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Vishay推出新款小尺寸100V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器
Vishay Intertechnology宣布推出電流密度高達2A~4A、采用低尺寸表面貼裝SMA和SMB封裝的新款100V TMBS Trench MOS勢壘肖特基整流器。
2010-01-28
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
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采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術(shù)，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設(shè)備設(shè)計在設(shè)計程度上新的級別。
2010-01-27
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
2010-01-27
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ESD級別高達2kV的新款車用精密薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過AEC-Q200認證、ESD級別高達2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標準TCR低至±25ppm/℃，經(jīng)過激光微調(diào)后的容差低至±0.1%，可滿足汽車行業(yè)對溫度、濕度提出的新需求，同時具有可靠的可重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。
2010-01-26
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LED背光、240Hz倍頻以及3D為電視應(yīng)用技術(shù)發(fā)展的新特點
在新推出的Quarterly TV Design and Features Report(季度電視設(shè)計和功能報告)，DisplaySearch的研究表明，2010年起LED背光液晶顯示器和240Hz倍頻驅(qū)動將作為實現(xiàn)技術(shù)發(fā)展的新特點，另外3D 也將引起平面電視制造商的強烈興趣。DisplaySearch預(yù)測，3D TV將由2009年的20萬臺成長到2018年的640萬臺。
2010-01-26
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第十講 示波器基礎(chǔ)之順序模式
本文主要講力科示波器的順序模式及其與Tek示波器DPX模式的比較
2010-01-25
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Hasetec：電動汽車用中速充電器 兼顧價格和充電時間
“快速充電器在電動汽車的普及中不可或缺。作為最先開發(fā)出快速充電器的企業(yè)，我們將繼續(xù)積極努力”，Hasetec代表董事社長千村正如此表示。該公司日前擴充了電動汽車用充電器的產(chǎn)品陣容。除改進了原來的快速充電器外，還新開發(fā)出了一款中速充電器和兩種充電站。價格方面，快速充電器為350萬日元，中速充電器為200萬日元，充電站分別為15萬日元和9萬日元。
2010-01-21
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LGA 1156/1366：泰科推出新型表面貼裝插座
泰科電子推出新型表面貼裝LGA 1156和1366插座，適用于Intel? Core? i7處理器家族產(chǎn)品。該混合型產(chǎn)品結(jié)合了LGA插座的優(yōu)越性以及BGA部件的簡單性，是符合Intel設(shè)計理念的為數(shù)不多的產(chǎn)品之一。LGA 1156可具體應(yīng)用于臺式電腦服務(wù)器的CPU互連，而LGA 1366則適用于服務(wù)器和高端臺式電腦。
2010-01-20
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Vishay發(fā)布低尺寸、大電流IHLP?電感器的視頻產(chǎn)品演示
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，在網(wǎng)站上新增了低尺寸、大電流IHLP?電感器的視頻產(chǎn)品演示，幫助客戶了解在應(yīng)用中使用這種電感器的好處……
2010-01-19
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GT-91114：Globtek推出PCB安裝的6W連續(xù)輸出的電源
GT-91114系列PCB安裝電源具有雙強制隔離，穩(wěn)壓輸出為5~48Vdc，增量為0.1V，連續(xù)輸出功率高達6W。該密封電源符合IP64防護要求，采用55.4 x 52.0 x 23.5-mm抗沖擊聚碳酸酯封裝，提供熱傳導(dǎo)冷卻。
2010-01-19
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面向高電流DC/DC應(yīng)用、降低上表面熱阻的功率MOSFET
TI 高級副總裁兼電源管理全球經(jīng)理 Steve Anderson 指出：“我們的客戶需要具有更小體積和更高電流的 DC/DC 電源，以滿足各種基礎(chǔ)設(shè)施市場對處理器功能提出的更高要求。DualCool NexFET 功率 MOSFET 能夠以不變的幾何尺寸傳輸更多的電流，可充分滿足這一需求?！?/p>
2010-01-18
- 線繞電阻在電力電子與工業(yè)控制中的關(guān)鍵作用
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