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工業(yè)充電器能效革命：碳化硅技術選型與拓撲優(yōu)化實戰(zhàn)
隨著800V高壓平臺在電動汽車與工業(yè)儲能領域加速滲透，傳統(tǒng)硅基功率器件正面臨開關損耗與散熱設計的雙重瓶頸。以碳化硅（SiC）MOSFET為代表的新型半導體，憑借10倍于IGBT的開關頻率和85%的能效提升率，正推動工業(yè)充電器架構向高頻化、集成化躍遷。本文深度解析SiC技術賦能的拓撲結構選型策略，揭曉如何在LLC諧振、圖騰柱PFC等創(chuàng)新方案中精準匹配功率器件參數，實現(xiàn)系統(tǒng)成本與性能的黃金平衡點。
2025-08-19
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工業(yè)充電器PFC拓撲進化論：SiC如何重塑高效電源設計？
在工業(yè)4.0時代，從便攜式電動工具到重型AGV（自動導引車），電池供電設備正加速滲透制造業(yè)、倉儲物流和建筑領域。然而，工業(yè)級充電器的設計挑戰(zhàn)重重：既要承受嚴苛環(huán)境（如高溫、震動、粉塵），又需在120V~480V寬輸入電壓下保持高效穩(wěn)定，同時滿足輕量化、無風扇散熱的需求。碳化硅（SiC）功率器件的崛起，正為這一難題提供破局關鍵——其超快開關速度和低損耗特性，不僅提升了功率密度，更解鎖了傳統(tǒng)IGBT難以實現(xiàn)的新型PFC（功率因數校正）拓撲。本文將深入解析工業(yè)充電器的PFC級設計策略，助您精準選型。
2025-08-18
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光伏充電控制器升級首選？TI GaN 的高效小型化低成本之道
德州儀器最新研究揭示：采用其先進的氮化鎵 (GaN) 功率器件，光伏充電控制器的性能與設計迎來顯著躍升。相較于傳統(tǒng)硅基MOSFET方案，GaN技術不僅大幅提升系統(tǒng)效率，更能有效縮減電路板面積，且關鍵優(yōu)勢在于——實現(xiàn)這些突破的同時，系統(tǒng)物料成本 (BOM) 可維持不變。
2025-08-04
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意法半導體1600V IGBT新品發(fā)布：精準適配大功率節(jié)能家電需求
針對高性價比節(jié)能家電市場對高效、可靠功率器件的迫切需求，意法半導體近日推出STGWA30IH160DF2 IGBT，該產品以1600V額定擊穿電壓為核心，融合優(yōu)異熱性能與軟開關拓撲高效運行特性，專為電磁爐、微波爐、電飯煲等大功率家電設計，尤其適配需并聯(lián)使用的場景，助力家電產品在節(jié)能與性能間實現(xiàn)平衡。
2025-07-16
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驅動器技術全景圖：從原理到國產替代的破局之路
驅動器作為電子系統(tǒng)中的能量調度中樞，通過將微控制器的低功率信號轉換為高功率驅動信號，實現(xiàn)對電機、功率器件、LED等負載的精確控制。其核心價值在于解決控制單元與執(zhí)行單元間的能量鴻溝——在保障電氣安全隔離的同時，提升能效與可靠性。隨著工業(yè)4.0與電動汽車的爆發(fā)式增長，驅動器技術正經歷從“單一功能”向“智能集成”的范式躍遷。
2025-07-08
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從實驗室到市場：碳化硅功率器件如何突破可靠性瓶頸
從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。 從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。
2025-05-16
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功率器件新突破！氮化鎵實現(xiàn)單片集成雙向開關
氮化鎵（GaN）單片雙向開關正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動導通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實現(xiàn)第三象限傳導。這種被動式反向導通不僅缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導致效率損失。為實現(xiàn)雙向可控傳導，工程師常采用背對背（B2B）拓撲級聯(lián)兩個器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復雜度。
2025-05-11
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迎刃而解——華大九天Polas利器應對功率設計挑戰(zhàn)
電源管理集成電路（PMIC）設計涉及電源轉換、電壓調節(jié)、電流管理等核心領域。隨著技術節(jié)點的演進，功率器件面臨著更大的電壓差、更高的電流密度以及更為嚴苛的功率/熱耗散要求；金屬互聯(lián)層的電阻在整體導通電阻中的占比越來越大；異形大金屬圖層以及功率器件拆分方式對參數提取的準確性造成了影響；封裝對芯片內電氣特性的影響亦愈發(fā)顯著。這些因素共同對功率設計在電遷移（EM）、熱性能（Thermal）和導通電阻（RDSon）等可靠性方面帶來了新的挑戰(zhàn)。此外，如何高效地驅動具有較大有效柵極寬度的PowerMOS，以及如何防止上下管開關切換過程中的穿通漏電現(xiàn)象，也成為功率設計領域的核心難題。
2025-02-13
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使用MSO 5/6內置AWG進行功率半導體器件的雙脈沖測試
SiC器件的快速開關特性包括高頻率，要求測量信號的精度至少達到100MHz或更高帶寬 (BW)，這需要使用額定500MHz或更高頻率的示波器和探頭。在本文中，寬禁帶功率器件供應商Qorvo與Tektronix合作，基于實際的SiC被測器件 (DUT)，描述了實用的解決方案。
2025-01-26
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
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功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數
在功率器件的熱設計基礎系列文章《功率半導體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法》和《功率半導體芯片溫度和測試方法》分別講了功率半導體結溫、芯片溫度、殼溫和散熱器溫度的測試方法，用的測溫儀器是熱電偶、紅外成像儀和模塊中的NTC和芯片上的二極管。
2024-12-31
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅動新一代PHEV平臺
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