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Microchip推出mTouch電感式觸摸傳感解決方案
Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)今天宣布推出mTouch 電感式觸摸傳感技術(shù)。這對其電容式觸摸傳感解決方案是一種互補。電感式觸摸傳感的基本工作原理是可以透過塑料、不銹鋼或鋁制的面板工作。該技術(shù)還可以透過手套和含有液體的表面工作。利用這一新技術(shù),Microchip可以幫助設計人員在...
2008-11-14
mTouch 電感式觸摸傳感
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安森美半導體榮獲Samsung Electro-Mechanics“2008最佳供應商”獎
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)獲得Samsung Electro-Mechanics (SEM) 電源部頒發(fā)的“2008最佳供應商”獎項。SEM是韓國領(lǐng)先的電子元件制造商,也是世界主要的廠商。這是安森美半導體連續(xù)第二年獲得SEM頒發(fā)這個極富聲望的獎項。
2008-11-14
半導體 \PCB 變壓器 無源元件
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安森美半導體榮獲Samsung Electro-Mechanics“2008最佳供應商”獎
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)獲得Samsung Electro-Mechanics (SEM) 電源部頒發(fā)的“2008最佳供應商”獎項。SEM是韓國領(lǐng)先的電子元件制造商,也是世界主要的廠商。這是安森美半導體連續(xù)第二年獲得SEM頒發(fā)這個極富聲望的獎項。
2008-11-14
半導體 \PCB 變壓器 無源元件
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安森美半導體榮獲Samsung Electro-Mechanics“2008最佳供應商”獎
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)獲得Samsung Electro-Mechanics (SEM) 電源部頒發(fā)的“2008最佳供應商”獎項。SEM是韓國領(lǐng)先的電子元件制造商,也是世界主要的廠商。這是安森美半導體連續(xù)第二年獲得SEM頒發(fā)這個極富聲望的獎項。
2008-11-14
半導體 \PCB 變壓器 無源元件
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首爾半導體與歐洲TOE 公司達成交叉許可協(xié)議
韓國 LED 制造商首爾半導體(Seoul Semiconductor Co. Ltd)近日宣布,首爾半導體同歐洲 TridonicAtco Optoelectronics GmbH(簡稱 TOE)公司及其合作伙伴就白色 LED 使用硅酸鹽熒光粉,達成交叉許可協(xié)議。
2008-11-14
LED 硅酸鹽熒光粉
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首爾半導體與歐洲TOE 公司達成交叉許可協(xié)議
韓國 LED 制造商首爾半導體(Seoul Semiconductor Co. Ltd)近日宣布,首爾半導體同歐洲 TridonicAtco Optoelectronics GmbH(簡稱 TOE)公司及其合作伙伴就白色 LED 使用硅酸鹽熒光粉,達成交叉許可協(xié)議。
2008-11-14
LED 硅酸鹽熒光粉
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首爾半導體與歐洲TOE 公司達成交叉許可協(xié)議
韓國 LED 制造商首爾半導體(Seoul Semiconductor Co. Ltd)近日宣布,首爾半導體同歐洲 TridonicAtco Optoelectronics GmbH(簡稱 TOE)公司及其合作伙伴就白色 LED 使用硅酸鹽熒光粉,達成交叉許可協(xié)議。
2008-11-14
LED 硅酸鹽熒光粉
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NTB54XXN/ntp54XXN:安森美中等電壓功率MOSFET系列
安森美半導體推出8款新的MOSFET器件,專門為中等電壓開關(guān)應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅(qū)動、LED驅(qū)動器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中,這些應用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA),安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量,免應用受未預料的電壓瞬態(tài)影響。
2008-11-14
NTB5411N NTP5411N MOSFET NTB5412N NTP5412N NTB5426N
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NTB54XXN/ntp54XXN:安森美中等電壓功率MOSFET系列
安森美半導體推出8款新的MOSFET器件,專門為中等電壓開關(guān)應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅(qū)動、LED驅(qū)動器、電源、轉(zhuǎn)換器、脈寬調(diào)制(PWM)控制和橋電路中,這些應用講究二極管速度和換向安全工作區(qū)域(SOA),安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量,免應用受未預料的電壓瞬態(tài)影響。
2008-11-14
NTB5411N NTP5411N MOSFET NTB5412N NTP5412N NTB5426N
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