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改進(jìn)寬帶多通道系統(tǒng)，集成強(qiáng)化型DSP幫您搞掂~
過(guò)去幾十年來(lái)，無(wú)線系統(tǒng)通道數(shù)和帶寬一直穩(wěn)步增長(zhǎng)。對(duì)數(shù)據(jù)速率和系統(tǒng)整體性能的要求成為這些現(xiàn)代電信、雷達(dá)和儀器儀表系統(tǒng)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)因素。但與此同時(shí)，這些要求也加大了電源封裝和系統(tǒng)的復(fù)雜度，使功率密度和組件級(jí)別的功能變得更為重要。
2021-10-09
運(yùn)算放大器 轉(zhuǎn)換速率SR
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安森美電機(jī)開(kāi)發(fā)套件獲中國(guó)2021年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
2021年9月15日 —安森美(onsemi，納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布其電機(jī)開(kāi)發(fā)套件(MDK)獲《21IC中國(guó)電子網(wǎng)》選為2021年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。這一年度獎(jiǎng)項(xiàng)計(jì)劃是備受行業(yè)認(rèn)同的確定中國(guó)10個(gè)最具技術(shù)進(jìn)步的創(chuàng)新電源產(chǎn)品的一個(gè)基準(zhǔn)。
2021-09-15
安森美 電機(jī)開(kāi)發(fā)套件 電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
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為何完全集成式轉(zhuǎn)換環(huán)路器件可實(shí)現(xiàn)出色的相位噪聲性能？
目前對(duì)帶寬的需求呈爆炸式增長(zhǎng)，從而將載波頻率推高至幾十千兆赫。在這些高頻率下，客戶可使用更高的帶寬，不必?fù)?dān)心頻譜過(guò)度擁擠。但是，隨著頻率增加，針對(duì)這些器件和頻率的儀器儀表解決方案就會(huì)變得極其復(fù)雜。這是因?yàn)閮x器儀表解決方案需要提升一個(gè)數(shù)量級(jí)的性能，以避免損壞測(cè)試中的器件。
2021-09-15
集成式轉(zhuǎn)換環(huán)路器件 相位噪聲
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貿(mào)澤電子聯(lián)手STMicroelectronics推出全新內(nèi)容網(wǎng)站聚焦無(wú)線解決方案
貿(mào)澤電子與全球知名半導(dǎo)體解決方案制造商STMicroelectronics (ST) 聯(lián)手推出全新內(nèi)容網(wǎng)站，致力于為無(wú)線領(lǐng)域的工程師提供來(lái)自ST的新資源、新產(chǎn)品和技術(shù)新知。
2021-09-15
貿(mào)澤電子 STMicroelectronics 無(wú)線
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什么情況下應(yīng)該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來(lái)，為功率變換應(yīng)用帶來(lái)了一股令人激動(dòng)的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級(jí)結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進(jìn)，加上在拓?fù)浼軜?gòu)和開(kāi)關(guān)...
2021-09-15
硅片 寬帶隙技術(shù)
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雙向功率轉(zhuǎn)換器受益于 CoolSiCTM MOSFET
雙向功率轉(zhuǎn)換器是可再生能源和電動(dòng)汽車充電器中的關(guān)鍵部件。碳化硅開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)先前技術(shù)無(wú)法達(dá)到的效率水平。
2021-09-15
雙向功率轉(zhuǎn)換器 MOSFET
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風(fēng)電智慧運(yùn)維，一切盡在掌控
風(fēng)能的使用古代就出現(xiàn)，比如風(fēng)車抽水，風(fēng)力磨面作坊等，但是，利用風(fēng)力發(fā)電還要追溯至上世紀(jì)的三十年代，隨著兩次工業(yè)革命的完成，能源的大量消耗和環(huán)境的嚴(yán)重污染促使他們尋找一種新型的可再生能源，于是能量巨大的風(fēng)能就被進(jìn)一步開(kāi)發(fā)轉(zhuǎn)換成動(dòng)能，動(dòng)能再轉(zhuǎn)換成電能，風(fēng)力發(fā)電就應(yīng)運(yùn)而生了。
2021-09-15
風(fēng)電智慧
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