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電子元器件業(yè)景氣期將至 相關(guān)公司擴(kuò)張產(chǎn)能
電子元器件類上市公司近期的擴(kuò)張產(chǎn)能動作趨于頻繁。通富微電近日公告,將在未來三年投入10億元進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)張。此前,拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產(chǎn)線項目,華天科技董事會審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產(chǎn)線技術(shù)改造項目,總投資為2億元。
2009-12-21
電子元器件 景氣期將至 公司擴(kuò)張 半導(dǎo)體
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DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術(shù)分離DDR讀寫周期
測量DDR2存儲設(shè)備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關(guān)系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示,在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的,而在寫操作時Strobe的跳變則領(lǐng)先于Data。我們利用這種時序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
DDR測試 力科 WaveScan 分離讀寫周期
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DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例
SDRAM時鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略,在原理圖設(shè)計中,需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容,如果MCU輸出的時鐘驅(qū)動能力弱,可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準(zhǔn)確的測量內(nèi)存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭,無源探頭在高頻時阻抗太小,不能準(zhǔn)確的測量波形,需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測試 SDRAM 時鐘分析
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東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學(xué)研究生院工學(xué)系研究專業(yè)附屬綜合研究機(jī)構(gòu)與日本迪思科(Disco)、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓(硅底板)打薄至7μm的技術(shù)。
2009-12-18
東大 晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項目 硅
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工信部明確環(huán)保使用期限,控制電子產(chǎn)品污染
日前,為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限,工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產(chǎn)品污染 環(huán)保
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AUIPS7121R/7141R:IR推出堅固可靠的智能功率開關(guān)
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高側(cè)智能功率開關(guān) (IPS) 。新產(chǎn)品具有精確的電流感應(yīng)和內(nèi)置保護(hù)電路,適用于嚴(yán)苛的24V汽車環(huán)境,如卡車的引擎罩接線盒等。
2009-12-18
IR AUIPS7121R AUIPS7141R 智能功率開關(guān)
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繼電器:行業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機(jī) 新興市場尋求突破
國家十大產(chǎn)業(yè)振興規(guī)劃涉及的行業(yè)無不與繼電器產(chǎn)品有關(guān),高速鐵路、電力能源、汽車、裝備制造業(yè)等等都在升級換代,要求更多、更新技術(shù)的繼電器產(chǎn)品。
2009-12-18
繼電器 行業(yè)轉(zhuǎn)機(jī) 新興市場 電子元件
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富士通英國員工擬6次罷工抗議公司裁員
富士通的英國員工將連續(xù)進(jìn)行六次罷工活動,內(nèi)容是反對該公司采取裁員、凍結(jié)薪酬及養(yǎng)老金改革等措施。
2009-12-18
富士通 英國 罷工 抗議 裁員
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電子電氣設(shè)備的電路隔離技術(shù)
對電子電氣電路的各種隔離進(jìn)行了詳盡的分析討論,提出了抑制干擾而采取的電氣隔離的技術(shù)措施,從而保證電氣設(shè)備的正常工作。
2009-12-18
電子 電氣 設(shè)備 電路隔離
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