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如何通過 LLC 串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器優(yōu)化LLC-SRC設(shè)計(jì)？
十幾年來，電源行業(yè)廣泛采用了圖 1 中所示的電感器-電感器-電容器 (LLC) 串聯(lián)諧振轉(zhuǎn)換器 (LLC-SRC) 作為低成本、高效率的隔離式功率級，其中包含兩個(gè)諧振電感器（兩個(gè)“L”：Lm 和 Lr）和一個(gè)諧振電容器（一個(gè)“C”：Cr）。LLC-SRC 器件具有軟開關(guān)特性，沒有復(fù)雜的控制方案。得益于軟開關(guān)特性，該器件支持使用額定電壓較低的元件，并可提高效率。該器件采用簡單的控制方案，即具有 50% 固定占空比的變頻調(diào)制方案，與相移全橋轉(zhuǎn)換器等用于其他軟開關(guān)拓?fù)涞目刂破飨啾龋璧目刂破鞒杀靖汀?/p>
2025-05-21
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工程師必看！從驅(qū)動(dòng)到熱管理：MOSFET選型與應(yīng)用實(shí)戰(zhàn)手冊
MOSFET因其獨(dú)特的性能優(yōu)勢，已成為模擬電路與數(shù)字電路中不可或缺的元件，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)設(shè)備、智能手機(jī)及便攜式數(shù)碼產(chǎn)品中。其核心優(yōu)勢體現(xiàn)在三個(gè)方面：驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)簡化，所需驅(qū)動(dòng)電流遠(yuǎn)低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅(qū)動(dòng)；開關(guān)速度優(yōu)異，無電荷存儲(chǔ)效應(yīng)，支持高速工作；熱穩(wěn)定性強(qiáng)，無二次擊穿風(fēng)險(xiǎn)，高溫環(huán)境下性能表現(xiàn)更穩(wěn)定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現(xiàn)尤為突出。
2025-05-15
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功率器件新突破！氮化鎵實(shí)現(xiàn)單片集成雙向開關(guān)
氮化鎵（GaN）單片雙向開關(guān)正重新定義功率器件的電流控制范式。 傳統(tǒng)功率器件（如MOSFET或IGBT）僅支持單向主動(dòng)導(dǎo)通，反向電流需依賴體二極管或外接抗并聯(lián)二極管實(shí)現(xiàn)第三象限傳導(dǎo)。這種被動(dòng)式反向?qū)ú粌H缺乏門極控制能力，更因二極管壓降導(dǎo)致效率損失。為實(shí)現(xiàn)雙向可控傳導(dǎo)，工程師常采用背對背（B2B）拓?fù)浼壜?lián)兩個(gè)器件，卻因此犧牲了功率密度并增加了系統(tǒng)復(fù)雜度。
2025-05-11
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雙脈沖測試系統(tǒng)如何確保晶體管性能可比較性
在電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中，為確保電源晶體管的性能評估準(zhǔn)確性，選擇合適的器件至關(guān)重要。理想情況下，功率半導(dǎo)體供應(yīng)商提供的數(shù)據(jù)表應(yīng)包含一致且可比較的動(dòng)態(tài)參數(shù)。然而，在實(shí)際操作中，尤其是針對表征寬帶gap（WBG）功率晶體管的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測試，實(shí)現(xiàn)使寄生蟲保持較小且從系統(tǒng)之間保持一致的挑戰(zhàn)。本文聚焦于設(shè)計(jì)一套標(biāo)準(zhǔn)化的雙脈沖測試（DPT）系統(tǒng)，旨在實(shí)現(xiàn)不同測試系統(tǒng)間動(dòng)態(tài)特性結(jié)果的可關(guān)聯(lián)性。文中詳細(xì)闡述了在設(shè)計(jì)此類系統(tǒng)時(shí)需考慮的關(guān)鍵因素，包括如何最小化寄生參數(shù)影響及確保系統(tǒng)間測試條件的一致性。
2025-05-10
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能效升級新引擎！拆解IGBT的三大技術(shù)優(yōu)勢
在消費(fèi)電子市場高速發(fā)展的當(dāng)下，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）已成為現(xiàn)代家電設(shè)備中不可或缺的核心器件。憑借其優(yōu)異的開關(guān)特性、低導(dǎo)通損耗及出色的熱管理能力，IGBT技術(shù)正持續(xù)推動(dòng)家電產(chǎn)品能效升級。安世半導(dǎo)體推出的650 V G3 IGBT平臺(tái)產(chǎn)品，通過性能優(yōu)化與可靠性提升，為家電設(shè)備的高效化、節(jié)能化發(fā)展提供了關(guān)鍵解決方案。
2025-05-07
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碳化硅能效革命核心突破點(diǎn)：共源共柵（cascode）結(jié)構(gòu)詳解
