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元器件價(jià)格走勢(shì)分析:市場(chǎng)前景難料
鑒于能源和原材料價(jià)格下降,人們認(rèn)為,電子元器件制造商的贏利狀況會(huì)有所改善,但另一個(gè)更大的挑戰(zhàn)冒了出來,即需求的一蹶不振??偟膩碚f,在接下來的幾個(gè)季度里,元器件的價(jià)格,除了鉭電容以外,不會(huì)出現(xiàn)上漲。整體需求的疲軟使得漲價(jià)十分困難。總體上,市場(chǎng)的價(jià)格將會(huì)溫和下降,供貨期將會(huì)縮短。...
2008-12-12
元器件價(jià)格 價(jià)格走勢(shì)
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京東方8代線有望落戶北京 總投資250-300億
就在液晶面板市場(chǎng)行情逐步下滑的情況下,市場(chǎng)傳出了京東方醞釀上馬8代線的消息。有消息稱,這條國(guó)內(nèi)最先進(jìn)的液晶顯示器生產(chǎn)線,總投資額高達(dá)250億-300億元,已確定在亦莊經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)建設(shè),并將于明年9月之前開工。
2008-12-12
液晶 面板 8代線 液晶顯示器 生產(chǎn)線 減產(chǎn)
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電容器:新一輪高速增長(zhǎng)初具基礎(chǔ)
電容器產(chǎn)業(yè)成本全面上漲,而售價(jià)卻一再下降,整個(gè)行業(yè)受到雙重壓力。因此,電容器行業(yè)必須進(jìn)行創(chuàng)新,才能跟上電子整機(jī)發(fā)展的需要。我國(guó)已成為全球電容器生產(chǎn)大國(guó)和消費(fèi)大國(guó),產(chǎn)量位居全球第一,銷售額位居全球第二。由于受世界經(jīng)濟(jì)環(huán)境的影響,電容器產(chǎn)業(yè)面臨能源成本、材料成本、勞動(dòng)力成本、環(huán)保...
2008-12-11
電容器 彩電 家電 儀器儀表 ISO14000 長(zhǎng)城CQC UL CSA
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SiP4613A/B :Vishay新型高端負(fù)載開關(guān)器件
日前,Vishay推出一款新型有保護(hù)的高端負(fù)載開關(guān)-- SiP4613A/B。隨著該型器件的面世,Vishay進(jìn)一步擴(kuò)充了其電流限制保護(hù)負(fù)載開關(guān)系列。該器件可在 2.4V~5.5V 的電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行,并可處理 1A 的持續(xù)輸出電流。
2008-12-11
負(fù)載開關(guān) SiP4613A/B 電源管理 電流限制 開關(guān)
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廢舊電池國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)制定首次通過立項(xiàng)
日前,記者從在深圳召開的全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)審定會(huì)議上獲悉,由深圳市格林美高新技術(shù)股份有限公司牽頭制定的《一次廢舊電池分類》、《二次小型電池廢料廢件分類》、《廢舊電池的儲(chǔ)運(yùn)規(guī)范》通過立項(xiàng)。這將填補(bǔ)我國(guó)有關(guān)廢舊電池標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)域的空白,是廢棄物循環(huán)利用的一次有益探索。
2008-12-11
鈷粉 鎳粉 有色金屬標(biāo)準(zhǔn)審定會(huì)議 廢舊電池 電池廢料 電池
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東芝延后在臺(tái)MEMS代工計(jì)劃
據(jù)Digitimes網(wǎng)站報(bào)道,東芝公司日前已經(jīng)通知臺(tái)積電及聯(lián)電兩家公司,受全球經(jīng)濟(jì)低迷影響,東芝將推遲在上述任何一家公司生產(chǎn)MEMS麥克風(fēng)的計(jì)劃
2008-12-11
MEMS 麥克風(fēng) 代工
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寧海太陽(yáng)能電池產(chǎn)能突破百兆瓦
最近,寧波澳蘭弗公司投入8000萬元資金,新上了一條單晶硅電池切片項(xiàng)目。這樣,“澳蘭弗”在生產(chǎn)1億元單晶硅棒的基礎(chǔ)上,產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步得到拉伸。據(jù)了解,在制造業(yè)信心指數(shù)普遍趨低的今天,寧海縣太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)投資卻炙手可熱:今年前十個(gè)月,該縣有10多家燈具、文具企業(yè)轉(zhuǎn)型投向“綠色能源”,總投資額...
2008-12-11
寧海縣 單晶硅電池 太陽(yáng)能 光伏 海益矽金 得裕太陽(yáng)能 家良光伏 天元光伏
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英特爾開發(fā)出突破性硅基APD
英特爾(Intel)周日宣布,他們?cè)谕ㄍ庥?jì)算機(jī)的道路上又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。Intel在最新一期自然雜志上發(fā)表的文章宣稱,公司已經(jīng)使用硅材料創(chuàng)造了雪崩光電二極管(APD)的性能世界紀(jì)錄,頻率高達(dá)340GHz。
2008-12-11
光計(jì)算機(jī) 光腦 光通訊 雪崩光電二極管 APD 二極管
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英特爾開發(fā)出突破性硅基APD
英特爾(Intel)周日宣布,他們?cè)谕ㄍ庥?jì)算機(jī)的道路上又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。Intel在最新一期自然雜志上發(fā)表的文章宣稱,公司已經(jīng)使用硅材料創(chuàng)造了雪崩光電二極管(APD)的性能世界紀(jì)錄,頻率高達(dá)340GHz。
2008-12-11
光計(jì)算機(jī) 光腦 光通訊 雪崩光電二極管 APD 二極管
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