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能源電力

【電源設(shè)計(jì)小貼士8】：通過改變電源頻率來降低EMI性能

在測定EMI性能時，您是否發(fā)現(xiàn)無論您采用何種方法濾波都依然會出現(xiàn)超出規(guī)范幾dB的問題呢？有一種方法或許可以幫助您達(dá)到EMI性能要求，或簡化您的濾波器設(shè)計(jì)。本文就為您講解這種方法。

2013-01-29

電源管理 EMI

一款可編程增益放大器驅(qū)動的引腳設(shè)計(jì)參考

在一些使用 PGA 的應(yīng)用中，關(guān)鍵的 DC 規(guī)范為 VOS、增益精度與偏移、噪聲以及靜態(tài)功耗。本文介紹一款特殊的放大器結(jié)構(gòu)，它具有經(jīng)過修整的內(nèi)部電阻器網(wǎng)絡(luò)，擁有比采用離散式電阻器組件的放大器更高的性能。

2013-01-29

放大器引腳設(shè)計(jì) 可編程增益放大器

特性參數(shù)最高可達(dá)10kA/450VDC的微型快熔保險絲

Littelfuse推出的新款微型快熔斷保險絲產(chǎn)品具有多種優(yōu)勢，其高分?jǐn)嗟燃?分?jǐn)嚯娏鳎ㄗ罡呖蛇_(dá)10kA@450VDC）確保該保險絲可安全分?jǐn)喔吖收想娏?。占用電路板面積小，節(jié)省印刷電路板空間。

2013-01-29

快熔保險絲尺寸小高效

2013年第81屆中國電子展儀器儀表展區(qū)

進(jìn)入21世紀(jì)以來，信息技術(shù)已成為科學(xué)技術(shù)和國民經(jīng)濟(jì)高速發(fā)展的源動力?！吨泄仓醒雵鴦?wù)院在實(shí)施科技規(guī)劃綱要增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力的決定》中指出：到2020年我國科學(xué)和技術(shù)發(fā)展要以提升國家競爭力為核心，實(shí)現(xiàn)八個重要目標(biāo)，其中第一個就是要掌握一批事關(guān)國家競爭力的裝備制造業(yè)和信息產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)，使制...

2013-01-28

儀器儀表

產(chǎn)業(yè)升級驅(qū)動電容器需求增加

2011年我國電容器銷售總額達(dá)67億美元，同比增長5%。陶瓷電容器為主流產(chǎn)品，占電容器總銷量的60%，銷售額達(dá)40億美元，鋁電解電容器占25%，其他鉭電容器和薄膜電容器占15%。2012年上半年，我國電容器出口額為16.77億美元，出口量為4287.36萬千克，出口平均價格為39.11美元/千克。

2013-01-28

驅(qū)動電容

2013年中國半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)業(yè)將突破1，700億元

半導(dǎo)體分立器件行業(yè)屬于國家重點(diǎn)鼓勵行業(yè)，2009年，國家發(fā)改委、工業(yè)和信息化部聯(lián)合下發(fā)了《電子信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)進(jìn)步和技術(shù)改造投資方向》，文件明確將覆蓋產(chǎn)品設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測試等環(huán)節(jié)的半導(dǎo)體行業(yè)整體鏈條作為未來三年技術(shù)進(jìn)步和技術(shù)改造的重點(diǎn)投資方向。

2013-01-28

半導(dǎo)體分立器

成長快速的新興產(chǎn)業(yè)將成為電容器發(fā)展主要驅(qū)動力

電容器是“裝電的容器”，是一種容納電荷的器件，是電子產(chǎn)品不可或缺的關(guān)鍵基礎(chǔ)元件，在電路中起到濾波、耦合、隔直流、儲能的作用，屬于必配單元，被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信、計(jì)算機(jī)、自動化控制、汽車電子、醫(yī)療電子、照明、智能電網(wǎng)、軌道交通、新能源及軍工等領(lǐng)域。

2013-01-28

電容器展

第三屆智能三表研討會開通報名

轉(zhuǎn)眼迎來2013年，年末歲初，各行各業(yè)都開始籌備新的一年的規(guī)劃和發(fā)展。自去年5月份大比特成功舉辦第二屆智能三表研討會后，第三屆智能三表(電表、水表、熱表)會議就被提上議程。目前已經(jīng)開始接受第三屆智能三表研討會的報名。

2013-01-27

智能三表

具備出色的線性模式性能和極低的RDS（on）值的MOSFET

憑借在功率MOSFET領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，恩智浦半導(dǎo)體近日推出了其NextPower Live產(chǎn)品組合，設(shè)計(jì)出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS（on）值，該獨(dú)特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。

2013-01-27

MOSFET 恩智浦半導(dǎo)體