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汽車電子

多晶硅中國模式輪回：沖動已過懲罰難免到來

在2009年之前，多晶硅產(chǎn)銷市場有兩個顯著特征：第一，是以小單位的公斤計量;第二，有著超額的暴利。并且，受到國家產(chǎn)業(yè)政策和地方政府的支持。

2009-11-05

多晶硅光伏產(chǎn)能過剩懲罰

IR推出75V低側(cè)智能功率開關(guān)，適用于嚴(yán)苛的24V汽車環(huán)境

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 AUIPS2051L 和AUIPS2052G 75V 低側(cè)智能功率開關(guān) (IPS) ，適用于嚴(yán)苛的 24V 汽車環(huán)境，包括卡車接線盒應(yīng)用。

2009-11-05

IR 低側(cè)智能功率開關(guān) 24V 汽車環(huán)境

瑞薩半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備業(yè)務(wù)易手日立高科

株式會社瑞薩東日本半導(dǎo)體公司目前主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的開發(fā)，日立高科則主要負(fù)責(zé)這些產(chǎn)品的全球銷售。日立高科和瑞薩一致認(rèn)為：整合管理那些與半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備相關(guān)的生產(chǎn)、銷售和服務(wù)開發(fā)將是最佳的可行方案。此舉不僅有利于提高對近年富于變化的市場靈活性的應(yīng)對能力、進一步的增強業(yè)務(wù)水平并...

2009-11-04

日立高科瑞薩科技半導(dǎo)體設(shè)備

前三季度中國電子信息產(chǎn)品出口同比下降20%

工業(yè)和信息化部近日發(fā)布的電子信息產(chǎn)業(yè)運行分析報告顯示，前三季度中國電子信息產(chǎn)品出口3123．8億美元，同比下降20％。

2009-11-04

出口電子產(chǎn)品下降中國

成熟晶體工藝受到中高端電子產(chǎn)品的歡迎

石英晶體諧振器，包括SMD和DIP兩大類。其中SMD石英晶體諧振器在中高端電子產(chǎn)品市場是非常受歡迎的。石英晶體元器件產(chǎn)品可分為：石英晶體諧振器、石英晶體振蕩器。石英晶體元器件由于品質(zhì)因數(shù)（即“Q值”）較高，而且受溫度影響所造成的頻率偏移較小，相對其他振蕩元器件更加準(zhǔn)確和穩(wěn)定，特別適用于對...

2009-11-04

SMD DIP 石英晶體諧振器

ACPL-M71T和ACPL-M72T：Avago推出高速低功耗數(shù)字光電耦合器

Avago Technologies(安華高科技)10月29日宣布，推出二款面向油電混合動力車(HEV, Hybrid Electronic Vehicles)應(yīng)用所設(shè)計的車用級高速低功耗數(shù)字CMOS光電耦合器產(chǎn)品。

2009-11-03

ACPL-M71T ACPL-M72T 光電耦合器 CMOS LED Avago

電子信息業(yè)競爭日益激烈出口不容樂觀

1-8月，規(guī)模以上電子信息制造業(yè)實現(xiàn)主營業(yè)務(wù)收入29618億元，同比下降4.8%；前9個月,完成出口交貨值20330億元,同比下降10.6%；今年世界經(jīng)濟將下降1%以上,全球貿(mào)易將下降10%以上。

2009-11-03

電子信息制造業(yè) 電子信息產(chǎn)品元器件

DS4625:Maxim推出結(jié)構(gòu)緊湊的雙輸出晶體振蕩器

Maxim推出雙輸出LVPECL晶體振蕩器DS4625，設(shè)計用于要求苛刻的通信系統(tǒng)。該器件產(chǎn)生兩路100MHz至625MHz范圍的高頻輸出，允許設(shè)計人員使用單個器件替換兩個分立的振蕩器。DS4625采用5mm x 3.2mm LCC封裝，尺寸比傳統(tǒng)方案(5mm x 7mm)減小了55%。

2009-11-03

DS4625 晶體振蕩器 AT切晶體技術(shù) PLL Maxim

安森美半導(dǎo)體推出新的高密度溝槽MOSFET

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、μ8FL及SOIC-8封裝，為計算機和游戲機應(yīng)用中的同步降壓轉(zhuǎn)換器提供更高的開關(guān)性能。

2009-11-03

安森美半導(dǎo)體高密度溝槽MOSFET