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A/D采樣測(cè)量電路中常用的多路電壓采集電路
本文就A/D采樣測(cè)量電路中常用的多路電壓采集電路提出了一種設(shè)計(jì)方法。針對(duì)電路使用中出現(xiàn)的問(wèn)題，結(jié)合Electronics Workbench電路仿真軟件搭建模型仿真電路，提出了電路的改善方法。經(jīng)過(guò)驗(yàn)證，電路的一致性和線(xiàn)性較好，同時(shí)又具有電路簡(jiǎn)單、器件少等優(yōu)點(diǎn)。
2012-12-31
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電源轉(zhuǎn)換中反激轉(zhuǎn)換器和降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)案例
在采用交流離線(xiàn)電源為L(zhǎng)ED供電的應(yīng)用中，涉及到眾多不同的應(yīng)用場(chǎng)合，如電子鎮(zhèn)流器、熒光燈替代、交通信號(hào)燈、LED燈泡、街道和停車(chē)照明、建筑物照明、障礙燈和標(biāo)志等。在這些從交流主電源驅(qū)動(dòng)大功率LED的應(yīng)用中，有兩種常見(jiàn)的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)，即在需要電流隔離(galvanic isolation)時(shí)使用反激轉(zhuǎn)換器，或在不需要隔離時(shí)使用較為簡(jiǎn)單的降壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2012-12-31
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Molex為工業(yè)和網(wǎng)絡(luò)工程師提供可信來(lái)源的QTL電纜組件
Molex公司推出新款Quick-Turn 電纜組件，不僅具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力，并且滿(mǎn)足小至中等批量客制化光纖客戶(hù)，而且可以滿(mǎn)足客戶(hù)快速交貨的定購(gòu)需求。
2012-12-30
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僅有105μA電源管理器件，是便攜式應(yīng)用的理想選擇
ON 安森美推出兩款新電源管理 IC CP6924 / NCP6914，兩款器件都提供多個(gè)配電字符串，節(jié)省電路板占用空間，并允許在整個(gè)系統(tǒng)以較高功率密度配電，協(xié)助解決散熱挑戰(zhàn)，成為便攜式應(yīng)用的理想電源分配方案。
2012-12-29
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SWS推出了超低噪聲高性能的ASIC
SWS針對(duì)Tronics的MEMS陀螺GYPRO2300提供ASIC，結(jié)合取得了目前市場(chǎng)上最高級(jí)別的性能。該陀螺（GYRPO2300）零偏穩(wěn)定性（艾倫方差）為1degree/h，超低噪聲為10degree/h/Sqrt(Hz)，熱零偏穩(wěn)定性為+/- 0.05 degree/s。
2012-12-29
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停機(jī)模式下消耗電流小于3uA的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器
Richtek推出RT7297C 3A , 18V , 800KHz同步直流對(duì)直流降壓轉(zhuǎn)換器，提供UVP輸出過(guò)低電壓保護(hù)及OTP過(guò)熱保護(hù) , 在停機(jī)模式下所需消耗電流小于3uA , 非常適用于待機(jī)模式及電池供電電源管理系統(tǒng)。
2012-12-29
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經(jīng)濟(jì)方便的提升消費(fèi)電子音質(zhì)的D類(lèi)音頻開(kāi)發(fā)
Silicon Labs 為32位嵌入式設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化數(shù)字D類(lèi)音頻開(kāi)發(fā)，外部組件僅需要便宜的電感、電容和鐵氧體磁珠，并且無(wú)需專(zhuān)門(mén)的功率場(chǎng)效晶體管?？梢越?jīng)濟(jì)方便的提升消費(fèi)電子的音質(zhì)。
2012-12-29
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LTE智能手機(jī)差異化設(shè)計(jì)點(diǎn)：基帶平臺(tái)
下一代智能手機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)將集中于LTE（4G），而LTE也成為手機(jī)芯片大廠(chǎng)逐鹿的新戰(zhàn)場(chǎng)。在高通、ST-Ericsson之后，博通也宣布跨入LTE芯片市場(chǎng)，加上聯(lián)發(fā)科明年的第一代產(chǎn)品亮相，LTE手機(jī)平臺(tái)大戰(zhàn)將一觸即發(fā)。本文進(jìn)行LTE基帶平臺(tái)的盤(pán)點(diǎn)和展望。
2012-12-29
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蘋(píng)果獲Micro SIM連接器專(zhuān)利 延續(xù)標(biāo)準(zhǔn)大戰(zhàn)
據(jù)Patentlyapple網(wǎng)站報(bào)道，蘋(píng)果Micro SIM(微型SIM卡)專(zhuān)利昨日獲得正式批準(zhǔn)。此項(xiàng)專(zhuān)利能幫助用戶(hù)更方便地拔插SIM卡，在用戶(hù)插入不當(dāng)時(shí)也可以保證設(shè)備不會(huì)受損，同時(shí)提供了可靠的機(jī)械性能。
2012-12-28
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中科院研制出可提升中國(guó)國(guó)產(chǎn)IC的競(jìng)爭(zhēng)力的MOSFET組件
中科院電子研究所在N型和P型 MOS 電容上取得了 EOT≦8.5 、漏電流降低3個(gè)數(shù)量級(jí)以及金屬閘主動(dòng)功函數(shù)距硅晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出組件性能進(jìn)一步提升的22nm MOSFET 組件。
2012-12-28
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在LVDS 接口中加入TVS保護(hù)，防止靜電干擾
LVDS 數(shù)據(jù)線(xiàn)連接廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)信號(hào)傳輸，例如，在商用打印機(jī)或者LCD 面板 與轉(zhuǎn)接板的連接。這些應(yīng)用需要TVS保護(hù)是由于使用了敏感的IC 器件，因此在信號(hào)線(xiàn)增加的TVS要方便走線(xiàn)。
2012-12-28
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完全符合汽車(chē)級(jí)ESD與EMI要求的雙向器件如何設(shè)計(jì)？
汽車(chē)級(jí)IC中采用新型三維箝位器件來(lái)整合魯棒性。通過(guò)確定互補(bǔ)“T”形與孤島有效區(qū)域，以控制高電平注入再生反饋期間的電子驅(qū)動(dòng)或空穴驅(qū)動(dòng)電流增益，可以最佳狀態(tài)實(shí)現(xiàn)高保持電壓雙向閉鎖箝位。箝位器件已集成至信號(hào)調(diào)理應(yīng)用，完全符合汽車(chē)級(jí)ESD與EMI要求。
2012-12-28
- 車(chē)輛區(qū)域控制架構(gòu)關(guān)鍵技術(shù)——趨勢(shì)篇
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