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EMC安規(guī)

如何測量LDO噪聲

噪聲分為兩類：內(nèi)部噪聲和外部噪聲。內(nèi)部噪聲是不可避免的，每個(gè)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生內(nèi)部噪聲。LDO 由理想的源供電，這意味著它不受外界影響，因此在輸入端沒有外部噪聲 (雖然 LDO 在輸出端確實(shí)有內(nèi)部噪聲)。外部噪聲是由外界影響(輸入處的紋波——實(shí)際源) 產(chǎn)生的各種噪聲。輸入波紋與電源抑制比 (PSRR) ...

2023-04-19

LDO噪聲

PFC電路：柵極電阻的更改

在實(shí)際的電路設(shè)計(jì)工作中，降噪是的一項(xiàng)重大課題，通常，可以通過提高開關(guān)器件的柵極電阻來抑制噪聲，但其代價(jià)是效率降低（損耗增加），因此很好地權(quán)衡柵極電阻值的設(shè)置是非常重要的。在本文中，我們來探討當(dāng)將開關(guān)器件的損耗抑制在規(guī)定值以下時(shí)，最大柵極電阻RG的情況。另外，由于噪聲需要實(shí)際裝機(jī)...

2023-04-14

PFC電路柵極電阻

藍(lán)牙低功耗器件選型指南

安森美(onsemi)的藍(lán)牙?低功耗（Bluetooth LE）器件在業(yè)界掀起浪潮有好幾年了。2017年，安森美發(fā)布了RSL10，這是其在Bluetooth LE領(lǐng)域的第一款產(chǎn)品。隨后在2021年發(fā)布了RSL15，此后安森美繼續(xù)以Bluetooth LE的規(guī)格開發(fā)新器件。每種器件都有多個(gè)系列產(chǎn)品，因此我們準(zhǔn)備了一些實(shí)用的知識(shí)點(diǎn)，幫助您為您...

2023-04-12

藍(lán)牙低功耗器件選型

如何根據(jù)額定電壓為RS-232、RS-485和CAN選擇TVS二極管

在許多工業(yè)和汽車應(yīng)用中，保護(hù)接口收發(fā)器免受各種電過應(yīng)力事件的影響是一個(gè)主要問題。瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 二極管常用于上述用途，因?yàn)樗鼈兛梢酝ㄟ^生成低阻抗電流路徑來鉗制電壓尖峰。

2023-04-10

RS-485 CAN TVS二極管

米勒電容、米勒效應(yīng)和器件與系統(tǒng)設(shè)計(jì)對策

搞電力電子的同學(xué)想必經(jīng)常被“米勒效應(yīng)”這個(gè)詞困擾。米勒效應(yīng)增加開關(guān)延時(shí)不說，還可能引起寄生導(dǎo)通，增加器件損耗。那么米勒效應(yīng)是如何產(chǎn)生的，我們又該如何應(yīng)對呢？

2023-03-24

米勒電容米勒效應(yīng) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)

最大限度保持系統(tǒng)低噪聲

在這個(gè)互聯(lián)程度日益提高的世界中，我們正在越來越多地依賴各種電子儀器和設(shè)備，以及其中包含的半導(dǎo)體器件。因此，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)，市場對于能夠管理電磁干擾 (EMI) 和無線電頻譜中射頻干擾 (RMI) 組件的需求比以往任何時(shí)候都高，這并不足為奇。

2023-03-24

系統(tǒng)低噪聲 KEMET

半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲/高速熔斷器選型指導(dǎo)

高速熔斷器作為保護(hù)半導(dǎo)體的器件，通過其本體的電流可能是直流，也可能是交流，或者是脈沖電流，因此計(jì)算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。

2023-03-20

保險(xiǎn)絲高速熔斷器選型

在橋式結(jié)構(gòu)中的注意事項(xiàng) — 探頭的CMRR

在對橋式結(jié)構(gòu)中的高邊（HS）MOSFET進(jìn)行測試時(shí)，通常使用高壓差分探頭或差分探頭（*4）來觀測波形，但所用探頭的共模抑制比（CMRR）在高頻區(qū)域可能會(huì)降低，波形波動(dòng)可能會(huì)增加。尤其是在測量柵-源電壓VGS時(shí)，涉及到測量幾伏級的浪涌，因此需要區(qū)分觀測到的波形是原始波形還是CMRR不足引起的波動(dòng)波形。

2023-03-16

橋式結(jié)構(gòu) 探頭 CMRR