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AI&IoT

利用寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)提高功率轉(zhuǎn)換效率

寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。

2021-09-01

寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù) 功率轉(zhuǎn)換效率

改進JBS結(jié)構(gòu)以降低泄漏電流和提高浪涌電流能力

肖特基二極管（SBD）具有反向恢復(fù)時間（trr）短、正向電壓（VF）低等優(yōu)點，但也存在泄漏電流大等缺點。東芝的SiC SBD使用改進的結(jié)構(gòu)克服了這個缺點。

2021-09-01

JBS結(jié)構(gòu) 泄漏電流浪涌電流

安森美AR0234CS圖像傳感器獲人工智能產(chǎn)品創(chuàng)新獎

安森美(onsemi，納斯達克股票代號：ON)宣布其全局快門AR0234CS 230萬像素CMOS圖像傳感器在“2021年中國人工智能卓越創(chuàng)新獎”評選中獲選為“最具創(chuàng)新價值產(chǎn)品獎”。

2021-09-01

安森美圖像傳感器人工智能

使用增強模式NMOS晶體管的簡單差分放大器

本次實驗旨在研究使用增強模式NMOS晶體管的簡單差分放大器。2021年6月學(xué)子專區(qū)文章中提出的關(guān)于硬件限制問題的說明對本次實驗也是有效的。通過提高信號電平，然后在波形發(fā)生器輸出和電路輸入之間放置衰減器和濾波器（參見圖1），可以改善信噪比。本次實驗需要如下材料：

2021-09-01

增強模式 NMOS晶體管差分放大器

芯和半導(dǎo)體參展DesignCon2021大會，發(fā)布高速仿真EDA 2021版本

2021年8月19日，中國上海訊——國產(chǎn)EDA行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)芯和半導(dǎo)體，在美國圣何塞舉行的2021年DesignCon大會上，正式發(fā)布其高速仿真EDA解決方案2021版本。

2021-08-31

芯和半導(dǎo)體 DesignCon2021 高速仿真EDA

Cree | Wolfspeed與ST擴大現(xiàn)有150mm SiC晶圓供應(yīng)協(xié)議

2021年8月19日，美國北卡羅萊納州達勒姆訊 –– 全球碳化硅技術(shù)領(lǐng)先企業(yè)科銳Cree, Inc.（美國納斯達克上市代碼：CREE）與意法半導(dǎo)體STMicroelectronics（美國紐約證券交易所上市代碼：STM）宣布擴大現(xiàn)有的多年長期碳化硅（SiC）晶圓供應(yīng)協(xié)議?？其J旗下 Wolfspeed 是全球 SiC 技術(shù)引領(lǐng)者。意法半導(dǎo)體是...

2021-08-31

Cree ST SiC晶圓

芯和半導(dǎo)體發(fā)布基于微軟Azure的EDA云平臺

2021年8月**日，中國上海訊——國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，芯和半導(dǎo)體科技（上海）有限公司（以下簡稱“芯和半導(dǎo)體”）在美國圣何塞舉行的2021年DesignCon大會上，正式發(fā)布其基于微軟Azure的EDA云平臺。

2021-08-30

芯和半導(dǎo)體 Azure EDA云平臺

貿(mào)澤發(fā)布Empowering Innovation Together系列第四期，聚焦傳感器技術(shù)

2021年8月17日 – 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 今天發(fā)布了其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together?（共求創(chuàng)新）計劃2021系列的第四期。本期通過《科技在你我之間》播客的新節(jié)目、博客文章和信息圖等內(nèi)容形式，介紹了多種傳感器類型和應(yīng)用。

2021-08-26

貿(mào)澤傳感器技術(shù)

EeIE2021智博會邀請函

第七屆深圳國際智能裝備產(chǎn)業(yè)博覽會暨第十屆深圳國際電子裝備產(chǎn)業(yè)博覽會【以下簡稱EeIE2021】以“智能改變未來，產(chǎn)業(yè)促進發(fā)展”為主題，定位于創(chuàng)新型、專業(yè)性和國際化，集中展示深圳智能裝備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展成就，以打造全球智能裝備領(lǐng)域第一展會平臺為目標。

2021-08-24

智博會智能裝備