安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管（SiC JFET cascode）在硬開關(guān)與軟開關(guān)應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著技術(shù)優(yōu)勢。其官方發(fā)布的《SiC JFET共源共柵應(yīng)用指南》系列文檔，通過三篇技術(shù)解析深入剖析器件特性，本文作為開篇之作，將聚焦闡釋cascode結(jié)構(gòu)的核心機(jī)理。該指南不僅系統(tǒng)闡述共源共柵器件的拓?fù)浼軜?gòu)，更對關(guān)鍵電參數(shù)、獨(dú)特性能優(yōu)勢及設(shè)計(jì)支持體系進(jìn)行全方位解讀，為功率半導(dǎo)體開發(fā)者提供從基礎(chǔ)理論到實(shí)踐應(yīng)用的完整技術(shù)指引。
2025-04-08
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二次整流電路設(shè)計(jì)難點(diǎn)解析
在電源工程師歡呼有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器(ACFC)突破50%占空比限制之際，一個(gè)被長期忽視的設(shè)計(jì)陷阱正在浮現(xiàn)——最小占空比(Dmin)的精細(xì)控制已成為決定系統(tǒng)可靠性的生死線。實(shí)測數(shù)據(jù)顯示，當(dāng)Dmin低于15%時(shí)，ACFC的開關(guān)損耗會(huì)陡增300%，電磁干擾(EMI)惡化達(dá)18dBμV。
2025-04-08
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深度剖析柵極驅(qū)動(dòng)器IC在半橋拓?fù)潆娫崔D(zhuǎn)換中的選型指南與隔離設(shè)計(jì)
半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換器件中。這種開關(guān)模式配置的核心是柵極驅(qū)動(dòng)器IC，其主要功能是使用脈寬調(diào)制信號(hào)向高端和低端MOSFET功率開關(guān)提供干凈的電平轉(zhuǎn)換信號(hào)。
2025-03-19
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電子保險(xiǎn)絲選型要點(diǎn)全解析
盡管變化很大，但保險(xiǎn)絲的基本功能始終如一。保險(xiǎn)絲始終都是保護(hù)電路免受過電流影響的保護(hù)器件，無論過電流是數(shù)百安培，還是僅僅幾毫安。通常情況下，采取的保護(hù)措施是將電路與電源斷開。對于傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲來說，這意味著保險(xiǎn)絲會(huì)熔斷，需要實(shí)際更換保險(xiǎn)絲。而電子保險(xiǎn)絲則是通過半導(dǎo)體開關(guān)來斷開連接，因而可以進(jìn)行復(fù)位，而且通常能夠自動(dòng)復(fù)位。
2025-03-19
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LDO穩(wěn)壓器核心知識(shí)點(diǎn)全解析：掌握這些，你就是專家！
現(xiàn)代電子設(shè)備正變得越來越小，越來越便攜。智能手表、健身追蹤器、安防系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備越來越多地采用電池供電。因此，這些設(shè)備需要高效率電源穩(wěn)壓器，能夠從每次充電中炸盡每一毫瓦的功率，以確保設(shè)備工作更長的時(shí)間。此外，這些設(shè)備的總過溫升必須極小。傳統(tǒng)的線性穩(wěn)壓器和開關(guān)模式電源穩(wěn)壓器無法輕易地滿足這些便攜式設(shè)備的效率要求。此外，開關(guān)模式電源穩(wěn)壓器也會(huì)受到噪聲和瞬態(tài)電壓的影響。
2025-03-18
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三種常見人體感應(yīng)傳感器的區(qū)別與實(shí)戰(zhàn)方案
人體感應(yīng)傳感器能檢測人體和物體接近，并給出變化的電平信號(hào)，實(shí)現(xiàn)開關(guān)和喚醒的功能，實(shí)現(xiàn)人體存在、微動(dòng)、近距喚醒等多種低功耗雷達(dá)傳感器的場景應(yīng)用。在設(shè)備智能化，低碳節(jié)能和改善用戶體驗(yàn)方面，移動(dòng)感應(yīng)器市場需求顯著增加。
2025-03-18
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ST 新款微型單片降壓轉(zhuǎn)換器，用于智能電表、家電和工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器提供低電壓電源
意法半導(dǎo)體新款微型單片降壓轉(zhuǎn)換器DCP3601集成大量的功能，具有更高的設(shè)計(jì)靈活性，可以簡化應(yīng)用設(shè)計(jì)，降低物料清單成本。這款芯片內(nèi)置功率開關(guān)與補(bǔ)償電路，構(gòu)建完整的輸出電壓設(shè)置電路，僅需電感器、自舉電容、濾波電容、反饋電阻等6個(gè)外部元件。
2025-03-05
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