2022年6月17日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其備受好評(píng)的Empowering Innovation Together?計(jì)劃的新一期內(nèi)容。在“實(shí)現(xiàn)更高安全性的設(shè)計(jì)”這一期,貿(mào)澤探討了在設(shè)計(jì)過(guò)程中的每個(gè)階段融入安全性的重要性,從架構(gòu)選擇和組件挑...
2022-06-17
貿(mào)澤電子 安全設(shè)計(jì)
中國(guó)上海 – 2022年6月16日,全球領(lǐng)先的邊緣計(jì)算解決方案提供商—凌華科技推出基于華為Ascend Atlas200的全新邊緣智能服務(wù)器AES-100,突破固有服務(wù)器的設(shè)計(jì)理念,采用分布式AI節(jié)點(diǎn)加彈性靈活的處理器設(shè)計(jì)方案,可在緊湊的1U空間內(nèi)布置多路邊緣處理單元,也可以根據(jù)場(chǎng)景和需求不同搭配不同的CPU模塊,...
2022-06-16
凌華科技 AES-100 服務(wù)器
在IGBT時(shí)代,門(mén)極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無(wú)非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域,還未有約定俗成的門(mén)極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門(mén)極電壓選擇上的困惑,提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門(mén)極電壓
對(duì)于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接,串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實(shí)上的通信標(biāo)準(zhǔn)。由于存在廣泛的硬件和軟件支持,SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當(dāng)控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠(yuǎn)(不大于1米)時(shí)...
2022-06-14
工業(yè)應(yīng)用 SPI ADI
對(duì)于手邊的一款外部引線斷裂的蘋(píng)果手機(jī)無(wú)線充電器進(jìn)行拆卸,觀察其內(nèi)部電路工藝設(shè)計(jì)。但是由于電路上主要芯片型號(hào)文字顯示不清,故此對(duì)于其主要工作原理尚不清楚。
手機(jī) 無(wú)線充電器
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路,對(duì)于光耦前向耦合電流增益的特性進(jìn)行了討論。博文分別被公眾號(hào) TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
電解電容 光耦 振蕩電路
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力,實(shí)現(xiàn)方法是:
2022-06-13
功率器件 功率密度
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