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飛跨電容器在光伏升壓器中的應(yīng)用
于光伏逆變器而言、不僅注重眾所周知的高效率、同樣要關(guān)注成本、尺寸和重量等指標(biāo)、力求持續(xù)改進(jìn)。其中多層拓?fù)涫且环N能很好地滿足上述所有嚴(yán)苛要求的方法。該方法的主要優(yōu)勢(shì)之一就是能在多個(gè)電壓水平之間切換、能降低半導(dǎo)體的所承受的電壓應(yīng)力和扼流圈的紋波應(yīng)力。這意味著能使用價(jià)格通常更便宜的...
2022-12-06
飛跨電容器 光伏升壓器
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采用電流傳感器優(yōu)化光伏系統(tǒng)
在未來的太陽能設(shè)計(jì)中,該電流可能會(huì)予以補(bǔ)償,直流元件會(huì)通過測(cè)量交流電流的平均值來計(jì)算。因此,逆變器控制環(huán)路中所使用的電流傳感器直流偏移應(yīng)該盡可能的低。直流偏移可導(dǎo)致網(wǎng)絡(luò)分配變壓器產(chǎn)生飽和。為了減小這個(gè)直流偏移,目前一些公司正在開發(fā)新的逆變器拓?fù)浼夹g(shù)。
2022-12-06
電流傳感器 光伏系統(tǒng)
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提高功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試效率的7個(gè)方法
對(duì)功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)進(jìn)行測(cè)試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測(cè)試結(jié)果用于驗(yàn)證、評(píng)價(jià)、對(duì)比功率器件的動(dòng)態(tài)特性。如何能夠高效地完成測(cè)試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)時(shí)需要著重關(guān)注的，一個(gè)高效的測(cè)試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測(cè)試、獲得測(cè)試結(jié)果、提...
2022-12-06
功率器件 測(cè)試效率
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如何有效防止開關(guān)模式電源的輸入過壓
輸入過壓會(huì)損壞電源并對(duì)人員造成傷害。如何避免輸入過壓？通過對(duì)電源元器件進(jìn)行電壓應(yīng)力分析，確定了開關(guān)模式電源的關(guān)鍵元器件選型指南。同時(shí)，增加電源的內(nèi)部電氣間隙和爬電距離，也有利于優(yōu)化電壓應(yīng)力。
2022-12-05
開關(guān)模式電源 輸入過壓
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小...
2022-12-02
SiC MOSFET 模塊 工業(yè)設(shè)備
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低電感電解電容器尺寸進(jìn)一步縮小，同時(shí)提高工業(yè)自動(dòng)化性能
在工業(yè)4.0和工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IIoT）等新興行業(yè)趨勢(shì)的推動(dòng)下，制造和裝配過程自動(dòng)化繼續(xù)得到越來越普遍地采納，而低電感電解電容器有助于在機(jī)器人和其他工業(yè)設(shè)備中降低成本，提升性能。
2022-11-30
低電感電解電容器 工業(yè)自動(dòng)化
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【干貨】帶你解鎖AC／DC、DC／DC轉(zhuǎn)換器
開關(guān)式AC/DC轉(zhuǎn)換器通過二極管電橋?qū)C電壓進(jìn)行整流，再通過電容器實(shí)施平滑處理，將AC電壓轉(zhuǎn)換為DC電壓。然后，通過開關(guān)元件對(duì)該DC電壓進(jìn)行斬波（ON/OFF）后，通過高頻變壓器降壓后傳遞到2次側(cè)，再利用電容器進(jìn)行平滑處理，輸出規(guī)定的DC電壓（VDC）。
2022-11-29
AC／DC轉(zhuǎn)換器 DC／DC轉(zhuǎn)換器
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多電源IC的上電時(shí)序控制你搞明白了么？
人們常常想當(dāng)然地為PCB的電路上電，殊不知這可能造成破壞以及有損或無損閂鎖狀況。這些問題可能并不突出，直到量產(chǎn)開始，器件和設(shè)計(jì)的容差接受檢驗(yàn)時(shí)才被發(fā)現(xiàn)，但為時(shí)已晚，項(xiàng)目和產(chǎn)品的時(shí)間及交貨將會(huì)受到極大影響，成本大幅攀升。為了解決這一階段中發(fā)現(xiàn)的錯(cuò)誤，將需要進(jìn)行大量修改，包括PCB布局...
2022-11-28
多電源IC 電時(shí)序控制
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談?wù)劅衢T的氧化鎵
高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺(tái)，但超寬帶隙(UWBG)(帶隙>4.5eV)半導(dǎo)體器件有可能實(shí)現(xiàn)更高電壓的電子設(shè)備。候選UWBG半導(dǎo)體包括氮化鋁(AlN)、立方氮化硼和金剛石，但在過去十年中，研究活動(dòng)增加...
2022-11-28
氧化鎵
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