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意法半導(dǎo)體2024年股東大會議案公告
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)，公布了擬在2024年5月22日荷蘭阿姆斯特丹舉行的公司年度股東大會(AGM)上審議批準(zhǔn)的議案。
2024-03-26
意法半導(dǎo)體
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針對醫(yī)療級AC－DC電源：多種外形尺寸、插頭簡化設(shè)計
在設(shè)計交流供電型醫(yī)療產(chǎn)品時，除了常見工程挑戰(zhàn)外，還面臨一個獨特的電源問題。您的線路操作 AC-DC 電源（也稱為電源轉(zhuǎn)換器）必須滿足嚴(yán)格的安全規(guī)定，而不是非醫(yī)療設(shè)計所要求的。您還必須確保這種電源在各種故障模式下仍能保持安全。
2024-03-25
醫(yī)療級 AC－DC電源 插頭
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貿(mào)澤電子贊助2024“創(chuàng)造未來”全球設(shè)計大賽，即日起接受報名
2024年3月22日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 很高興宣布贊助第22屆“創(chuàng)造未來”設(shè)計大賽。這項國際賽事吸引了世界各地的工程師和創(chuàng)客，各展才華設(shè)計面向未來的創(chuàng)新產(chǎn)品，并角逐最終大獎。貿(mào)澤已連續(xù)超過10年贊助此項賽事，更有我們的重要供應(yīng)商英...
2024-03-25
貿(mào)澤電子 創(chuàng)造未來 設(shè)計大賽
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四種將被氮化鎵革新電子設(shè)計的中壓應(yīng)用
隨著技術(shù)的迅速發(fā)展，人們對電源的需求亦在不斷攀升。為了可持續(xù)地推動這一發(fā)展，太陽能等可再生能源被越來越多地用于電網(wǎng)供電。同樣，為了實現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)處理、大數(shù)據(jù)存儲以及人工智能 (AI)，服務(wù)器的需求也在呈指數(shù)級增長。鑒于這些趨勢，設(shè)計人員面臨著一項重大挑戰(zhàn)：如何在持續(xù)提升設(shè)計效率的同...
2024-03-21
氮化鎵 電子設(shè)計 中壓應(yīng)用
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華為、中芯國際亮相，大灣區(qū)迎來“新”風(fēng)潮！
如今，他們作為深圳市“20+8”產(chǎn)業(yè)相關(guān)展會，正致力于帶動產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新要素集聚，助推深圳加快形成“新質(zhì)生產(chǎn)力”。2024年4月9日至11日，這個備受矚目的科技盛會再度拉開帷幕，屆時華為、TCL、中芯國際、聯(lián)發(fā)科、海信、潮州三環(huán)等知名企業(yè)都將集結(jié)亮相。
2024-03-21
華為 中芯國際
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電動汽車無線電池管理革命已經(jīng)開始，投資回報潛力巨大
隨著電動汽車電池組的壽命周期進(jìn)一步延長，在從制造到服務(wù)再到退役的過程中，每個wBMS模塊都要維持嚴(yán)格安全協(xié)議的必要性越來越大。OEM必須始終保持電池模塊的完整性，如果無法獨立驗證其安全狀態(tài)，模塊二次使用的價值就有被否定的風(fēng)險。
2024-03-19
電動汽車 無線電池管理
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雙脈沖測試（DPT）的方法解析
雙脈沖測試（DPT）是一種被廣泛接受的評估功率器件動態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個脈沖持續(xù)時間，可以在第一個脈沖結(jié)束和第二個脈沖開始時捕捉到被測器件在任何所需的電壓和電流條件下的開關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
雙脈沖測試
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800V架構(gòu)下，給連接器帶來了哪些“改變”？
眾所周知，新能源汽車用連接器的作用主要是保證整車高壓互聯(lián)系統(tǒng)，即在內(nèi)部電路被阻斷或孤立不通處架起橋梁從而使電流流通，通過獨立或與線纜一起，為器件、組件、設(shè)備、子系統(tǒng)之間傳輸電流或光信號，并且保持各系統(tǒng)之間不發(fā)生信號失真和能量損失的變化，是構(gòu)成整個完整系統(tǒng)連接所必須的基礎(chǔ)元件。...
2024-03-13
架構(gòu) 連接器
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相...
2024-03-12
功率MOSFET UIS
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