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電路保護(hù)

EMC基礎(chǔ)知識(shí)：何謂EMC

EMC是Electromagnetic Compatibility（電磁兼容性）的縮寫，在日語(yǔ)中多用“電磁兩立性”或“電磁適合性”等字樣來(lái)表達(dá)，可能還有其他一些表述方式。意為“不對(duì)其他設(shè)備產(chǎn)生電磁干擾，即使受到來(lái)自其他設(shè)備的電磁干擾仍保持原有的性能”，因需要兼?zhèn)鋬煞N性能而被稱為“電磁兼容性”。

2021-03-17

EMC

如何使用多路放大器通道隔離度參數(shù)與絕對(duì)最大額定值？

放大器的通道隔離度（MULTIPLE AMPLIFIERS CHANNEL SEPARATION，Cs），用于評(píng)估通道之間干擾程度，它定義為多通道放大器中，被驅(qū)動(dòng)通道的輸出電壓改變量與其他通道的隔離程度。單位為分貝。

2021-03-16

多路放大器通道隔離度參數(shù)

Frontline推出新的PCB工藝規(guī)劃解決方案，可加快產(chǎn)品上市，提高工廠產(chǎn)量

Frontline公司發(fā)布了產(chǎn)品InFlow?，這是一款針對(duì)PCB（印刷電路板）制造商的強(qiáng)大、自動(dòng)化、全方位的工程軟件解決方案。InFlow可實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)工程工藝的全覆蓋，將規(guī)劃時(shí)間減少高達(dá)60％，從而可以大大縮短上市時(shí)間，即使是在最高設(shè)計(jì)復(fù)雜度及產(chǎn)量要求的情形下。奧寶科技隸屬于KLA公司。

2021-03-16

Frontline PCB工藝

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之三：凝聚態(tài)物理中物性測(cè)試

凝聚態(tài)物理學(xué)是研究由大量微觀粒子(原子、分子、離子、電子)組成的凝聚態(tài)物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)、粒子間的相互作用、運(yùn)動(dòng)規(guī)律及其物質(zhì)性質(zhì)與應(yīng)用的科學(xué)，是當(dāng)代材料科學(xué)的物理學(xué)基礎(chǔ)。

2021-03-16

材料電學(xué)測(cè)試凝聚態(tài)物理

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之一：納米測(cè)試（下）

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列涉及當(dāng)代材料科學(xué)尖端的電運(yùn)輸及量子材料/超導(dǎo)材料測(cè)試、一維/碳納米管材料測(cè)試、二維材料及石墨烯測(cè)試及納米材料的應(yīng)用測(cè)試。今天跟您分享第一篇，【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一：納米測(cè)試（下）。

2021-03-15

材料電學(xué)測(cè)試納米測(cè)試

【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一：納米測(cè)試（上）

材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，所謂材料的性質(zhì)是指對(duì)材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料對(duì)電、磁、光、熱、機(jī)械載荷的反應(yīng)。源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，選擇適合某類材料電性能測(cè)試的SMU，如何降低測(cè)試誤差，測(cè)試中應(yīng)當(dāng)注意什么，這些問題都需要重點(diǎn)關(guān)...

2021-03-15

材料電學(xué)測(cè)試納米測(cè)試

關(guān)于SiP與先進(jìn)封裝的異同點(diǎn)

SiP系統(tǒng)級(jí)封裝（System in Package)，先進(jìn)封裝HDAP（High Density Advanced Package)，兩者都是當(dāng)今芯片封裝技術(shù)的熱點(diǎn)，受到整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高度關(guān)注。那么，二者有什么異同點(diǎn)呢？

2021-03-15

SiP 先進(jìn)封裝

詳解PWM驅(qū)動(dòng)MOS管H橋電路

H橋是一個(gè)典型的直流電機(jī)控制電路，因?yàn)樗碾娐沸螤羁崴谱帜窰，故得名與“H橋”。4個(gè)三極管組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠（注意：圖中只是簡(jiǎn)略示意圖，而不是完整的電路圖，其中三極管的驅(qū)動(dòng)電路沒有畫出來(lái)）。

2021-03-15

PWM驅(qū)動(dòng) MOS管 H橋電路

放大器靜態(tài)功耗，輸出級(jí)晶體管功耗與熱阻的影響評(píng)估

放大器參數(shù)的性能通常會(huì)受溫度影響，而溫度的變化來(lái)源包括環(huán)境溫度波動(dòng)，以及芯片自身總功耗和散熱能力限制。其中放大器的總功耗包括靜態(tài)功耗、輸出級(jí)晶體管功耗，本篇將討論二者與熱阻參數(shù)對(duì)溫度影響的評(píng)估方法。

2021-03-14

放大器輸出級(jí)晶體管熱阻