康狀況，實(shí)現(xiàn)自我防護(hù)。
2022-10-25
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瑞薩電子完成對(duì)Steradian的收購
2022 年 10 月 17 日，日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，截至2022年10月17日已完成對(duì)提供4D成像雷達(dá)解決方案的無晶圓半導(dǎo)體公司Steradian Semiconductors Private Limited（“Steradian”）的收購。
2022-10-18
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【未來可測(cè)】系列之二：憶阻器單元基礎(chǔ)研究和性能研究測(cè)試方案
憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R，電容C，電感L構(gòu)成四種基本無源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱為阻變存儲(chǔ)器（RRAM）。
2022-09-29
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【干貨】強(qiáng)大的4開關(guān)升降壓BOB電源，可升可降、能大能小
基于電感器的開關(guān)架構(gòu)電源有3中常見的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，分別是BUCK降壓電源、BOOST升壓電源以及BUCK-BOOST負(fù)壓電源，今天介紹的第4中拓?fù)洹?開關(guān)BOB電源，在手機(jī)、汽車、嵌入式等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用，它的基本工作原理是怎樣的呢？有什么優(yōu)勢(shì)呢？
2022-09-27
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷推動(dòng)IGBT技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對(duì)于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設(shè)計(jì)并在不同應(yīng)用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應(yīng)能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴(kuò)展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過仿真和應(yīng)用測(cè)試，對(duì)英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對(duì)應(yīng)的同類最佳900A和750A EconoDUAL? 3模塊的電氣性能和熱性能，與英飛凌IGBT4技術(shù)進(jìn)行了比較。在1700V IGBT模塊特定應(yīng)用背景下，考慮到了芯片優(yōu)化。研究結(jié)果表明，采用新型1700V IGBT7/EC7技術(shù)的模塊在大量應(yīng)用中顯著提高了功率密度。
2022-09-21
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加速工業(yè)自動(dòng)化升級(jí)，貿(mào)澤電子2022技術(shù)創(chuàng)新周第二期活動(dòng)來襲
2022年9月16日 – 專注于引入新品推動(dòng)行業(yè)創(chuàng)新?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布于9月19 - 22日舉辦貿(mào)澤電子技術(shù)創(chuàng)新周第二期專題活動(dòng)。本期內(nèi)容將重點(diǎn)聚焦工業(yè)自動(dòng)化，特邀來自Analog Devices, Amphenol, Phoenix Contact, Silicon Labs, TDK (Shanghai) Electronics, Texas Instruments等國際知名廠商的資深技術(shù)專家，并攜手哈爾濱工業(yè)大學(xué)電磁驅(qū)動(dòng)與控制研究所副所長，寧波市智能制造技術(shù)研究院副院長在每天下午14:00-15:10和15:10-16:10兩個(gè)時(shí)間段，為大家?guī)砉I(yè)自動(dòng)化的前沿應(yīng)用與方案，展望工業(yè)自動(dòng)化未來發(fā)展趨勢(shì)。
2022-09-16
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一文詳解數(shù)字晶體管的原理
數(shù)字晶體管（Digital Transistor），英文名為Bias Resistor Transistor，是帶電阻的晶體管，有的僅在基極上串聯(lián)一只電阻，一般稱為R1，有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2。電阻R1有多種電阻，類似標(biāo)準(zhǔn)電阻系列配制，電阻R2情況類似R1。電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配，因此數(shù)字晶體管的品種很多。
2022-09-09
- 線繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關(guān)鍵作用
- 線繞電阻在精密儀器與醫(yī)療設(shè)備中的高精度應(yīng)用和技術(shù)實(shí)踐
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