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模擬技術中的 ESD 穩(wěn)健設計面臨的挑戰(zhàn)
隨著便攜式電子產(chǎn)品、“智能設備”和汽車電子產(chǎn)品的不斷普及，對 IC 中嵌入模擬功能的需求也不斷增加。這推動了對特定模擬技術的需求，這些技術在整個半導體市場中所占的份額越來越大。
2023-11-01
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SiC器件如何顛覆不間斷電源設計?
不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲能系統(tǒng)可以確保住宅、電信設施、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)設備、醫(yī)療設備和其他關鍵設備的持續(xù)供電。憑借先進的半導體技術，這些系統(tǒng)能夠確?？煽抗╇?，提供濾波功能，并在發(fā)生短期電網(wǎng)斷電時保障供電。對于更長時間的停電，這些系統(tǒng)可以提供足夠的時間讓關鍵設備安全地關閉。
2023-11-01
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微型無線電供電貼紙可測量物體間的作用力
在許多情況下，了解一個物體對另一個物體施加了多大的力非常重要。我們設計了一種小而薄的貼紙來測量和傳遞這類數(shù)據(jù)，而不需要電線或電池。加州大學圣迭戈分校的科學家們正在開發(fā)這種名為 ForceSticker 的設備。除其他用途外，它還可用于監(jiān)測倉庫中堆疊包裹的重量，確保人工膝關節(jié)不會傷害鄰近的軟骨，甚至為機器人提供觸覺。
2023-10-26
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QSPICE發(fā)明者隨筆——利用寬帶隙FET簡化高壓調節(jié)
Charley Moser擁有EE博士學位，是我最早的模擬設計導師之一。從他那里，我學到了很多知識——混合pi晶體管建模、用于穩(wěn)定性分析的Bode圖對最小相位系統(tǒng)的限制、為什么要使用緩沖器以及如何設計緩沖器、防止擊穿的雙極基極拉電流、SCR在高溫下的使用等。其中，如何在高電壓下調節(jié)低功率是最引人注目的創(chuàng)新；這對我來說極具價值，因為我是多家儀器公司帶電粒子光學方案中所用高壓電源設計領域的高手。
2023-10-25
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動光耦合器設計
本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動光耦合器 IC 的柵極驅動器功率和熱耗散的主題。柵極驅動光耦合器用于驅動、開啟和關閉功率半導體開關、MOSFET/IGBT。柵極驅動功率計算可分為三部分；驅動器內部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開關(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動器IC和功率半導體開關之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動器）的 IGBT 柵極驅動器設計。
2023-10-25
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基于光學發(fā)射光譜法監(jiān)測等離子體的光譜峰
海洋光學（Ocean Optics）長期以來一直為半導體工藝設備供應商的新材料研究提供強大支持，同時協(xié)助用戶克服等離子刻蝕、沉積、涂層和清潔等方面的困難和挑戰(zhàn)。海洋光學的光譜儀，基于光學發(fā)射光譜技術，被廣泛應用于等離子體監(jiān)測，并在刻蝕終點檢測方面表現(xiàn)出色。
2023-10-24
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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動汽車 (EV) 和太陽能光伏 (PV) 應用中帶來的性能優(yōu)勢已經(jīng)得到了廣泛認可。不過，SiC 的材料優(yōu)勢還可能用在其他應用中，其中包括電路保護領域。本文將回顧該領域的發(fā)展，同時比較機械保護和使用不同半導體器件實現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點。最后，本文還將討論為什么 SiC 固態(tài)斷路器日益受到人們青睞。
2023-10-23
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艾睿5G和Wi-Fi 6融合無線通信解決方案
5G和Wi-Fi是針對不同應用需求所開發(fā)的通信技術，看似針對不同的市場與需求，但其實彼此之間具有互補性，若能夠將5G和Wi-Fi技術相結合，將能夠發(fā)揮5G和Wi-Fi技術各自的優(yōu)勢，并藉此擴大應用領域與市場。本文將為您介紹5G和Wi-Fi技術的最新發(fā)展與5G CPE（Customer Premises Equipment，用戶駐地設備）的應用模式，以及由艾睿電子、Nordic等公司推出的相關解決方案。
2023-10-23
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射頻信號鏈的原位非線性校準
提出了一種線性化級聯(lián)組合信號IC的新方法，用于原位校正PCB缺陷和相互加載。這樣可以大幅縮短系統(tǒng)設計/原型設計周期，并以可忽略不計的功耗成本最大限度地提高信號鏈性能。報告了使用高達3GHz的RF信號并使用12b/10GSPS ADC進行的實驗結果，驗證了該方法的有效性。
2023-10-23
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功率逆變器應用采用寬帶隙半導體器件時，柵極電阻選型注意事項
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優(yōu)勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區(qū)時間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應用中的優(yōu)缺點。
2023-10-22
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如何保護電源系統(tǒng)設計免受故障影響
正常運行時間是工業(yè)自動化、樓宇自動化、運動控制和過程控制等應用中保障生產(chǎn)力和盈利能力的關鍵指標。執(zhí)行維護、人為失誤和設備故障都會導致停機。與停機相關的維修成本和生產(chǎn)力損失可能非常高，具體取決于行業(yè)和事件的性質。與維護和人為失誤相關的停機無法避免，但大多數(shù)與設備相關的故障是可以預防的。本文重點介紹由電源故障引起的停機，以及如何在設備的電源系統(tǒng)中使用現(xiàn)代保護IC來防止發(fā)生電源故障。
2023-10-21
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給SiC FET設計PCB有哪些注意事項？
SiC FET（即SiC JFET和硅MOSFET的常閉共源共柵組合）等寬帶隙半導體開關推出后，功率轉換產(chǎn)品無疑受益匪淺。此類器件具有超快的開關速度和較低的傳導損耗，能夠在各類應用中提高效率和功率密度。然而，與緩慢的舊技術相比，高電壓和電流邊緣速率與板寄生電容和電感的相互作用更大，可能產(chǎn)生不必要的感應電流和電壓，導致效率降低，組件受到應力，影響可靠性。此外，由于現(xiàn)在SiC FET導通電阻通常以毫歐為單位進行測量，因此，PCB跡線電阻可能相當大，須謹慎降低以保持低系統(tǒng)傳導損耗。
2023-10-21
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