【導讀】隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。
自推出以來，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點，被廣泛應用于馬達驅動，光伏，UPS，儲能，汽車 等領域。
變頻器
變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢，廣泛的使用在電機驅動的各個領域。讓我們先來走進變頻器，看看變頻器的典型電路。
“交—直—交”電路是典型的變頻器拓撲電路，基于該拓撲結構的變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動單元、驅動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器靠 IGBT 的開關來調整輸出電源的電壓和頻率，根據(jù)電機的實際需要，來提供其所需要的電源電壓，進而達到節(jié)能、調速的目的。另外，變頻器還有很多的保護功能，如過流、過壓、過載保護等等。隨著工業(yè)自動化程度的不斷提高，變頻器廣泛的應用在紡織，港口，化工，石油，工程機械，物流等各類應用場景。
圖1 典型的馬達驅動變頻器的應用框圖
變頻節(jié)能
傳統(tǒng)用工頻（50Hz）電源直接驅動時的風量或水量調節(jié)方式落后。風機、泵類調節(jié)大部分仍采用閥門機械節(jié)流方式（調節(jié)入口或出口的擋板、閥門開度等降低風量或水量）。由于電機以恒定速度運行，因此即使降低風量和水量，耗電量也幾乎不會下降，且大量的能源消耗在擋板、閥門的截流過程中。容易產(chǎn)生能源的浪費。
風機、泵類當使用變頻調速時，如果流量要求減小，通過降低泵或風機的轉速即可滿足要求。隨著轉速的降低，所需轉矩以平方的比例下降。輸出的功率也就成立方關系下降。 即可以實現(xiàn)大規(guī)模的降低輸出功率，降低耗電量。
風扇、風機、泵為代表的降轉矩負載來說，隨著轉速的降低，所需轉矩以平方的比例下降。而根據(jù)流體力學，功率=壓力×流量，流量和轉速的一次方是成正比的，壓力與轉速的平方是成正比的，功率和轉速的立方成正比，如果說水泵效率固定的話，當調節(jié)流量下降時，轉速就會成比例下降，輸出的功率也就成立方關系下降，所以說，水泵的轉速與電機耗電功率是近似立方比關系。
馬達驅動的短路能力
工業(yè)環(huán)境中的短路工業(yè)電機驅動器的工作環(huán)境相對惡劣，可能出現(xiàn)高溫、交流線路瞬變、機械過載、接線錯誤以及其它突發(fā)情況。其中有些事件可能會導致較大的電流流入電機驅動器的功率電路中。
圖2 IGBT 典型的短路情況
圖2顯示了三種典型的短路事件。它們是：
1. 逆變器直通。這可能是由于不正確開啟其中一條逆變器橋臂的兩個IGBT所導致的，而這種情況有可能是因為遭受了電磁干擾或控制器故障，也可能是因為臂上的其中一個 IGBT 故障導致的。
2. 相對相短路。這可能是因為性能下降、溫度過高或過壓事件 導致電機繞組之間發(fā)生絕緣擊穿所引起的。
3. 相線對地短路。這同樣可能是因為性能下降、溫度過高或過壓事件導致電機繞組和電機外殼之間發(fā)生絕緣擊穿所引起的。
一般而言，電機可在相對較長的時間內（如毫秒到秒，具體取決于 電機尺寸和類型）吸收極高的電流，這對于應用在馬達驅動上的 IGBT 提出了高溫短路耐受能力的要求。
IGBT 在極限工況需要滿足短路耐受的能力，Nexperia 的IGBT模塊可實現(xiàn)高溫150°C 10us 的短路能力。如圖3 IGBT 開關損耗、通態(tài)壓降和可靠性的三者的折中關系。Nexperia 的 IGBT 采用溝槽柵場終止技術，針對馬達驅動的應用優(yōu)化了 Vcesat 導通損耗和開關損耗的性能，同時滿足高溫150°C 10us 的短路能力。
圖3 IGBT 開關損耗、通態(tài)壓降和可靠性的三者關系
IGBT模塊的靜態(tài)特性和動態(tài)性能對比
導通損耗是整體損耗的重要組成部分，我們選取了在市場上廣泛應用的不同廠商ABCD產(chǎn)品作為對照，在同樣的條件如高溫150°C，VGE=15V 時，從圖4的對比，我們可以讀出在額定電流100A條件下，競品A,B,C,D的 Vcesat的飽和壓降分別為2.49V, 2.41V, 2.52V, 3V。紅色的是安世 IGBT 產(chǎn)品NP100T12P2T3的飽和壓降，Vcesat 僅為2.27V，在高溫下，和競品ABCD相比，Vcesat 分別降低了10%，6%，11%，32%。極大的降低 IGBT 的靜態(tài)損耗。Nexperia 的 IGBT模塊表現(xiàn)出了優(yōu)異的低 Vcesat 飽和壓降的特性。
圖4 IGBT模塊在 150°C 的 靜態(tài)特性（Ic-Vcesat )
