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電壓不足期間支持電信電源的小電容
本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。一個(gè)隱藏的特性是電源磚能在-36V~-75V輸入范圍內(nèi)保持工作，甚至在大于-80V的浪涌下也能工作。即便假定每10s出現(xiàn)一次5ms電壓不足，用于充電200mF的電流仍?xún)H約為3mA。比較器觀察輸入電壓，并且一旦它降至低于37V，開(kāi)關(guān)S1就會(huì)關(guān)閉，而來(lái)...
2008-09-29
“磚塊” DC/DC 小電容 電壓不足
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今天的綠色POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)需要高效率和低IQ
由于在機(jī)箱內(nèi)空間有限和冷卻等多種限制因素，以及需要正確的電源跟蹤，以提高系統(tǒng)可靠性，幾乎任何系統(tǒng)的POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師都面臨著很多難題。盡管必須克服大量限制因素，設(shè)計(jì)師們還是有路可走的，不同模擬集成電路制造商最近推出的很多穩(wěn)壓器，可提供簡(jiǎn)單、緊湊、高效率和功能豐富的解決方案。
2008-09-29
POL DC/DC 嵌入式 多相工作
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OLED電源設(shè)計(jì)
OLED具有自發(fā)光、超薄等優(yōu)勢(shì)成為DSC、掌上游戲機(jī)或手機(jī)等產(chǎn)品的理想選擇，這些產(chǎn)品都極具發(fā)展前景?？傊?，技術(shù)與市場(chǎng)潛力是一個(gè)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。在技術(shù)上，國(guó)內(nèi)OLED廠商的努力已相當(dāng)受到肯定，若能進(jìn)一步提升品牌效應(yīng)、產(chǎn)品定位上的實(shí)力，必將在逐步起飛的OLED產(chǎn)業(yè)中立定卓越的地位。
2008-09-29
oled vdd vss mosfet
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DC-DC變換器AVP控制方法的分析
隨著VRM輸入容量的越來(lái)越大和動(dòng)態(tài)要求的越來(lái)越嚴(yán)格，AVP控制在VRM中的應(yīng)用被人們重新認(rèn)識(shí)。本文對(duì)AVP控制策略的有源法和無(wú)源法進(jìn)行了理論分析，并采用一種新式檢測(cè)方法實(shí)現(xiàn)AVP控制,并通過(guò)比較實(shí)驗(yàn)證實(shí)了AVP控制方法的優(yōu)越性。
2008-09-29
電壓調(diào)整模塊 降壓控制 有源法 無(wú)源法
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EMI及無(wú)Y電容手機(jī)充電器的設(shè)計(jì)
本文介紹了與EMI傳導(dǎo)相關(guān)的共模及差模電流產(chǎn)生的原理以及靜點(diǎn)和動(dòng)點(diǎn)的概念，然后詳細(xì)地說(shuō)明了在變壓器結(jié)構(gòu)中使用補(bǔ)償設(shè)計(jì)以及靜點(diǎn)和動(dòng)點(diǎn)的調(diào)整方法，以提高EMI的傳導(dǎo)性能。最后給出了相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)波形和測(cè)試結(jié)果。
2008-09-29
傳導(dǎo)干擾 共模電流 差模電流 Y電容
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霍爾效應(yīng)技術(shù)提供緊湊型電流測(cè)量傳感器
NANALEM K.K公司的HX傳感器很好地克服了傳統(tǒng)測(cè)量電流方法中的缺點(diǎn)，并且滿足了在成本很尺寸上的要求。HX傳感器的核心是一個(gè)霍爾效應(yīng)發(fā)生器，對(duì)關(guān)鍵噪聲具有完美免疫力，在并排安裝在三相應(yīng)用中時(shí)，HX電流傳感器引起的相互干擾非常小。
2008-09-29
HX系列 霍爾效應(yīng) 噪聲 干擾
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基于感應(yīng)耦合比率臂的高精度位移測(cè)量系統(tǒng)
本文討論了比率測(cè)量方法的優(yōu)點(diǎn)，介紹了運(yùn)用感應(yīng)耦合比率臂和差動(dòng)式電容位移傳感器設(shè)計(jì)的高精度微小位移測(cè)量系統(tǒng)。給出了一種實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)例子和主要的測(cè)試結(jié)果，說(shuō)明了該設(shè)計(jì)在小位移測(cè)量中的有效性。
2008-09-29
位移測(cè)量 感應(yīng)耦合比率臂 電容傳感器 納米測(cè)量
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電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。
2008-09-29
場(chǎng)效應(yīng)晶體 UIS 接合面 過(guò)壓
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電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。
2008-09-29
場(chǎng)效應(yīng)晶體 UIS 接合面 過(guò)壓
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