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能源電力

MOSFET性能改進：超級結(jié)MOSFET（SJ－MOS）

如果是D-MOS的情況，電場強度在P／N層接口處最強。當電場強度超過硅的極限時，會發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強度在N層中是均勻的。

2021-12-08

MOSFET 超級結(jié)MOSFET

如何以經(jīng)濟實惠的方式將 EtherNet/IP、EtherCAT 和 PROFINET 添加到自動化工廠

自主工廠依賴于各個組件（如運動控制器和機器人）之間的實時通信，而且這種通信必須實時進行。例如，100 英尺外的可編程邏輯控制器 (PLC) 向機器人發(fā)送的運動命令如果出現(xiàn)延遲，則可能會導致最終產(chǎn)品出現(xiàn)缺陷。

2021-12-08

EtherNet/IP EtherCAT PROFINET 自動化工廠

SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有單電源正電壓時如何實現(xiàn)負壓？

現(xiàn)代工業(yè)對電力電子設備提出了很多要求：體積小、重量輕、功率大、發(fā)熱少。面對這些要求，Si MOSFET因Si材料自身的限制而一籌莫展。SiC MOSFET因SiC材料的先天優(yōu)勢開始大顯神通。SiC MOSFET大規(guī)模商用唯一的缺點就是價格。

2021-12-07

SiC MOSFET 單電源正電壓 Si MOSFET

一舉三得：直接用碳化硅器件，可節(jié)能、提高功率轉(zhuǎn)換效率、減少設計尺寸

更高的效率無疑是一個優(yōu)勢，但是有時候“更高”的陳述是不準確的，比如：家庭電子器件散發(fā)“更高”的熱量可以減輕您的中央供暖工作在寒冷氣候中的工作量，也許會帶來能量使用和成本方面的整體好處，還可以采用效率相對低效的鍋爐。如果用“更高”來描述白熾燈，它可以在您需要溫暖時成為非常高效的加熱器。

2021-11-30

碳化硅器件

連接SPI接口器件 - 第一部分

LEC2 Workbench系列技術博文主要關注萊迪思產(chǎn)品的應用開發(fā)問題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設計專家撰寫。LEC2是專門針對萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓服務供應商。

2021-11-29

SPI接口器件

重負載時中開關元件工作相關的注意事項

在重負載時，如果MOSFET的體二極管的反向恢復時間trr較長，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關斷時，寄生雙極晶體管可能會誤導通，從而損壞MOSFET。這種問題發(fā)生在由關斷時產(chǎn)生的對漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導通（誤導通）、瞬間流過大電流時。

2021-11-29

重負載開關元件注意事項

如何使用數(shù)字信號控制器構(gòu)建更好的汽車和電動汽車系統(tǒng)

傳統(tǒng)的汽車和電動汽車系統(tǒng)都依賴于無數(shù)電子設備的有效運行，以實現(xiàn)便利功能以及關鍵任務功能安全功能。雖然提出了各種各樣的要求，但這些不同的應用從根本上要求能夠在極端條件下運行，同時提供可靠、高性能的實時響應。

2021-11-26

數(shù)字信號控制器汽車系統(tǒng) 電動汽車系統(tǒng)

高壓放大器在交變電場空間電荷測量研究中的應用

交變高壓源為試樣材料提供測試所需的高壓電場環(huán)境。高壓源有兩種實現(xiàn)方式，一是直接選用高壓發(fā)生設備，二是采用高壓放大器，需要信號發(fā)生器輸入一個幅值較低的控制信號，放大器將控制信號放大后輸出。在交變電場空間電荷的測量中，需要協(xié)調(diào)交變高壓和脈沖源輸出在時序上的先后關系，測量特定相位點...

2021-11-26

高壓放大器交變電場空間電荷測量