IGBT模塊的動態(tài)性能對比
同樣馬達驅動的應用中對開關損耗尤為關注，我們選取了在市場上廣泛應用的不同廠商 ABCD 產(chǎn)品作為對照，對比Nexperia IGBT 產(chǎn)品 NP100T12P2T3 在不同電流下的開通損耗和關斷損耗的和值 Etot ( Eon+Eoff)，如圖 5所示 在 結溫150°C 的對比，紅色的曲線是安世 IGBT 產(chǎn)品 NP100T12P2T3，在額定電流100A的條件下，競品 A，B，C，D，開關損耗和值 Etot 分別為25.84mJ，24.52mJ，24.33mJ，29.19mJ，而Nexperia產(chǎn)品的開關損耗和值 Etot 僅為23.64mJ。在高溫下，和競品ABCD相比，開關損耗和值 Etot 分別降低了9%，4%，3%，23%，極大地降低 IGBT 在高開關頻率下的功率損耗。
圖 5 IGBT模塊在 150°C 的 開關特性（Eon+Eoff）
IGBT的折中曲線
圖6是在常溫25°C 和高溫150°C 時的開關損耗Etot和導通壓降 Vcesat 的折中關系對比。IGBT工作在大電流高電壓，高溫150°C的折中曲線備受客戶的關注。如圖6所示，橫坐標代表的是導通壓降 Vcesat ，縱坐標代表的是開關損耗 Etot 越接近原點，意外著損耗越低，可以看出，Nexperia IGBT產(chǎn)品的開關損耗和飽和壓降都明顯小于競品 ABCD 。
圖 6 IGBT模塊在25°C 和 150°C 的折中曲線（ Vcesat-Etot ）
馬達驅動的損耗計算
為了更接近客戶的實際的應用情況，如圖7是IGBT模塊在典型的馬達驅動的損耗對比，其中 Vcesat ， VF的數(shù)據(jù)來源于同一測試平臺下的實測數(shù)據(jù)，開關損耗 Eon+Eoff 是基于同一雙脈沖測試平臺在高溫150°C 額定電流 100A 的條件下的測試數(shù)據(jù)，仿真模擬的是工業(yè)馬達連續(xù)運行的工況，系統(tǒng)工作于母線電壓Vdc=600V，有效值電流 Irms=50A ，門級電阻Rgate=1.5?， 載波頻率 fsw=10KHz，調制比 m=0.8, 電機功率因數(shù) cosφ=0.8， 輸出頻率fout=50Hz。
仿真損耗的計算結果如下，在典型變頻器驅動器應用條件下，Nexperia NP100T12P2T3 的 IGBT 產(chǎn)品, 其開關損耗和導通損耗均小于競品 ABCD ，總功率損耗降低5%~24%。Nexperia 的 IGBT 產(chǎn)品整體降低了功率損耗，提升了變頻器的系統(tǒng)效率。
圖 7 IGBT 模塊在典型的馬達驅動應用條件的 Ploss 損耗
熱仿真
從熱仿真上可以直觀的看到節(jié)溫的分布，如圖8所示。對比安世半導體和競品 A 馬達驅動應用做熱仿真，Nexperia 的 IGBT 最高節(jié)溫 Tjmax 會是116°C, 競品的最高節(jié)溫 Tjmax 是119°C，比競品 A 低3°C。
圖8 馬達驅動應用中熱仿真
布局設計
產(chǎn)品的布局設計也非常關鍵，通過精巧的布局設計與仿真對比，增加布線寬度，減小換流路徑長度，增加換流路徑重合度及磁場相消，來達到最大程度的降低寄生電感的目的。
在 IGBT 關斷的過程中，IGBT 的電流下降產(chǎn)生較大的 di/dt, 由于回路中存在雜散電感，在IGBT 的上疊加反向電動勢，delta V=L*di/dt。 產(chǎn)生較大的電壓尖峰，由于優(yōu)化了線路中的雜散電感，從而最終使得關斷時的電壓尖峰盡可能小。減少關斷時候時的電壓過沖。
小結
基于前面的討論，安世半導體的 IGBT 模塊優(yōu)化了開通損耗和導通損耗，同時兼顧高溫下的短路能力，實現(xiàn)更高電流密度和更好的可靠性，降低了整體的損耗且提高了系統(tǒng)的效率。同時設計通過精巧的布局，增加減小換流路徑長度，增加換流路徑重合度及磁場相消，來達到最大程度的降低寄生電感的目的，模塊的最高工作運行節(jié)溫達到150°C ，滿足馬達驅動的高溫150°C 短路耐受能力。
近年來，我國年工業(yè)生產(chǎn)總值不斷提高，但能耗比卻居高不下，高能耗比已成為制約我國經(jīng)濟發(fā)展的瓶頸，為此國家投入大量資金支持節(jié)能降耗項目，變頻調速技術已越來越廣泛的應用在各行各業(yè)，它不僅可以改善工藝，延長設備使用壽命，提高工作效率等，最重要的是它可以“節(jié)能降耗”，這一點已被廣大用戶所認可，且深受關注。預計未來幾年，具有高效節(jié)能功效的變頻器市場將受政策驅動持續(xù)增長。
作者：
張姍姍 IGBT產(chǎn)品市場經(jīng)理
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