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Rohm高功率貼片電阻器實(shí)現(xiàn)業(yè)界頂級(jí)額定功率
ROHM開(kāi)發(fā)成功的“PSML1/PSML2”在中電流區(qū)的發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到領(lǐng)先世界水準(zhǔn)的7cd（100mA電流下）。而且，由于采用導(dǎo)熱率高的Cu結(jié)構(gòu)，并且使它在封裝的底面暴露出來(lái)，所以擴(kuò)大了熱量向電路板散發(fā)的路徑，大幅度改善了散熱性。
2008-11-27
LTR系列 貼片 電阻器 貼片電阻器
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釹鐵硼永磁材料逐漸成為主流磁性材料
釹鐵硼永磁材料具有的優(yōu)異性能，使其目前正在替代其他磁性材料而成為主流磁性材料，被廣泛應(yīng)用于能源、交通、機(jī)械、醫(yī)療、計(jì)算機(jī)、家電等領(lǐng)域。
2008-11-27
釹鐵硼 永磁材料
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互連：從微米過(guò)渡到納米
良好的系統(tǒng)設(shè)計(jì)始終需要可靠性高的電纜系統(tǒng)連接到主儀表板，而且通常需要更多的線路數(shù)量。在儀器內(nèi)部，信號(hào)、數(shù)據(jù)處理以及探針的發(fā)辮必須連接到眾多專門(mén)用于執(zhí)行特定功能的模塊中，而這些模塊也在不斷減小。隨著模塊功能的增加，它的內(nèi)部密度也隨之增加，而模塊的尺寸減小至微米量級(jí)。間距1.3mm的微...
2008-11-27
連接器 納米 微米 電纜
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施耐德電氣推出XUV超聲波傳感器
施耐德電氣公司推出新型XUV超聲波傳感器。該超聲波傳感器在建造上滿足高效和減少裝備成本，同時(shí)它使用了鏡面反射技術(shù)來(lái)檢測(cè)任何材料標(biāo)簽、尺寸、顏色或透明度。
2008-11-27
XUV 超聲波傳感器 傳感器 標(biāo)簽 單層板 雙層板 拼接板 起皺檢測(cè)
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電子產(chǎn)品企業(yè)減排行動(dòng)遲鈍
近日，綠色和平組織公布了綠色電子產(chǎn)品排行榜。據(jù)其顯示，大部分消費(fèi)者電子產(chǎn)品企業(yè)對(duì)氣候變化影響反應(yīng)遲鈍。摩托羅拉、微軟、戴爾、蘋(píng)果、聯(lián)想、三星、任天堂和LG電子，這些國(guó)際知名品牌都明顯沒(méi)有跟上腳步，既沒(méi)有減少他們自身生產(chǎn)時(shí)的碳排放計(jì)劃，也沒(méi)有制定如何以行動(dòng)來(lái)避免災(zāi)難性氣候變化的目...
2008-11-27
綠色和平組織 綠色電子產(chǎn)品排行榜 消費(fèi)者電子 可再生能源
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晶川電子榮獲英飛凌2008年度KPI大獎(jiǎng)
2008年11月18～20日，英飛凌（Infineon:原西門(mén)子半導(dǎo)體集團(tuán)公開(kāi)上市公司）在北京希爾頓逸林飯店舉行了亞太地區(qū)代理商大會(huì)。參會(huì)代表來(lái)自英飛凌德國(guó)總部，亞太地區(qū)總部（新加坡），以及亞太地區(qū)的代理商近兩百人。
2008-11-27
功率半導(dǎo)體器件 IGBT模塊 晶閘管 電力二極管
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美國(guó)科學(xué)家制成首個(gè)等離子晶體管
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，自從20世紀(jì)40年代晶體管出現(xiàn)以來(lái)，它一直是電腦和其他現(xiàn)代電子裝置的核心元件。晶體管的作用是接通、關(guān)閉或者增強(qiáng)電流，晶體管有各種形狀、大小和材質(zhì)，這些主要根據(jù)它的用途而定。最近科學(xué)家制作出一種新晶體管——一個(gè)微型電子計(jì)大小的等離子晶體管。
2008-11-27
等離子晶體管 晶體管
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TLA7BC4：泰克推出最新高性能邏輯分析儀模塊
泰克公司日前為泰克TLA7012便攜式邏輯分析儀和TLA7016臺(tái)式邏輯分析儀系列推出新的136通道TLA7BC4邏輯分析儀模塊。新模塊完善了最近推出的TLA7BBx模塊。擁有20 ps (50 GS/s)的定時(shí)分辨率和高達(dá)128 Mb的記錄長(zhǎng)度，新的TLA7BC4模塊將是一系列一流嵌入式應(yīng)用包括DDR3-1600、MIPI，以及如英特爾QuickPath...
2008-11-27
TLA7012 TLA7016 TLA7BC4 邏輯分析儀 模塊 測(cè)試工具
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FDMA1027/2P853：飛兆半導(dǎo)體最薄MicroFET MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。相比低電壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項(xiàng)可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機(jī)的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
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