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安防監(jiān)控

智能電視靜電保護(hù)技巧

隨著更小更先進(jìn)的集成電路不斷促進(jìn)智能電視的發(fā)展，電磁兼容（EMC)的領(lǐng)域?qū)⒊霈F(xiàn)新的挑戰(zhàn)，因為這些高速信號接口在正常使用條件下會受到靜電和電纜放電事件的威脅。本文將針對智能電視上兩個最常見和最敏感的接口：HDMI與千兆以太網(wǎng)接口提供保護(hù)方案。

2011-08-10

靜電保護(hù) 智能電視電壓系統(tǒng)信號

直流傳感器回饋補(bǔ)償系統(tǒng)設(shè)計

本課題建立了一種磁勢自平衡回饋補(bǔ)償式直流傳感機(jī)理與方法。磁勢自平衡回饋補(bǔ)償式直流傳感機(jī)理與方法既具有直流閉環(huán)測量原理準(zhǔn)確度高、線性度好、抗干擾能力強(qiáng)的優(yōu)點，也具有開環(huán)測量原理電路結(jié)構(gòu)調(diào)試簡單、消除大功率驅(qū)動的困惑、且不存在系統(tǒng)振蕩向題的優(yōu)點。

2011-08-10

直流傳感器電流二極管

基于交/直流電源的LED驅(qū)動電路設(shè)計實例

相較于白熾燈等傳統(tǒng)光源，LED具有能效高、壽命長、指向性好等眾多優(yōu)勢，越來越受業(yè)界青睞用于通用照明市場。根據(jù)具體應(yīng)用的不同，led可能會采用不同的電源來供電，如交流線路、太陽能板、12 V汽車電池、直流電源或低壓交流系統(tǒng)，甚至是基于堿和鎳的電池或鋰離子電池等。本文就是對基于交/直流電源的...

2011-08-09

LED 驅(qū)動電路交/直流電源

UPS電源的十大使用技巧

UPS電源對保護(hù)數(shù)據(jù)和機(jī)器設(shè)備不受損害有很重要的作用。因此，正確使用和維護(hù)UPS，就顯得相當(dāng)重要。其實，合理地維護(hù)和使用UPS，是需要貫穿UPS的整個生命周期的。為保證其正常運行和延長使用壽命，在使用與維護(hù)中應(yīng)注意以下幾方面。

2011-08-09

UPS電源 UPS 蓄電池充電

2011西部電子論壇解讀西部電子設(shè)計行業(yè)四大亮點

隨著國家新的“西部大開發(fā)”戰(zhàn)略的實施，中國西部迎來了新一輪的發(fā)展契機(jī)，尤其是具有自己獨特“后發(fā)優(yōu)勢”的西部電子行業(yè)也將得到快速穩(wěn)定的增長。由CNT Networks和中國（西部）電子展主辦的2011西部電子論壇，即將于8月23日-27日在成都和西安兩個西部電子重鎮(zhèn)舉辦。

2011-08-09

2011西部電子論壇可靠性設(shè)計工業(yè)電子新能源分銷

歐姆龍與IceMos開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)構(gòu)造MOSFET

美國IceMos Technology與歐姆龍開始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)（Super-Junction）構(gòu)造MOSFET。IceMos Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計和開發(fā)，歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)品。分別是耐壓為650V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為170mΩ的產(chǎn)品和耐壓為600V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為160mΩ的產(chǎn)品。作...

2011-08-09

MEMS工藝 n型層 p型層 MOSFET

如何選擇合適的DCDC電源模塊

最近，出現(xiàn)了一個新的選擇：負(fù)載點DC/DC電源模塊。這些模塊結(jié)合了實現(xiàn)即插即用(plug-and-play)解決方案所需的大部分或全部組件，可以取代多達(dá)40個不同的組件。這樣就簡化了集成并加速了設(shè)計，同時可減少電源管理部分的占板空間。

2011-08-09

DCDC 電源模塊 ISL8201M

車載逆變電源的設(shè)計案例

在一些交通運載、野外測控、可移動武器裝備、工程修理車等設(shè)備中都配有不同規(guī)格的電源。通常這些設(shè)備工作空間狹小，環(huán)境惡劣，干擾大。因此對電源的設(shè)計要求也很高，除了具有良好的電氣性能外，還必須具備體積小、重量輕、成本低、可靠性高、抗干擾強(qiáng)等特點。

2011-08-09

電源車載逆變變壓器

高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計方案

電子鎮(zhèn)流器的供電方式為半橋輸出接穩(wěn)壓管給芯片供電，其輸出電壓為高壓正弦波（50～100 kHz），加之芯片內(nèi)數(shù)字部分的干擾，這就給芯片的電源帶來較大的干擾。因此對芯片內(nèi)基準(zhǔn)的中頻PSR（Power Supply Rejection，電源抑制）有較大要求。本文從此角度在Brokaw帶隙基準(zhǔn)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，采用LDO與基...

2011-08-08

電子鎮(zhèn)流器電源 LDO 基準(zhǔn)源