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RUBYCON小型化高可靠性薄膜電容專為逆變器應(yīng)用開發(fā)
當(dāng)前多數(shù)的工業(yè)機械為了達(dá)到節(jié)省能源的目的,而采用控制精確更高的變頻器技術(shù),所使用電容當(dāng)中,薄膜電容份額不斷增加,并成為主導(dǎo),主要是因為薄膜電容有眾多優(yōu)勢。RUBYCON開發(fā)出了三個系列小型化、重量輕、低成本、高可靠性的大型薄膜電容。
2012-06-05
薄膜電容 RUBYCON 逆變器
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幾種主流MOSFET驅(qū)動電路的對比分析
開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點,應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動功率低等優(yōu)點已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能指標(biāo)。
2012-06-05
MOSFET 驅(qū)動電路 開關(guān)電源
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為電子設(shè)備保駕護(hù)航:表面貼裝式保險絲身形小價值高
TE Connectivity電路保護(hù)可為各種過流保護(hù)應(yīng)用提供廣泛的表面貼裝式保險絲,為電子電氣設(shè)備提供安全的工作環(huán)境,避免巨額損失。 TE Connectivity的一次性表面貼裝式保險絲性能穩(wěn)定,可支持額定電流從0.5 A到20 A的應(yīng)用。
2012-06-05
表面貼裝式保險絲 TE
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臺達(dá)PLC強化船舶安全性
船用航海記錄儀(“黑匣子” )是了解事故發(fā)生時船舶的操縱情況及船舶對操縱的響應(yīng)信息的重要裝置,近期應(yīng)用表明,臺達(dá)DVP-14SS小型PLC可輕松實現(xiàn)船用“黑匣子”的自動化操作,確?!昂谙蛔印比鏈?zhǔn)確地記錄和保存船舶航行過程中的各項數(shù)據(jù)。
2012-06-05
臺達(dá) PLC
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Rubycon三項技術(shù)延長鋁電解電容壽命 專為LED照明開發(fā)
鋁電解電容是LED照明產(chǎn)品不可欠缺的元器件,但是鋁電解電容的壽命卻成為了LED照明產(chǎn)品壽命的瓶頸。RUBYCON通過開發(fā)高可靠性電解液、選用氣密性更好的封口橡膠、高精度的電解液注入量開發(fā)出了小型且長壽命(20000H)的LLE系列鋁電解電容。
2012-06-04
鋁電解電容 RUBYCON LED照明 長壽命
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Linear高壓理想二極管控制器可提供一種低損耗替代方案
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高壓理想二極管控制器 LTC4359,該器件為肖特基二極管提供了一種簡單的低損耗替代方案,同時擁有適合汽車、航空電子及太陽能應(yīng)用的重要特性。LTC4359 在 4V 至 80V 的寬電源電壓范圍內(nèi)工作,可承受 -40V 至 100V 的輸入電壓而不會受損。
2012-06-04
Linear 二極管 控制器
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第二十屆中國歐亞國際電子工業(yè)暨國防電子博覽會
中國國際軍民結(jié)合技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(原中國國際和平利用軍工技術(shù)與裝備(西安)博覽會、中國西部國際電子工業(yè)博覽會、中國西部國際國防電子博覽會)(簡稱軍博會),是由國家國防科學(xué)技術(shù)工業(yè)局、陜西省人民政府指導(dǎo),由中國和平利用軍工技術(shù)協(xié)會、陜西省國防科技和航空工業(yè)辦公室、中國電子元件行業(yè)...
2012-06-04
中國 歐亞 國際電子 工業(yè) 國防電子 博覽會
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6x3.7不對稱封裝:創(chuàng)新MOSFET封裝大大簡化電源設(shè)計
目前,電源工程師面臨的一個主要難題是,隨著功能的日益增多,商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來越少。解決這個難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過在更小尺寸的封裝內(nèi)采用更高性能的MOSFET,業(yè)內(nèi)的一個趨勢是從SO-8等標(biāo)準(zhǔn)引線封裝向帶有底面漏極焊盤的功...
2012-06-04
MOSFET封裝 電源
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E絡(luò)盟全線庫存成功登陸ICkey搜索采購平臺
全球領(lǐng)先的電子產(chǎn)品分銷商E絡(luò)盟日前與國內(nèi)知名的電子元器件搜索采購平臺ICkey達(dá)成合作,雙方正式建立庫存數(shù)據(jù)后臺之間的實時查詢與同步更新機制
2012-06-01
E絡(luò)盟 登陸 ICkey
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- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異?
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