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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉(zhuǎn)換器的性能通常歸結(jié)到效率和成本上。實(shí)際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術(shù)能兼顧這兩點(diǎn)。
2022-02-16
SiC FET 功率轉(zhuǎn)換器
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如何最大限度地發(fā)揮電動(dòng)汽車電池的全部潛力
電動(dòng)汽車的迅速普及加速了電池技術(shù)的創(chuàng)新，其中包括電池管理半導(dǎo)體。其中一個(gè)重要方面是集成，集成可帶來簡化設(shè)計(jì)、提高安全性和性能等優(yōu)勢。該領(lǐng)域的新進(jìn)展將有助于最大限度地發(fā)揮電動(dòng)汽車電池的潛力，同時(shí)又不會(huì)損害電池的健康和安全。
2022-02-15
電動(dòng)汽車電池 電池技術(shù)
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安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎(jiǎng)
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領(lǐng)先市場的NCP1680臨界導(dǎo)通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎(jiǎng)。
2022-02-15
安森美 NCP1680 PFC控制器 PowerBest獎(jiǎng)
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低邊開關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作
下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。與導(dǎo)通時(shí)的做法一樣，為各事件進(jìn)行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導(dǎo)通時(shí)相比，只是VDS和ID變化的順序發(fā)生了改變，其他基本動(dòng)作是一樣的。
2022-02-14
低邊開關(guān) 源極間電壓
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一文弄懂IGBT驅(qū)動(dòng)
要了解什么是IGBT驅(qū)動(dòng)，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機(jī)驅(qū)動(dòng)是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。
2022-02-11
IGBT驅(qū)動(dòng)
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【收藏】運(yùn)算放大器的低功耗設(shè)計(jì)攻略
首先，我們會(huì)討論具有低靜態(tài)電流 (IQ) 的放大器以及增加反饋網(wǎng)絡(luò)電阻值與功耗的關(guān)系。
2022-02-10
運(yùn)算放大器 低靜態(tài)電流
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LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)穩(wěn)健型同步整流解決方案
為了理解這種技術(shù)，讓我們回顧一些為LLC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)穩(wěn)健型同步整流解決方案時(shí)遇到的挑戰(zhàn)。在其最簡單的層面上，同步整流需要金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）仿真二極管的行為。簡言之，當(dāng)電流擬從正極流向負(fù)極時(shí)，MOSFET導(dǎo)通。一旦電流開始從負(fù)極流向正極，則MOSFET關(guān)斷。
2022-02-09
LLC轉(zhuǎn)換器 穩(wěn)健型同步整流
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LDO如何更加功效
隨著物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場所，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個(gè)角落訪問這些電器和系統(tǒng)。不過，由于有如此之多的設(shè)備被連接到我們的住宅和辦公室，我們消耗了難以計(jì)數(shù)的待機(jī)電能。
2022-02-08
LDO 物聯(lián)網(wǎng)
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可編程輸入倍頻法如何減少整數(shù)邊界雜散
您曾設(shè)計(jì)過具有分?jǐn)?shù)頻率合成器的鎖相環(huán)（PLL）嗎？這種合成器在整數(shù)通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數(shù)通道的頻率點(diǎn)上雜散就會(huì)變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經(jīng)遇到過整數(shù)邊界雜散現(xiàn)象了 —— 該現(xiàn)象發(fā)生在載波的偏移距離等于到最近整數(shù)通道的距離時(shí)。
2022-02-08
可編程輸入倍頻法 整數(shù)邊界雜散
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