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技術(shù)觀點(diǎn):解密準(zhǔn)共振 DC/DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
與返馳式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器拓?fù)湎啾?,?zhǔn)共振設(shè)計(jì)不僅能提供高能效,而且生成的電磁干擾 (EMI) 也較低,使得它特別適合噪音敏感的應(yīng)用,例如電視機(jī)或音頻設(shè)備。然而,實(shí)施工作變得更加龐大,令工程師感到恐懼,這往往使工程師推遲探索上述這些好處。在這篇文章中,F(xiàn)uture Electronics(波蘭)的技術(shù)經(jīng)理 ...
2012-06-19
準(zhǔn)共振 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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堅(jiān)固的薄膜電阻在高達(dá)175°C和300MW條件下保持卓越性能
Vishay 的 MCW 0402 AT 芯片電阻在寬負(fù)載范圍內(nèi)保持高穩(wěn)定性。對(duì)于在包括高溫或高功耗的惡劣條件下需要準(zhǔn)確的功率測(cè)量和高可靠性的應(yīng)用場(chǎng)合,Vishay MCW 0406 AT薄膜芯片電阻提供可信賴的性能 ,而不會(huì)損害額定功率或電氣性能。
2012-06-19
薄膜電阻 Vishay MCW 0402 AT
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雙通道理想二極管控制器取代兩個(gè)肖特基二極管
凌力爾特推出 0V 至 18V 雙通道理想二極管控制器 ,可取代兩個(gè)大功率肖特基二極管,以低損耗實(shí)現(xiàn)多個(gè)電源 “或”,且對(duì)電源電壓的干擾最小。LTC4353 是市場(chǎng)上僅有的雙通道低壓理想二極管控制器,可極大地節(jié)省空間。
2012-06-18
肖特基二極管 二極管控制器 凌力爾特
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羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽(yáng)能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝,與Si-IGBT相比,工作損耗降低了70%,達(dá)到50kHz以上的開(kāi)關(guān)頻率
2012-06-18
SiC-SBD SiC-MOSFET IGBT 羅姆 逆變器
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CT2000變頻器以高防護(hù)性征服紡機(jī)用戶
臺(tái)達(dá)VFD-CT2000系列變頻器是臺(tái)達(dá)2012年上市新品中最閃耀的明星產(chǎn)品之一,它不僅繼承了VFD-C2000系列變頻器的強(qiáng)大功能,更可謂是高防護(hù)型變頻器中的代表,在高溫、高濕、高粉塵、重污染、瞬間電壓波動(dòng)等惡劣環(huán)境中表現(xiàn)出非凡的堅(jiān)固耐用性能。對(duì)于粗紗機(jī)、細(xì)紗機(jī)、機(jī)床、陶瓷、玻璃等高污染行業(yè)的用戶...
2012-06-18
CT2000 變頻器
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順絡(luò)推出高飽和電流多層功率電感MPH系列
順絡(luò)開(kāi)發(fā)出MPH多層功率電感系列。與市面上的競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比,MPH系列功率電感有著較低的DC&AC阻抗和更高的額定電流。MPH有著超小Rdc和外形,適合用于諸如板上DC-DC轉(zhuǎn)換器等低功率、低成本、高電流的應(yīng)用。
2012-06-15
功率電感 多層功率電感 MPH 順絡(luò)
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Microsemi新款功率MOSFET將RF驅(qū)動(dòng)器與RF功率MOSFET集于一體
Microsemi宣布擴(kuò)展其RF功率產(chǎn)品線,推出了DRF1400功率MOSFET。該產(chǎn)品非常適合在廣泛的工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療(ISM) 領(lǐng)域的RF發(fā)生器中使用,例如用于半導(dǎo)體、LCD和太陽(yáng)能電池制造的等離子生成,以及工作頻率高達(dá)30 MHz 的CO2激光器。
2012-06-15
功率MOSFET RF驅(qū)動(dòng)器 RF功率MOSFET DRF1400 Microsemi
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預(yù)計(jì)2012年中國(guó)MCU市場(chǎng)增長(zhǎng)乏力
據(jù)IHS iSuppli公司的中國(guó)研究服務(wù),全球宏觀經(jīng)濟(jì)擔(dān)憂與中國(guó)政府支出減少,正在給2012年中國(guó)微控制器(MCU)市場(chǎng)造成一些麻煩,預(yù)計(jì)今年?duì)I業(yè)收入將持平于2011年的水平。
2012-06-15
MCU MCU市場(chǎng) 微控制器
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揭秘Murata收購(gòu)3D MEMS傳感器制造商VTI四大原因
VTI在被Murata收購(gòu)以后,于近期更名為Murata Electronics Oy,為什么Murata會(huì)在整個(gè)市場(chǎng)疲軟的情況下收購(gòu)VIT?反觀VTI,這次收購(gòu)又將給它帶來(lái)什么好處呢?本文將為大家一一揭秘。
2012-06-15
Murata MEMS傳感器 VTI
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- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
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